Persons
RUS  ENG    JOURNALS   PEOPLE   ORGANISATIONS   CONFERENCES   SEMINARS   VIDEO LIBRARY   PACKAGE AMSBIB  
 
Yablonskii, Artem Nikolaevich
Statistics Math-Net.Ru
Total publications: 20
Scientific articles: 20

Number of views:
This page:161
Abstract pages:1942
Full texts:797
References:119
Scientific Employee
Candidate of physico-mathematical sciences (2011)
Speciality: 05.27.01 (solid-state electronics, radio-electronic components, micro- and nanoelectronics, devices on quantum effects)
Birth date: 24.07.1978
E-mail:
Website: http://www.ipmras.ru/institute/persons/staff/165-yablonskiy-artem-nikolaevich/

https://www.mathnet.ru/eng/person55816
List of publications on Google Scholar
List of publications on ZentralBlatt

Publications in Math-Net.Ru Citations
2021
1. N. V. Gaponenko, Yu. D. Kornilava, E. I. Lashkovskaya, V. D. Zhivulko, A. V. Mudryi, Yu. V. Radyush, B. A. Andreev, M. V. Stepikhova, A. N. Yablonskii, S. A. Gusev, R. Subasri, D. S. Reddy, “Radiative properties of up-conversion coatings formed on the basis of erbium-doped barium titanate xerogels”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 55:9 (2021),  713–718  mathnet  elib; Semiconductors, 55:9 (2021), 735–740 7
2. D. V. Yurasov, N. A. Baidakova, V. A. Verbus, N. S. Gusev, E. E. Morozova, D. V. Shengurov, A. N. Yablonskii, A. V. Novikov, “Formation and optical properties of locally strained Ge microstructures embedded into cavities”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 55:5 (2021),  420–426  mathnet  elib; Semiconductors, 55:6 (2021), 531–536
2020
3. A. N. Yablonskii, A. V. Novikov, M. V. Stepikhova, S. M. Sergeev, N. A. Baidakova, M. V. Shaleev, Z. F. Krasil'nik, “Kinetics of the luminescence response of self-assembled Ge(Si) nanoislands embedded in two-dimensional photonic crystals”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 54:10 (2020),  1150–1157  mathnet  elib; Semiconductors, 54:10 (2020), 1352–1359 2
4. D. V. Yurasov, A. V. Novikov, S. A. Dyakov, M. V. Stepikhova, A. N. Yablonskii, S. M. Sergeev, D. E. Utkin, Z. F. Krasil'nik, “Enhancement of the luminescence signal from self-assembled Ge(Si) nanoislands due to interaction with the modes of two-dimensional photonic crystals”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 54:8 (2020),  822–829  mathnet  elib; Semiconductors, 54:8 (2020), 975–981 2
5. D. V. Yurasov, N. A. Baidakova, A. N. Yablonskii, A. V. Novikov, “Influence of the growth conditions and doping level on the luminescence kinetics of Ge:Sb layers grown on silicon”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 54:7 (2020),  685–690  mathnet  elib; Semiconductors, 54:7 (2020), 811–816 1
6. O. M. Sreseli, N. A. Bert, V. N. Nevedomskiy, A. I. Lihachev, I. N. Yassievich, A. V. Ershov, A. V. Nezhdanov, A. I. Mashin, B. A. Andreev, A. N. Yablonskii, “Ge/Si core/shell quantum dots in an alumina matrix: influence of the annealing temperature on the optical properties”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 54:2 (2020),  129–137  mathnet  elib; Semiconductors, 54:2 (2020), 181–189 4
2019
7. B. A. Andreev, D. N. Lobanov, L. V. Krasil’nikova, P. A. Bushuikin, A. N. Yablonskii, A. V. Novikov, V. Yu. Davydov, P. A. Yunin, M. I. Kalinnikov, E. V. Skorokhodov, Z. F. Krasil'nik, “Emission properties of heavily doped epitaxial indium-nitride layers”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:10 (2019),  1395–1400  mathnet  elib; Semiconductors, 53:10 (2019), 1357–1362 2
8. Zh. V. Smagina, V. A. Zinovyev, E. E. Rodyakina, B. I. Fomin, M. V. Stepikhova, A. N. Yablonskii, S. A. Gusev, A. V. Novikov, A. V. Dvurechenskii, “Ordered arrays of Ge(Si) quantum dots embedded in two-dimensional photonic crystals”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:10 (2019),  1366–1371  mathnet  elib; Semiconductors, 53:10 (2019), 1329–1333 7
9. D. V. Yurasov, N. A. Baidakova, V. A. Verbus, N. S. Gusev, A. I. Mashin, E. E. Morozova, A. V. Nezhdanov, A. V. Novikov, E. V. Skorokhodov, D. V. Shengurov, A. N. Yablonskii, “Locally strained Ge/SOI structures with improved heat sink as an active media for silicon optoelectronics”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:10 (2019),  1360–1365  mathnet  elib; Semiconductors, 53:10 (2019), 1324–1328 1
10. A. V. Novikov, D. V. Yurasov, N. A. Baidakova, P. A. Bushuikin, B. A. Andreev, P. A. Yunin, M. N. Drozdov, A. N. Yablonskii, M. A. Kalinnikov, Z. F. Krasil'nik, “Comparative analysis of luminescence properties of Ge : Sb layers grown on Ge(001) and Si(001) substrates”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:10 (2019),  1354–1359  mathnet  elib; Semiconductors, 53:10 (2019), 1318–1323 1
2018
11. A. V. Novikov, D. V. Yurasov, E. E. Morozova, E. V. Skorokhodov, V. A. Verbus, A. N. Yablonskii, N. A. Baidakova, N. S. Gusev, K. E. Kudryavtsev, A. V. Nezhdanov, A. I. Mashin, “Formation and properties of locally tensile strained Ge microstructures for silicon photonics”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:11 (2018),  1331–1336  mathnet  elib; Semiconductors, 52:11 (2018), 1442–1447 3
12. Zh. V. Smagina, V. A. Zinovyev, G. K. Krivyakin, E. E. Rodyakina, P. A. Kuchinskaya, B. I. Fomin, A. N. Yablonskii, M. V. Stepikhova, A. V. Novikov, A. V. Dvurechenskii, “Study of the structural and emission properties of Ge(Si) quantum dots ordered on the Si(001) surface”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:9 (2018),  1028–1033  mathnet  elib; Semiconductors, 52:9 (2018), 1150–1155 7
2017
13. N. V. Baidus, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, K. E. Kudryavtsev, S. M. Nekorkin, A. V. Novikov, D. A. Pavlov, A. V. Rykov, A. A. Sushkov, M. V. Shaleev, P. A. Yunin, D. V. Yurasov, A. N. Yablonskii, Z. F. Krasil'nik, “Peculiarities of growing InGaAs/GaAs/AlGaAs laser structures by MOCVD on Ge/Si substrates”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:11 (2017),  1579–1582  mathnet  elib; Semiconductors, 51:11 (2017), 1527–1530 5
14. V. Ya. Aleshkin, N. V. Baidus, A. A. Dubinov, Z. F. Krasil'nik, S. M. Nekorkin, A. V. Novikov, A. V. Rykov, D. V. Yurasov, A. N. Yablonskii, “On the stimulated emission of InGaAs/GaAs/AlGaAs laser structures grown by MOCVD on exact and inclined Ge/Si(001) substrates”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:5 (2017),  695–698  mathnet  elib; Semiconductors, 51:5 (2017), 663–666 5
2016
15. A. N. Yablonskii, R. Kh. Zhukavin, N. A. Bekin, A. V. Novikov, D. V. Yurasov, M. V. Shaleev, “On the radiative recombination and tunneling of charge carriers in SiGe/Si heterostructures with double quantum wells”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:12 (2016),  1629–1633  mathnet  elib; Semiconductors, 50:12 (2016), 1604–1608
16. A. N. Yablonskii, S. V. Morozov, D. M. Gaponova, V. Ya. Aleshkin, V. G. Shengurov, B. N. Zvonkov, O. V. Vikhrova, N. V. Baidus, Z. F. Krasil'nik, “Stimulated emission in heterostructures with double InGaAs/GaAsSb/GaAs quantum wells, grown on GaAs and Ge/Si(001) substrates”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:11 (2016),  1455–1458  mathnet  elib; Semiconductors, 50:11 (2016), 1435–1438 3
2013
17. V. Ya. Aleshkin, N. V. Dikareva, A. A. Dubinov, B. N. Zvonkov, M. V. Karzanova, K. E. Kudryavtsev, S. M. Nekorkin, A. N. Yablonskii, “Guiding effect of quantum wells in semiconductor lasers”, Kvantovaya Elektronika, 43:5 (2013),  401–406  mathnet  elib [Quantum Electron., 43:5 (2013), 401–406  isi  scopus] 6
2009
18. A. A. Andronov, Yu. N. Nozdrin, A. V. Okomel'kov, A. N. Yablonskii, A. A. Marmalyuk, Yu. L. Ryaboshtan, “Stimulated-emission wavelength switching in optically pumped InGaAs/AlGaInAs laser heterostructures”, Kvantovaya Elektronika, 39:3 (2009),  247–250  mathnet  elib [Quantum Electron., 39:3 (2009), 247–250  isi  scopus] 2
2008
19. V. Ya. Aleshkin, A. A. Antonov, S. V. Gaponov, A. A. Dubinov, Z. F. Krasil'nik, K. E. Kudryavtsev, A. G. Spivakov, A. N. Yablonskii, “Tunable source of terahertz radiation based on the difference-frequency generation in a GaP crystal”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 88:12 (2008),  905–907  mathnet; JETP Letters, 88:12 (2008), 787–789  isi  scopus 10
2002
20. N. V. Vostokov, Yu. N. Drozdov, Z. F. Krasil'nik, D. N. Lobanov, A. V. Novikov, A. N. Yablonskii, “Low-energy photoluminescence of structures with GeSi/Si(001) self-assembled nanoislands”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 76:6 (2002),  425–429  mathnet; JETP Letters, 76:6 (2002), 365–369  scopus 24

Organisations
 
  Contact us:
  Terms of Use  Registration to the website  Logotypes © Steklov Mathematical Institute RAS, 2024