Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 11, страницы 1565–1568
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.11.45112.26 (Mi phts6009) 		 
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

XXI Международный симпозиум ''Нанофизика и наноэлектроника'', Нижний Новгород, 13-16 марта 2017 г.

Люминесценция приповерхностного гетероперехода GaAs/AlAs в гетероструктурах на основе AlAs

В. Е. Никифоровa, Д. С. Абрамкинab, Т. С. Шамирзаевabc

a Новосибирский государственный университет
b Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
c Уральский федеральный университет, г. Екатеринбург
PDF полного текста (649 kB) Список цитирования (4)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.11.45112.26
Аннотация: Высокая реакционная способность алюминия приводит к тому, что поверхность гетероструктур на основе AlAs необходимо защищать от окисления слоем GaAs. В результате в приповерхностной области таких гетероструктур всегда есть гетеропереход GaAs/AlAs. В работе показано, что при нерезонансном оптическом возбуждении структур с этим гетеропереходом связана полоса фотолюминесценции, интенсивность которой определяется толщиной и типом легирования защитного слоя GaAs.
Поступила в редакцию: 27.04.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 11, Pages 1513–1516
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617110203
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. Е. Никифоров, Д. С. Абрамкин, Т. С. Шамирзаев, “Люминесценция приповерхностного гетероперехода GaAs/AlAs в гетероструктурах на основе AlAs”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1565–1568; Semiconductors, 51:11 (2017), 1513–1516
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{NikAbrSha17}
\by В.~Е.~Никифоров, Д.~С.~Абрамкин, Т.~С.~Шамирзаев
\paper Люминесценция приповерхностного гетероперехода GaAs/AlAs в гетероструктурах на основе AlAs
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 11
\pages 1565--1568
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6009}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.11.45112.26}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=30546403}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 11
\pages 1513--1516
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617110203}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6009
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i11/p1565
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:36
    PDF полного текста:8
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024