Persons
RUS  ENG    JOURNALS   PEOPLE   ORGANISATIONS   CONFERENCES   SEMINARS   VIDEO LIBRARY   PACKAGE AMSBIB  
 
Sakharov, Aleksey Valentinovich
Statistics Math-Net.Ru
Total publications: 28
Scientific articles: 28

Number of views:
This page:184
Abstract pages:1616
Full texts:658
References:73
Candidate of physico-mathematical sciences (2000)
Speciality: 01.04.10 (Physcics of semiconductors)
E-mail:
Website: https://ioffe.ru/sem_tech/sem_teh_main_staff_sakharovav_ru.htm

https://www.mathnet.ru/eng/person74829
List of publications on Google Scholar
List of publications on ZentralBlatt
https://elibrary.ru/author_items.asp?authorid=31913

Publications in Math-Net.Ru Citations
2021
1. A. A. Ivanov, V. V. Chaldyshev, E. E. Zavarin, A. V. Sakharov, V. V. Lundin, A. F. Tsatsul'nikov, “Resonant light reflection from an optical lattice of excitons formed by 100 InGaN quantum wells”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 55:9 (2021),  733–737  mathnet  elib 1
2. L. K. Markov, S. A. Kukushkin, I. P. Smirnova, A. S. Pavluchenko, A. S. Grashchenko, A. V. Osipov, G. V. Svyatets, A. E. Nikolaev, A. V. Sakharov, V. V. Lundin, A. F. Tsatsul'nikov, “A light-emitting diode based on alingan heterostructures grown on SiC/Si substrates and its fabrication technology”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 47:18 (2021),  3–6  mathnet  elib 3
3. N. A. Cherkashin, A. V. Sakharov, A. E. Nikolaev, V. V. Lundin, S. O. Usov, V. M. Ustinov, A. S. Grashchenko, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, A. F. Tsatsul'nikov, “Peculiarities of epitaxial growth of III – N led heterostructures on SiC/Si substrates”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 47:15 (2021),  15–18  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 47:10 (2021), 753–756 6
2020
4. A. V. Sakharov, V. V. Lundin, E. E. Zavarin, S. O. Usov, P. N. Brunkov, A. F. Tsatsul'nikov, “The influence of reactor pressure on the properties of GaN layers grown by MOVPE”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 46:24 (2020),  3–6  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 46:12 (2020), 1211–1214 2
5. A. V. Myasoedov, A. V. Sakharov, A. E. Nikolaev, A. E. Kalmykov, L. M. Sorokin, V. V. Lundin, “A TEM study of AlN–AlGaN–GaN multilayer buffer structures on silicon substrates”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 46:19 (2020),  50–54  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 46:10 (2020), 991–995 1
2019
6. S. N. Rodin, V. V. Lundin, A. F. Tsatsul'nikov, A. V. Sakharov, S. O. Usov, M. I. Mitrofanov, I. V. Levitskii, V. P. Evtikhiev, M. A. Kaliteevski, “GaN selective epitaxy in sub-micron windows with different depths formed by ion beam nanolithography”, Fizika Tverdogo Tela, 61:12 (2019),  2333  mathnet  elib; Phys. Solid State, 61:12 (2019), 2335–2337
7. V. V. Lundin, A. V. Sakharov, E. E. Zavarin, D. A. Zakgeim, E. Yu. Lundina, P. N. Brunkov, A. F. Tsatsul'nikov, “Insulating GaN epilayers co-doped with iron and carbon”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 45:14 (2019),  36–39  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 45:7 (2019), 723–726 6
2018
8. V. V. Lundin, A. F. Tsatsul'nikov, S. N. Rodin, A. V. Sakharov, S. O. Usov, M. I. Mitrofanov, Ya. V. Levitskii, V. P. Evtikhiev, “Selective epitaxial growth of III–N structures using ion-beam nanolithography”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:10 (2018),  1237–1243  mathnet  elib; Semiconductors, 52:10 (2018), 1357–1362 5
9. V. V. Emtsev, E. V. Gushchina, V. N. Petrov, N. A. Talnishnikh, A. E. Chernyakov, E. I. Shabunina, N. M. Shmidt, A. S. Usikov, A. P. Kartashova, A. A. Zybin, V. V. Kozlovsky, M. F. Kudoyarov, A. V. Sakharov, G. A. Oganesyan, D. S. Poloskin, V. V. Lundin, “Diversity of properties of device structures based on group-III nitrides, related to modification of the fractal-percolation system”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:7 (2018),  804–811  mathnet  elib; Semiconductors, 52:7 (2018), 942–949 3
10. S. A. Blokhin, M. A. Bobrov, A. A. Blokhin, A. G. Kuz'menkov, A. P. Vasil'ev, Yu. M. Zadiranov, E. A. Evropeitsev, A. V. Sakharov, N. N. Ledentsov, L. Ya. Karachinsky, A. M. Ospennikov, N. A. Maleev, V. M. Ustinov, “Emission-line width and $\alpha$-factor of 850-nm single-mode vertical-cavity surface-emitting lasers based on InGaAs/AlGaAs quantum wells”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:1 (2018),  98–104  mathnet  elib; Semiconductors, 52:1 (2018), 93–99 1
11. V. V. Lundin, A. V. Sakharov, E. E. Zavarin, D. A. Zakgeim, A. E. Nikolaev, P. N. Brunkov, M. A. Yagovkina, A. F. Tsatsul'nikov, “The effect of the method by which a high-resistivity GaN buffer layer is formed on properties of InAlN/GaN and AlGaN/GaN heterostructures with 2D electron gas”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 44:13 (2018),  51–58  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 44:7 (2018), 577–580 1
12. S. A. Blokhin, N. A. Maleev, M. A. Bobrov, A. G. Kuz'menkov, A. V. Sakharov, V. M. Ustinov, “High-speed semiconductor vertical-cavity surface-emitting lasers for optical data-transmission systems (review)”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 44:1 (2018),  7–43  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 44:1 (2018), 1–16 15
2017
13. G. M. Savchenko, V. V. Dyudelev, V. V. Lundin, A. V. Sakharov, A. F. Tsatsul'nikov, E. A. Kognovitskaya, S. N. Losev, A. G. Deryagin, V. I. Kuchinskii, N. S. Averkiev, G. S. Sokolovskii, “Photonic-crystal waveguide for the second-harmonic generation”, Fizika Tverdogo Tela, 59:9 (2017),  1680–1683  mathnet  elib; Phys. Solid State, 59:9 (2017), 1702–1705 5
14. S. A. Blokhin, M. A. Bobrov, A. A. Blokhin, A. G. Kuz'menkov, A. P. Vasil'ev, Yu. M. Zadiranov, E. A. Evropeitsev, A. V. Sakharov, N. N. Ledentsov, L. Ya. Karachinsky, A. M. Ospennikov, N. A. Maleev, V. M. Ustinov, “Emission-line width and $\alpha$-factor of 850-nm single-mode vertical-cavity surface-emitting lasers based on InGaAs/AlGaAs quantum wells”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:12 (2017),  1697  mathnet; Semiconductors, 52:1 (2018), 93–99 1
15. V. V. Lundin, S. N. Rodin, A. V. Sakharov, E. Yu. Lundina, S. O. Usov, Yu. M. Zadiranov, S. I. Troshkov, A. F. Tsatsul'nikov, “InGaN/GaN light-emitting diode microwires of submillimeter length”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:1 (2017),  101–104  mathnet  elib; Semiconductors, 51:1 (2017), 100–103 2
2016
16. E. A. Tarasova, E. S. Obolenskaya, A. V. Hananova, S. V. Obolensky, V. E. Zemlyakov, V. I. Egorkin, A. V. Nezhentsev, A. V. Sakharov, A. F. Tsatsul'nikov, V. V. Lundin, E. E. Zavarin, G. V. Medvedev, “Theoretical and experimental studies of the current–voltage and capacitance–voltage of HEMT structures and field-effect transistors”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:12 (2016),  1599–1604  mathnet  elib; Semiconductors, 50:12 (2016), 1574–1578 5
17. A. S. Bolshakov, V. V. Chaldyshev, E. E. Zavarin, A. V. Sakharov, V. V. Lundin, A. F. Tsatsul'nikov, “Optical spectroscopy of a resonant Bragg structure with InGaN/GaN quantum wells”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:11 (2016),  1451–1454  mathnet  elib; Semiconductors, 50:11 (2016), 1431–1434 4
18. A. F. Tsatsul'nikov, V. V. Lundin, E. E. Zavarin, M. A. Yagovkina, A. V. Sakharov, S. O. Usov, V. E. Zemlyakov, V. I. Egorkin, K. A. Bulashevich, S. Yu. Karpov, V. M. Ustinov, “Effect of the parameters of AlN/GaN/AlGaN and AlN/GaN/InAlN heterostructures with a two-dimensional electron gas on their electrical properties and the characteristics of transistors on their basis”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:10 (2016),  1401–1407  mathnet  elib; Semiconductors, 50:10 (2016), 1383–1389 3
19. A. F. Tsatsul'nikov, V. V. Lundin, A. V. Sakharov, E. E. Zavarin, S. O. Usov, A. E. Nikolaev, M. A. Yagovkina, V. M. Ustinov, N. A. Cherkashin, “Epitaxial growth of GaN/AlN/InAlN heterostructures for HEMTs in horizontal MOCVD reactors with different designs”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:9 (2016),  1263–1269  mathnet  elib; Semiconductors, 50:9 (2016), 1241–1247 1
20. V. G. Tikhomirov, V. E. Zemlyakov, V. V. Volkov, Ya. M. Parnes, V. N. V’yuginov, V. V. Lundin, A. V. Sakharov, E. E. Zavarin, A. F. Tsatsul'nikov, N. A. Cherkashin, M. N. Mizerov, V. M. Ustinov, “Optimization of the parameters of HEMT GaN/AlN/AlGaN heterostructures for microwave transistors using numerical simulation”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:2 (2016),  245–249  mathnet  elib; Semiconductors, 50:2 (2016), 244–248 23
21. V. V. Emtsev, E. E. Zavarin, M. A. Kozlovskii, M. F. Kudoyarov, V. V. Lundin, G. A. Oganesyan, V. N. Petrov, D. S. Poloskin, A. V. Sakharov, S. I. Troshkov, N. M. Shmidt, V. N. V’yuginov, A. A. Zybin, Ya. M. Parnes, S. I. Vidyakin, A. G. Gudkov, A. E. Chernyakov, V. V. Kozlovsky, “Specific features of proton interaction with transistor structures having a 2D AlGaN/GaN channel”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 42:21 (2016),  39–46  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 42:11 (2016), 1079–1082 2
22. G. M. Savchenko, V. V. Dyudelev, K. K. Soboleva, V. V. Lundin, A. V. Sakharov, E. A. Kognovitskaya, S. N. Losev, A. G. Deryagin, V. I. Kuchinskii, N. S. Averkiev, G. S. Sokolovskii, “Metamaterial for efficient second harmonic generation”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 42:20 (2016),  40–48  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 42:10 (2016), 1041–1044 7
23. V. V. Emtsev, E. E. Zavarin, G. A. Oganesyan, V. N. Petrov, A. V. Sakharov, N. M. Shmidt, V. N. V’yuginov, A. A. Zybin, Ya. M. Parnes, S. I. Vidyakin, A. G. Gudkov, A. E. Chernyakov, “The relationship between the reliability of transistors with 2D AlGaN/GaN channel and organization type of nanomaterial”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 42:13 (2016),  80–86  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 42:7 (2016), 701–703 6
24. V. V. Lundin, E. E. Zavarin, P. N. Brunkov, M. A. Yagovkina, A. V. Sakharov, M. A. Sinicin, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, A. F. Tsatsul'nikov, “Semi-insulating GaN:C epilayers grown by metalorganic vapor phase epitaxy using propane as a carbon source”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 42:10 (2016),  85–91  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 42:5 (2016), 539–542 5
25. V. V. Lundin, E. E. Zavarin, P. N. Brunkov, M. A. Yagovkina, S. I. Troshkov, A. V. Sakharov, A. E. Nikolaev, A. F. Tsatsul'nikov, “The influence of growth conditions on the surface morphology and development of mechanical stresses in Al(Ga)N layers during metalorganic vapor phase epitaxy”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 42:8 (2016),  86–93  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 42:4 (2016), 431–434
2001
26. I. L. Krestnikov, V. V. Lundin, A. V. Sakharov, D. A. Bedarev, E. E. Zavarin, Yu. G. Musikhin, N. M. Shmidt, A. F. Tsatsul'nikov, A. S. Usikov, N. N. Ledentsov, Zh. I. Alferov, “Heterostructures based on nitrides of group III elements: technical processes, properties, and light-emitting devices”, UFN, 171:8 (2001),  857–858  mathnet; Phys. Usp., 44:8 (2001), 815–816 1
27. V. M. Ustinov, N. A. Maleev, A. E. Zhukov, A. R. Kovsh, A. V. Sakharov, B. V. Volovik, A. F. Tsatsul'nikov, N. N. Ledentsov, Zh. I. Alferov, J. A. Lott, D. Bimberg, “Vertical-cavity emitting devices with quantum-dot structures”, UFN, 171:8 (2001),  855–857  mathnet; Phys. Usp., 44:8 (2001), 813–815 1
1949
28. A. Sakharov, “Íàáëþäåíèÿ êîñìè÷åñêîãî èçëó÷åíèÿ ñ ïîìîùüþ ôîòîïëàñòèíîê, ÷óâñòâèòåëüíûõ ê ýëåêòðîíàì”, UFN, 38:3 (1949),  452–454  mathnet

Organisations
 
  Contact us:
  Terms of Use  Registration to the website  Logotypes © Steklov Mathematical Institute RAS, 2024