|
Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)
Полуполярные GaN-слои на наноструктурированной Si(100)-подложке
В. Н. Бессоловa, Е. В. Коненковаa, Т. А. Орловаa, С. Н. Родинa, М. П. Щегловa, Д. С. Кибаловb, В. К. Смирновb a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b ООО "Квантовый кремний", Москва, Россия
Аннотация:
Предложен новый метод синтеза GaN в полуполярном направлении на подложке Si(100), на поверхности которой сформирована $V$-образная наноструктура с суб-100 nm размером элементов. Показано, что применение наноструктурированной подложки в методе газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений позволяет формировать слой, направление роста которого отклонено от полярного направления на угол около 62$^\circ$ при минимальной полуширине рентгенодифракционной кривой качания GaN(10$\bar1$1) $\omega_\theta\sim$60 arcmin.
Поступила в редакцию: 19.02.2018
Образец цитирования:
В. Н. Бессолов, Е. В. Коненкова, Т. А. Орлова, С. Н. Родин, М. П. Щеглов, Д. С. Кибалов, В. К. Смирнов, “Полуполярные GaN-слои на наноструктурированной Si(100)-подложке”, Письма в ЖТФ, 44:12 (2018), 45–51; Tech. Phys. Lett., 44:6 (2018), 525–527
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5777 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v44/i12/p45
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 54 | PDF полного текста: | 6 |
|