Синтез гексагональных слоев AlN и GaN на Si(100)-подложке методом хлоридной газофазной эпитаксии

Рассмотрена технология синтеза AlN- и GaN-структур на Si(100)-подложке методом хлоридной газофазной эпитаксии, включающей в себя сульфидирование поверхности кремния, зарождение и рост AlN-слоя, а затем GaN/AlN-структуры. Обнаружено, что синтез GaN происходит на буферных слоях двух кристаллографических ориентаций AlN на подложке Si(100) по сравнению с одной кристаллографической ориентацией на подложке Si(111). Показано, что применение водных растворов (NH$_{4}$)$_{2}$S при обработке Si(100) приводит к уменьшению полуширины рентгеновской кривой качания GaN(0002) в 1.5 раза.