Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в Журнал технической физики, 2019, том 45, выпуск 11, страницы 3–5
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.11.47813.17756
(Mi pjtf5413)
 

Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)

Эпитаксия слоев GaN(0001) или GaN(10$\bar1$1) на подложке Si(100)

В. Н. Бессолов, М. Е. Компан, Е. В. Коненкова, В. Н. Пантелеев, С. Н. Родин, М. П. Щеглов

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация: Экспериментально продемонстрированы два разных подхода при эпитаксии слоев толщиной 4 $\mu$m полярного GaN(0001) или полуполярного GaN(10$\bar1$1) на $V$-образной наноструктурированной подложке Si(100) с нанометровыми буферными слоями SiC и AlN. Слои GaN(0001) были синтезированы методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии, а GaN(10$\bar1$1) – методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений с последующим доращиванием путем хлорид-гидридной газофазной эпитаксии. Показано, что слои полярного GaN(0002) имеют величину продольных упругих напряжений -0.45 GPa и минимальную полуширину кривой качания рентгеновской дифракции $\omega_\theta\sim$ 45 arcmin, а для полуполярного GaN(10$\bar1$1) эти величины составляют -0.29 GPa и $\omega_\theta\sim$ 22 arcmin соответственно. Сделан вывод о перспективности комбинированной технологии полуполярного нитрида галлия на подложке кремния ориентации (100).
Ключевые слова: полуполярный нитрид галлия, комбинационное рассеяние света, газофазная эпитаксия.
Поступила в редакцию: 26.02.2019
Исправленный вариант: 06.03.2019
Принята в печать: 07.03.2019
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2019, Volume 45, Issue 6
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378501906004X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. Н. Бессолов, М. Е. Компан, Е. В. Коненкова, В. Н. Пантелеев, С. Н. Родин, М. П. Щеглов, “Эпитаксия слоев GaN(0001) или GaN(10$\bar1$1) на подложке Si(100)”, Письма в ЖТФ, 45:11 (2019), 3–5
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BesKomKon19}
\by В.~Н.~Бессолов, М.~Е.~Компан, Е.~В.~Коненкова, В.~Н.~Пантелеев, С.~Н.~Родин, М.~П.~Щеглов
\paper Эпитаксия слоев GaN(0001) или GaN(10$\bar1$1) на подложке Si(100)
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2019
\vol 45
\issue 11
\pages 3--5
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf5413}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2019.11.47813.17756}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41131028}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5413
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v45/i11/p3
  • Эта публикация цитируется в следующих 7 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:52
    PDF полного текста:15
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024