Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 5, страницы 710–717
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.05.47569.9018 (Mi phts5525) 		 
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления

Полупроводниковые гетероструктуры первого рода с непрямой запрещенной зоной на подложках с ориентацией (110)

Д. С. Абрамкинab, Т. С. Шамирзаевabc

a Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН, г. Новосибирск
b Новосибирский государственный университет
c Уральский федеральный университет, Екатеринбург, Россия
PDF полного текста (243 kB) Список цитирования (5)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.05.47569.9018
Аннотация: Гетероструктуры первого рода с непрямой запрещенной зоной являются удобными объектами для исследования спиновой динамики локализованных экситонов, изучение которой в других типах гетероструктур затруднительно. В работе показано, что структуры с таким энергетическим спектром могут быть сформированы из бинарных соединений А$^{\mathrm{III}}$В$^{\mathrm{V}}$ на подложках ориентации (110). Обсуждается влияние распределения механических напряжений и структуры зоны проводимости в пространстве квазиимпульсов на энергетический спектр электронных состояний в гетероструктурах.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 02.A03.21.0006
Российский фонд фундаментальных исследований 16-32-60015 мол_а_дк
19-02-00098
19-52-12001
Работа выполнена при финансовой поддержке в рамках постановления № 211 правительства Российской Федерации, контракт № 02.A03.21.0006, РФФИ (проекты № 16-32-60015 мол_а_дк, № 19-02-00098 и № 19-52-12001).
Поступила в редакцию: 07.11.2018
Исправленный вариант: 10.12.2018
Принята в печать: 17.12.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 5, Pages 703–710
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619050026
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Д. С. Абрамкин, Т. С. Шамирзаев, “Полупроводниковые гетероструктуры первого рода с непрямой запрещенной зоной на подложках с ориентацией (110)”, Физика и техника полупроводников, 53:5 (2019), 710–717; Semiconductors, 53:5 (2019), 703–710
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AbrSha19}
\by Д.~С.~Абрамкин, Т.~С.~Шамирзаев
\paper Полупроводниковые гетероструктуры первого рода с непрямой запрещенной зоной на подложках с ориентацией (110)
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 5
\pages 710--717
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5525}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.05.47569.9018}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=37644663}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 5
\pages 703--710
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619050026}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5525
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i5/p710
    • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025