|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2024 |
| 1. |
К. А. Подгаецкий, А. В. Лобинцов, А. И. Данилов, А. В. Иванов, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, Е. В. Кузнецов, В. В. Дюделев, Д. А. Михайлов, Д. В. Чистяков, Е. А. Когновицкая, С. Н. Лосев, С. Х. Абдулразак, А. В. Бабичев, Г. М. Савченко, А. В. Лютецкий, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, А. Г. Гладышев, И. И. Новиков, Л. Я. Карачинский, А. Ю. Егоров, Г. С. Соколовский, “Квантовые каскадные лазеры InGaAs/AlInAs/InP с отражающими и просветляющими оптическими покрытиями”, Квантовая электроника, 54:2 (2024), 100–103  |
|
2023 |
| 2. |
К. А. Подгаецкий, А. В. Лобинцов, А. И. Данилов, А. В. Иванов, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, Е. В. Кузнецов, В. В. Дюделев, Д. А. Михайлов, Д. В. Чистяков, А. В. Бабичев, Е. А. Когновицкая, А. В. Лютецкий, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, А. Г. Гладышев, И. И. Новиков, Л. Я. Карачинский, А. Ю. Егоров, Г. С. Соколовский, “Металлодиэлектрические зеркальные покрытия для квантовых каскадных лазеров с длиной волны излучения 4–5 мкм”, Квантовая электроника, 53:8 (2023), 641–644 [K. A. Podgaetskii, A. V. Lobintsov, A. I. Danilov, A. V. Ivanov, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, E. V. Kuznetsov, V. V. Dyudelev, D. A. Mikhailov, D. V. Chistyakov, A. V. Babichev, E. A. Kognovitskaya, A. V. Lyutetskiy, S. O. Slipchenko, N. A. Pikhtin, A. G. Gladyshev, I. I. Novikov, L. Ya. Karachinsky, A. Yu. Egorov, G. S. Sokolovskii, “Metal–dielectric mirror coatings for 4–5-μm quantum-cascade lasers”, Bull. Lebedev Physics Institute, 50:suppl. 12 (2023), S1356–S1360] |
1
|
| 3. |
К. А. Подгаецкий, А. В. Лобинцов, А. И. Данилов, А. В. Иванов, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, В. В. Дюделев, Д. А. Михайлов, Д. В. Чистяков, А. В. Бабичев, Г. М. Савченко, А. В. Лютецкий, С. О. Слипченко, Н. А. Пихтин, А. Г. Гладышев, И. И. Новиков, Л. Я. Карачинский, А. Ю. Егоров, Г. С. Соколовский, “Диэлектрические высокоотражающие зеркальные покрытия для квантовых каскадных лазеров с длиной волны излучения 4 – 5 мкм”, Квантовая электроника, 53:5 (2023), 370–373 |
1
|
|
2022 |
| 4. |
А. И. Данилов, А. В. Иванов, В. П. Коняев, Ю. В. Курнявко, М. А. Ладугин, А. В. Лобинцов, А. А. Мармалюк, С. М. Сапожников, В. А. Симаков, “Полупроводниковые лазеры с улучшенными излучательными характеристиками”, Квантовая электроника, 52:12 (2022), 1079–1087 [A. I. Danilov, A. V. Ivanov, V. P. Konyaev, Yu. V. Kurnyavko, M. A. Ladugin, A. V. Lobintsov, A. A. Marmalyuk, S. M. Sapozhnikov, V. A. Simakov, “Semiconductor lasers with improved radiation characteristics”, Bull. Lebedev Physics Institute, 50:suppl. 4 (2023), S405–S417] |
|
2020 |
| 5. |
Т. А. Багаев, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, Ю. В. Курнявко, А. В. Лобинцов, А. И. Данилов, С. М. Сапожников, В. В. Кричевский, В. П. Коняев, В. А. Симаков, С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, Н. А. Пихтин, “Тройной интегрированный лазер-тиристор”, Квантовая электроника, 50:11 (2020), 1001–1003  [T. A. Bagaev, M. A. Ladugin, A. A. Padalitsa, A. A. Marmalyuk, Yu. V. Kurnyavko, A. V. Lobintsov, A. I. Danilov, S. M. Sapozhnikov, V. V. Krichevskii, V. P. Konyaev, V. A. Simakov, S. O. Slipchenko, A. A. Podoskin, N. A. Pikhtin, “Triple integrated laser–thyristor”, Quantum Electron., 50:11 (2020), 1001–1003   ] |
3
|
| 6. |
И. С. Молодцов, Н. А. Распопов, А. В. Лобинцов, А. И. Данилов, А. Б. Крыса, И. И. Засавицкий, “Квантовый каскадный лазер с оптическими переходами “связанное состояние – квазиконтинуум”, работающий при температуре до 371 K”, Квантовая электроника, 50:8 (2020), 710–713 [I. S. Molodtsov, N. A. Raspopov, A. V. Lobintsov, A. I. Danilov, A. B. Krysa, I. I. Zasavitskii, “Quantum cascade laser with bound-to-quasi-continuum optical transitions at a temperature of up to 371 K”, Quantum Electron., 50:8 (2020), 710–713 ] |
2
|
| 7. |
К. Ю. Телегин, М. А. Ладугин, А. Ю. Андреев, И. В. Яроцкая, Н. А. Волков, А. А. Падалица, А. В. Лобинцов, А. Н. Апарников, С. М. Сапожников, А. А. Мармалюк, “Влияние легирования волновода на выходные характеристики лазерных излучателей на основе AlGaAs/GaAs”, Квантовая электроника, 50:5 (2020), 489–492 [K. Yu. Telegin, M. A. Ladugin, A. Yu. Andreev, I. V. Yarotskaya, N. A. Volkov, A. A. Padalitsa, A. V. Lobintsov, A. N. Aparnikov, S. M. Sapozhnikov, A. A. Marmalyuk, “The influence of waveguide doping on the output characteristics of AlGaAs/GaAs lasers”, Quantum Electron., 50:5 (2020), 489–492 ] |
4
|
|
2019 |
| 8. |
Т. А. Багаев, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. А. Мармалюк, Ю. В. Курнявко, А. В. Лобинцов, А. И. Данилов, С. М. Сапожников, В. В. Кричевский, М. В. Зверков, В. П. Коняев, В. А. Симаков, С. О. Слипченко, А. А. Подоскин, Н. А. Пихтин, “Двойной интегрированный лазер-тиристор”, Квантовая электроника, 49:11 (2019), 1011–1013 [T. A. Bagaev, M. A. Ladugin, A. A. Padalitsa, A. A. Marmalyuk, Yu. V. Kurnyavko, A. V. Lobintsov, A. I. Danilov, S. M. Sapozhnikov, V. V. Krichevskii, M. V. Zverkov, V. P. Konyaev, V. A. Simakov, S. O. Slipchenko, A. A. Podoskin, N. A. Pikhtin, “Double integrated laser-thyristor”, Quantum Electron., 49:11 (2019), 1011–1013 ] |
6
|
| 9. |
А. А. Мармалюк, А. В. Иванов, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, М. А. Ладугин, А. В. Лобинцов, А. А. Падалица, В. И. Романцевич, Ю. Л. Рябоштан, С. М. Сапожников, В. Н. Светогоров, В. А. Симаков, “Полупроводниковые лазеры на основе AlGaInAs/InP с повышенным электронным барьером”, Квантовая электроника, 49:6 (2019), 519–521 [A. A. Marmalyuk, A. V. Ivanov, V. D. Kurnosov, K. V. Kurnosov, M. A. Ladugin, A. V. Lobintsov, A. A. Padalitsa, V. I. Romantsevich, Yu. L. Ryaboshtan, S. M. Sapozhnikov, V. N. Svetogorov, V. A. Simakov, “AlGaInAs/InP semiconductor lasers with an increased electron barrier”, Quantum Electron., 49:6 (2019), 519–521 ] |
1
|
|
2018 |
| 10. |
М. А. Ладугин, Т. А. Багаев, А. А. Мармалюк, Ю. П. Коваль, В. П. Коняев, С. М. Сапожников, А. В. Лобинцов, В. А. Симаков, “Компактная решетка лазерных диодов на основе эпитаксиально интегрированных гетероструктур AlGaAs/GaAs”, Квантовая электроника, 48:11 (2018), 993–995 [M. A. Ladugin, T. A. Bagaev, A. A. Marmalyuk, Yu. P. Koval', V. P. Konyaev, S. M. Sapozhnikov, A. V. Lobintsov, V. A. Simakov, “Compact laser diode array based on epitaxially integrated AlGaAs/GaAs heterostructures”, Quantum Electron., 48:11 (2018), 993–995 ] |
5
|
| 11. |
И. И. Засавицкий, Н. Ю. Ковбаса, Н. А. Распопов, А. В. Лобинцов, Ю. В. Курнявко, П. В. Горлачук, А. Б. Крыса, Д. Г. Ревин, “Квантовый каскадный лазер на основе гетеропары GaInAs/AlInAs с длиной волны излучения 5.6 мкм”, Квантовая электроника, 48:5 (2018), 472–475 [I. I. Zasavitskii, N. Yu. Kovbasa, N. A. Raspopov, A. V. Lobintsov, Yu. V. Kurnyavko, P. V. Gorlachuk, A. B. Krysa, D. G. Revin, “A GaInAs/AlInAs quantum cascade laser with an emission wavelength of 5.6 μm”, Quantum Electron., 48:5 (2018), 472–475 ] |
4
|
|
2017 |
| 12. |
М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, К. Ю. Телегин, А. В. Лобинцов, С. М. Сапожников, А. И. Данилов, А. В. Подкопаев, В. А. Симаков, “Решетки лазерных диодов на основе квантоворазмерных гетероструктур AlGaAs / GaAs с КПД до 62”, Квантовая электроника, 47:8 (2017), 693–695 [M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, K. Yu. Telegin, A. V. Lobintsov, S. M. Sapozhnikov, A. I. Danilov, A. V. Podkopaev, V. A. Simakov, “Laser diode arrays based on AlGaAs/GaAs quantum-well heterostructures with an efficiency up to 62”, Quantum Electron., 47:8 (2017), 693–695 ] |
6
|
| 13. |
М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, А. А. Падалица, Т. А. Багаев, А. Ю. Андреев, К. Ю. Телегин, А. В. Лобинцов, Е. И. Давыдова, С. М. Сапожников, А. И. Данилов, А. В. Подкопаев, Е. Б. Иванова, В. А. Симаков, “Линейки лазерных диодов на основе квантоворазмерных гетероструктур AlGaAs/GaAs с КПД до 70”, Квантовая электроника, 47:4 (2017), 291–293 [M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, A. A. Padalitsa, T. A. Bagaev, A. Yu. Andreev, K. Yu. Telegin, A. V. Lobintsov, E. I. Davydova, S. M. Sapozhnikov, A. I. Danilov, A. V. Podkopaev, E. B. Ivanova, V. A. Simakov, “Laser diode bars based on AlGaAs/GaAs quantum-well heterostructures with an efficiency up to 70”, Quantum Electron., 47:4 (2017), 291–293 ] |
11
|
|
2016 |
| 14. |
А. В. Иванов, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, Ю. В. Курнявко, А. В. Лобинцов, А. С. Мешков, В. Н. Пенкин, В. И. Романцевич, М. Б. Успенский, Р. В. Чернов, “Исследование надежности полупроводниковых излучателей с различной конструкцией резонаторов”, ЖТФ, 86:10 (2016), 83–88 ; A. V. Ivanov, V. D. Kurnosov, K. V. Kurnosov, Yu. V. Kurnyavko, A. V. Lobintsov, A. S. Meshkov, V. N. Penkin, V. I. Romantsevich, M. B. Uspenskiy, R. V. Chernov, “Analysis of reliability of semiconductor emitters with different designs of cavities”, Tech. Phys., 61:10 (2016), 1525–1530 |
| 15. |
И. И. Засавицкий, А. Н. Зубов, А. Ю. Андреев, Т. А. Багаев, П. В. Горлачук, М. А. Ладугин, А. А. Падалица, А. В. Лобинцов, С. М. Сапожников, А. А. Мармалюк, “Квантовый каскадный лазер на основе гетеропары GaAs/Al<sub>0.45</sub>Ga<sub>0.55</sub>As, полученный методом МОС-гидридной эпитаксии”, Квантовая электроника, 46:5 (2016), 447–450 [I. I. Zasavitskii, A. N. Zubov, A. Yu. Andreev, T. A. Bagaev, P. V. Gorlachuk, M. A. Ladugin, A. A. Padalitsa, A. V. Lobintsov, S. M. Sapozhnikov, A. A. Marmalyuk, “Quantum cascade laser based on GaAs/Al<sub>0.45</sub>Ga<sub>0.55</sub>As heteropair grown by MOCVD”, Quantum Electron., 46:5 (2016), 447–450 ] |
4
|
|
2004 |
| 16. |
О. В. Журавлева, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, А. В. Лобинцов, В. И. Романцевич, В. А. Симаков, Р. В. Чернов, “Исследование спектральных и мощностных характеристик суперлюминесцентных диодов”, Квантовая электроника, 34:1 (2004), 15–19 [O. V. Zhuravleva, V. D. Kurnosov, K. V. Kurnosov, A. V. Lobintsov, V. I. Romantsevich, V. A. Simakov, R. V. Chernov, “Study of the spectral and power characteristics of superluminescent diodes”, Quantum Electron., 34:1 (2004), 15–19 ] |
10
|
|
2003 |
| 17. |
А. В. Иванов, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, А. В. Лобинцов, В. И. Романцевич, Р. В. Чернов, “Влияние паразитных элементов мезаполоскового лазера на его амплитудно-частотную характеристику”, Квантовая электроника, 33:5 (2003), 425–429 [A. V. Ivanov, V. D. Kurnosov, K. V. Kurnosov, A. V. Lobintsov, V. I. Romantsevich, R. V. Chernov, “Effect of parasitic elements of a ridge laser on its modulation characteristic”, Quantum Electron., 33:5 (2003), 425–429 ] |
1
|
|
2001 |
| 18. |
А. Ю. Абазадзе, В. В. Безотосный, Т. Г. Гурьева, Е. И. Давыдова, И. Д. Залевский, Г. М. Зверев, А. В. Лобинцов, А. А. Мармалюк, С. М. Сапожников, В. А. Симаков, М. Б. Успенский, В. А. Шишкин, “150-ваттные квазинепрерывные диодные линейки на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs с длиной волны 808 нм и улучшенными тепловыми параметрами”, Квантовая электроника, 31:8 (2001), 659–660 [A. Yu. Abazadze, V. V. Bezotosnyi, T. G. Gur'eva, E. I. Davydova, I. D. Zalevskii, G. M. Zverev, A. V. Lobintsov, A. A. Marmalyuk, S. M. Sapozhnikov, V. A. Simakov, M. B. Uspenskiy, V. A. Shishkin, “150-W, 808-nm quasi-cw diode arrays based on AlGaAs/GaAs heterostructures with improved thermal characteristics”, Quantum Electron., 31:8 (2001), 659–660 ] |
5
|
|
Обратная связь: