Толстые эпитаксиальные слои $\alpha$-Ga$_{2}$O$_{3}$ : Sn на профилированной сапфировой подложке

Получены и исследованы эпитаксиальные слои нового широкозонного полупроводника $\alpha$-Ga$_{2}$O$_{3}$, легированного оловом. Слои выращены методом хлоридной эпитаксии на гладких и профилированных сапфировых подложках. Данный тип профилированных подложек широко применяется для увеличения выхода излучения в высокоэффективных светодиодных структурах на основе InGaN. Проведен сравнительный анализ свойств полученных слоев оксида галлия. Оба типа образцов обладали проводимостью $n$-типа, однако выявлено различие в зависимостях емкости от частоты и емкости от напряжения. Методом рентгеновской дифрактометрии установлены различия дислокационной структуры в эпитаксиальных слоях $\alpha$-Ga$_{2}$O$_{3}$ на гладких и профилированных подложках.