Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в Журнал технической физики, 2018, том 44, выпуск 12, страницы 45–51
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2018.12.46290.17260
(Mi pjtf5777)
 

Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)

Полуполярные GaN-слои на наноструктурированной Si(100)-подложке

В. Н. Бессоловa, Е. В. Коненковаa, Т. А. Орловаa, С. Н. Родинa, М. П. Щегловa, Д. С. Кибаловb, В. К. Смирновb

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b ООО "Квантовый кремний", Москва, Россия
Аннотация: Предложен новый метод синтеза GaN в полуполярном направлении на подложке Si(100), на поверхности которой сформирована $V$-образная наноструктура с суб-100 nm размером элементов. Показано, что применение наноструктурированной подложки в методе газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений позволяет формировать слой, направление роста которого отклонено от полярного направления на угол около 62$^\circ$ при минимальной полуширине рентгенодифракционной кривой качания GaN(10$\bar1$1) $\omega_\theta\sim$60 arcmin.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 16-08-00208
Исследование выполнено при частичной финансовой поддержке РФФИ в рамках научного проекта № 16-08-00208.
Поступила в редакцию: 19.02.2018
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2018, Volume 44, Issue 6, Pages 525–527
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785018060172
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. Н. Бессолов, Е. В. Коненкова, Т. А. Орлова, С. Н. Родин, М. П. Щеглов, Д. С. Кибалов, В. К. Смирнов, “Полуполярные GaN-слои на наноструктурированной Si(100)-подложке”, Письма в ЖТФ, 44:12 (2018), 45–51; Tech. Phys. Lett., 44:6 (2018), 525–527
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BesKonOrl18}
\by В.~Н.~Бессолов, Е.~В.~Коненкова, Т.~А.~Орлова, С.~Н.~Родин, М.~П.~Щеглов, Д.~С.~Кибалов, В.~К.~Смирнов
\paper Полуполярные GaN-слои на наноструктурированной Si(100)-подложке
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2018
\vol 44
\issue 12
\pages 45--51
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf5777}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2018.12.46290.17260}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=34982921}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2018
\vol 44
\issue 6
\pages 525--527
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785018060172}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5777
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v44/i12/p45
  • Эта публикация цитируется в следующих 8 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:54
    PDF полного текста:6
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024