|
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)
Эпитаксия слоев GaN(0001) или GaN(10$\bar1$1) на подложке Si(100)
В. Н. Бессолов, М. Е. Компан, Е. В. Коненкова, В. Н. Пантелеев, С. Н. Родин, М. П. Щеглов Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Экспериментально продемонстрированы два разных подхода при эпитаксии слоев толщиной 4 $\mu$m полярного GaN(0001) или полуполярного GaN(10$\bar1$1) на $V$-образной наноструктурированной подложке Si(100) с нанометровыми буферными слоями SiC и AlN. Слои GaN(0001) были синтезированы методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии, а GaN(10$\bar1$1) – методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений с последующим доращиванием путем хлорид-гидридной газофазной эпитаксии. Показано, что слои полярного GaN(0002) имеют величину продольных упругих напряжений -0.45 GPa и минимальную полуширину кривой качания рентгеновской дифракции $\omega_\theta\sim$ 45 arcmin, а для полуполярного GaN(10$\bar1$1) эти величины составляют -0.29 GPa и $\omega_\theta\sim$ 22 arcmin соответственно. Сделан вывод о перспективности комбинированной технологии полуполярного нитрида галлия на подложке кремния ориентации (100).
Ключевые слова:
полуполярный нитрид галлия, комбинационное рассеяние света, газофазная эпитаксия.
Поступила в редакцию: 26.02.2019 Исправленный вариант: 06.03.2019 Принята в печать: 07.03.2019
Образец цитирования:
В. Н. Бессолов, М. Е. Компан, Е. В. Коненкова, В. Н. Пантелеев, С. Н. Родин, М. П. Щеглов, “Эпитаксия слоев GaN(0001) или GaN(10$\bar1$1) на подложке Si(100)”, Письма в ЖТФ, 45:11 (2019), 3–5
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5413 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v45/i11/p3
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 51 | PDF полного текста: | 13 |
|