Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Шамирзаев Тимур Сезгирович
В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 17
Научных статей: 17

Статистика просмотров:
Эта страница:211
Страницы публикаций:2001
Полные тексты:560
Списки литературы:345
доктор физико-математических наук (2012)
Специальность ВАК: 01.04.10 (физика полупроводников)
E-mail:

Научная биография:

Шамирзаев, Тимур Сезгирович. Центры рекомбинации в нелегированном и сильно легированном акцепторами эпитаксиальном $GaAs$ : автореф. дис. ... канд. физ.-матем. наук : 01.04.10; Ин-т физики полупроводников. - Новосибирск, 1998. - 17 с.

Шамирзаев, Тимур Сезгирович. Рекомбинация и спиновая релаксация экситонов в полупроводниковых гетероструктурах первого рода с непрямой запрещённой зоной : дис. ... докт. физ.-матем. наук : 01.04.10; [Место защиты: Ин-т физики полупроводников им. А.В. Ржанова СО РАН]. - Новосибирск, 2012. - 329 с. : ил.

https://www.mathnet.ru/rus/person72173
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt
https://elibrary.ru/author_items.asp?authorid=21753
https://www.researchgate.net/profile/T-Shamirzaev

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2019
1. Д. С. Абрамкин, М. О. Петрушков, М. А. Путято, Б. Р. Семягин, Е. А. Емельянов, В. В. Преображенский, А. К. Гутаковский, Т. С. Шамирзаев, “Гетероструктуры с GaAs/GaP-квантовыми ямами, выращенные на Si-подложках”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019),  1167–1171  mathnet  elib; D. S. Abramkin, M. O. Petrushkov, M. A. Putyato, B. R. Semyagin, E. A. Emelyanov, V. V. Preobrazhenskii, A. K. Gutakovskii, T. S. Shamirzaev, “GaAs/GaP quantum-well heterostructures grown on Si substrates”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1143–1147 7
2. Д. С. Абрамкин, Т. С. Шамирзаев, “Полупроводниковые гетероструктуры первого рода с непрямой запрещенной зоной на подложках с ориентацией (110)”, Физика и техника полупроводников, 53:5 (2019),  710–717  mathnet  elib; D. S. Abramkin, T. S. Shamirzaev, “Type-I indirect-gap semiconductor heterostructures on (110) substrates”, Semiconductors, 53:5 (2019), 703–710 5
2018
3. Л. В. Котова, А. В. Платонов, В. Н. Кац, Т. С. Шамирзаев, R. André, В. П. Кочерешко, “Невзаимные оптические и магнитооптические эффекты в полупроводниковых квантовых ямах”, Физика твердого тела, 60:11 (2018),  2229–2235  mathnet  elib; L. V. Kotova, A. V. Platonov, V. N. Kats, T. S. Shamirzaev, R. André, V. P. Kochereshko, “Nonreciprocal optical and magnetooptical effects in semiconductor quantum wells”, Phys. Solid State, 60:11 (2018), 2269–2275 1
4. J. Debus, D. Kudlacik, V. F. Sapega, T. S. Shamirzaev, D. R. Yakovlev, D. Reuter, A. D. Wieck, A. Waag, M. Bayer, “Basic requirements of spin-flip Raman scattering on excitonic resonances and its modulation through additional high-energy illumination in semiconductor heterostructures”, Физика твердого тела, 60:8 (2018),  1583  mathnet  elib; Phys. Solid State, 60:8 (2018), 1611–1617 1
5. Т. С. Шамирзаев, “Рекомбинация и спиновая динамика экситонов в непрямозонных квантовых ямах и квантовых точках”, Физика твердого тела, 60:8 (2018),  1542–1555  mathnet  elib; T. S. Shamirzaev, “Exciton recombination and spin dynamics in indirect-gap quantum wells and quantum dots”, Phys. Solid State, 60:8 (2018), 1554–1567 10
6. Д. С. Абрамкин, М. О. Петрушков, М. А. Путято, Б. Р. Семягин, Т. С. Шамирзаев, “Гетероструктуры с InAs/AlAs квантовыми ямами и квантовыми точками, выращенные на гибридных подложках GaAs/Si”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1373–1379  mathnet  elib; D. S. Abramkin, M. O. Petrushkov, M. A. Putyato, B. R. Semyagin, T. S. Shamirzaev, “Heterostructures with InAs/AlAs quantum wells and quantum dots grown on GaAs/Si hybrid substrates”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1484–1490 2
7. Д. С. Абрамкин, А. К. Бакаров, А. К. Гутаковский, Т. С. Шамирзаев, “Спинодальный распад в InSb/AlAs-гетероструктурах”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1280–1285  mathnet  elib; D. S. Abramkin, A. K. Bakarov, A. K. Gutakovskii, T. S. Shamirzaev, “Spinodal decomposition in InSb/AlAs heterostructures”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1392–1397 5
2017
8. В. Е. Никифоров, Д. С. Абрамкин, Т. С. Шамирзаев, “Люминесценция приповерхностного гетероперехода GaAs/AlAs в гетероструктурах на основе AlAs”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017),  1565–1568  mathnet  elib; V. E. Nikiforov, D. S. Abramkin, T. S. Shamirzaev, “Luminescence of a near-surface GaAs/AlAs heterojunction in AlAs-based heterostructures”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1513–1516 4
9. Д. С. Абрамкин, А. К. Бакаров, М. А. Путято, Е. А. Емельянов, Д. А. Колотовкина, А. К. Гутаковский, Т. С. Шамирзаев, “Формирование низкоразмерных структур в гетеросистеме InSb/AlAs”, Физика и техника полупроводников, 51:9 (2017),  1282–1288  mathnet  elib; D. S. Abramkin, A. K. Bakarov, M. A. Putyato, E. A. Emelyanov, D. A. Kolotovkina, A. K. Gutakovskii, T. S. Shamirzaev, “Formation of low-dimensional structures in the InSb/AlAs heterosystem”, Semiconductors, 51:9 (2017), 1233–1239 5
2016
10. Д. С. Абрамкин, К. М. Румынин, А. К. Бакаров, Д. А. Колотовкина, А. К. Гутаковский, Т. С. Шамирзаев, “Квантовые точки, сформированные в гетеросистемах InSb/AlAs и AlSb/AlAs”, Письма в ЖЭТФ, 103:11 (2016),  785–791  mathnet  elib; D. S. Abramkin, K. M. Rumynin, A. K. Bakarov, D. A. Kolotovkina, A. K. Gutakovskii, T. S. Shamirzaev, “Quantum dots formed in InSb/AlAs and AlSb/AlAs heterostructures”, JETP Letters, 103:11 (2016), 692–698  isi  scopus 15
11. В. Т. Шамирзаев, В. А. Гайслер, Т. С. Шамирзаев, “Краевая и дефектная люминесценция мощных InGaN/GaN ультрафиолетовых светоизлучающих диодов”, Физика и техника полупроводников, 50:11 (2016),  1513–1518  mathnet  elib; V. T. Shamirzaev, V. A. Gaisler, T. S. Shamirzaev, “Edge and defect luminescence of powerful ultraviolet InGaN/GaN light-emitting diodes”, Semiconductors, 50:11 (2016), 1493–1498 2
2014
12. А. А. Лямкина, С. П. Мощенко, Д. В. Дмитриев, А. И. Торопов, Т. С. Шамирзаев, “Экситон-плазмонное взаимодействие в гибридных структурах квантовые точки–металлические кластеры, полученных методом МЛЭ”, Письма в ЖЭТФ, 99:4 (2014),  245–249  mathnet  elib; A. A. Lyamkina, S. P. Moshchenko, D. V. Dmitriev, A. I. Toropov, T. S. Shamirzaev, “Exciton-plasmon interaction in hybrid quantum dot/metal cluster structures fabricated by molecular-beam epitaxy”, JETP Letters, 99:4 (2014), 219–223  isi  elib  scopus 7
13. D. S. Abramkin, V. T. Shamirzaev, M. A. Putyato, A. K. Gutakovskii, T. S. Shamirzaev, “Coexistence of type-I and type-II band alignment in Ga(Sb,P)/GaP heterostructures with pseudomorphic self-assembled quantum dots”, Письма в ЖЭТФ, 99:2 (2014),  81–86  mathnet  isi  elib  scopus; JETP Letters, 99:2 (2014), 76–81  isi  elib  scopus 9
2012
14. T. S. Shamirzaev, D. S. Abramkin, A. K. Gutakovskii, M. A. Putyato, “Novel self-assembled quantum dots in the GaSb/AlAs heterosystem”, Письма в ЖЭТФ, 95:10 (2012),  601–603  mathnet  isi  elib  scopus; JETP Letters, 95:10 (2012), 534–536  isi  elib  scopus 12
2011
15. Т. С. Шамирзаев, Д. В. Дмитриев, Л. Л. Свешникова, П. Тронк, “Безызлучательный перенос экситонов по механизму Фёрстера в гибридных структурах КТ InAs/AlAs – молекулы красителя”, Письма в ЖЭТФ, 94:10 (2011),  828–831  mathnet  elib; T. S. Shamirzaev, D. V. Dmitriev, L. L. Sveshnikova, P. Tronc, “Nonradiative exciton transfer by the Förster mechanism from InAs/AlAs quantum dots to dye molecules in hybrid structures”, JETP Letters, 94:10 (2011), 764–767  isi  elib  scopus 4
2003
16. А. В. Ефанов, К. С. Журавлев, Т. С. Шамирзаев, В. Кельнер, Х. Пашер, “Наблюдение эффектов обменного взаимодействия при оптической ориентации экситонов в AlGaAs”, Письма в ЖЭТФ, 77:10 (2003),  664–667  mathnet; A. V. Efanov, K. S. Zhuravlev, T. S. Shamirzaev, W. Kellner, H. Pasher, “Observation of exchange interaction effects under optical orientation of excitons in AlGaAs”, JETP Letters, 77:10 (2003), 561–564  scopus 1
17. Т. С. Шамирзаев, А. М. Гилинский, А. К. Бакаров, А. И. Торопов, Д. А. Тэннэ, К. С. Журавлев, К. фон Борцисковски, Д. Цан, “Миллисекундная кинетика фотолюминесценции в системе прямозонных квантовых точек InAs в матрице AlAs”, Письма в ЖЭТФ, 77:7 (2003),  459–463  mathnet; T. S. Shamirzaev, A. M. Gilinskii, A. K. Bakarov, A. I. Toropov, D. A. Tenne, K. S. Zhuravlev, C. von Borczyskowski, D. Zahn, “Millisecond photoluminescence kinetics in a system of direct-bandgap InAs quantum dots in an AlAs matrix”, JETP Letters, 77:7 (2003), 389–392  scopus 29

Организации
 
  Обратная связь:
  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024