|
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)
Гексагональные слои AlN, выращенные на сульфидированной Si(100)-подложке
В. Н. Бессоловa, Е. В. Гущинаa, Е. В. Коненковаab, Т. В. Львоваa, В. Н. Пантелеевa, М. П. Щегловa a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
Аннотация:
Изучалось влияние сульфидной пассивации на начальные стадии зарождения и роста слоев AlN методом хлор-гидридной газофазной эпитаксии на ориентированной по плоскости (100) подложке кремния. Установлено, что после обработки подложки в водном растворе (NH$_{4}$)$_{2}$S наблюдается столбчатое зарождение кристаллов гексагонального нитрида алюминия двух кристаллографических модификаций, развернутых на угол 30$^\circ$. С использованием сульфидной обработки разработан простой способ удаления оксидов и подготовки поверхности подложки Si(100), пригодной для эпитаксии слоев III-нитридов.
Поступила в редакцию: 08.08.2017
Образец цитирования:
В. Н. Бессолов, Е. В. Гущина, Е. В. Коненкова, Т. В. Львова, В. Н. Пантелеев, М. П. Щеглов, “Гексагональные слои AlN, выращенные на сульфидированной Si(100)-подложке”, Письма в ЖТФ, 44:2 (2018), 96–103; Tech. Phys. Lett., 44:1 (2018), 81–83
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5913 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v44/i2/p96
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 31 | PDF полного текста: | 8 |
|