|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
А. Ф. Зиновьева, В. А. Зиновьев, А. В. Ненашев, А. А. Шкляев, Л. В. Кулик, А. В. Двуреченский, “Электронный парамагнитный резонанс в структурах с кольцевыми молекулами GeSi квантовых точек”, Письма в ЖЭТФ, 113:1 (2021), 58–62   ; A. F. Zinovieva, V. A. Zinovyev, A. V. Nenashev, A. A. Shklyaev, L. V. Kulik, A. V. Dvurechenskii, “Electron spin resonance in heterostructures with ring molecules of GeSi quantum dots”, JETP Letters, 113:1 (2021), 52–56   |
1
|
| 2. |
Д. С. Абрамкин, М. О. Петрушков, Е. А. Емельянов, А. В. Ненашев, М. Ю. Есин, А. В. Васев, М. А. Путято, Д. Б. Богомолов, А. К. Гутаковский, В. В. Преображенский, “Формирование InAs/GaP-гетероструктур с квантовыми ямами на подложках кремния методом молекулярно-лучевой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021), 139–146 ; D. S. Abramkin, M. O. Petrushkov, E. A. Emelyanov, A. V. Nenashev, M. Yu. Yesin, A. V. Vasev, M. A. Putyato, D. B. Bogomolov, A. K. Gutakovskii, V. V. Preobrazhenskii, “Formation of InAs/GaP heterostructures with quantum wells on silicon substrates by molecular beam epitaxy”, Semiconductors, 55:2 (2021), 194–201 |
3
|
|
2020 |
| 3. |
Ж. В. Смагина, А. В. Новиков, М. В. Степихова, В. А. Зиновьев, Е. Е. Родякина, А. В. Ненашев, С. М. Сергеев, А. В. Перетокин, П. А. Кучинская, М. В. Шалеев, С. А. Гусев, А. В. Двуреченский, “Люминесценция пространственно упорядоченных одиночных и групп самоформирующихся Ge(Si) наноостровков, встроенных в фотонные кристаллы”, Физика и техника полупроводников, 54:8 (2020), 708–715 ; Zh. V. Smagina, A. V. Novikov, M. V. Stepikhova, V. A. Zinov'ev, E. E. Rodyakina, A. V. Nenashev, S. M. Sergeev, A. V. Peretokin, P. A. Kuchinskaya, M. V. Shaleev, S. A. Gusev, A. V. Dvurechenskii, “Luminescence of spatially ordered self-assembled solitary Ge(Si) nanoislands and their groups incorporated into photonic crystals”, Semiconductors, 54:8 (2020), 853–859 |
6
|
|
2018 |
| 4. |
А. В. Ненашев, А. В. Двуреченский, “Аналитическое выражение для распределения упругой деформации, создаваемой включением в форме многогранника с произвольной собственной деформацией”, Физика твердого тела, 60:9 (2018), 1761–1766 ; A. V. Nenashev, A. V. Dvurechenskii, “Analytical expression for the distribution of elastic strain created by a polyhedral inclusion with arbitrary eigenstrain”, Phys. Solid State, 60:9 (2018), 1807–1812 |
1
|
| 5. |
С. А. Рудин, Ж. В. Смагина, В. А. Зиновьев, П. Л. Новиков, А. В. Ненашев, Е. Е. Родякина, А. В. Двуреченский, “Зарождение трехмерных островков Ge на структурированной поверхности Si(100)”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1346–1350 ; S. A. Rudin, Zh. V. Smagina, V. A. Zinov'ev, P. L. Novikov, A. V. Nenashev, E. E. Rodyakina, A. V. Dvurechenskii, “Nucleation of three-dimensional Ge islands on a patterned Si(100) surface”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1457–1461 |
5
|
|
2017 |
| 6. |
Н. П. Степина, А. В. Ненашев, А. В. Двуреченский, “Эффект Холла в прыжковой проводимости по ансамблю квантовых точек”, Письма в ЖЭТФ, 106:5 (2017), 288–292 ; N. P. Stepina, A. V. Nenashev, A. V. Dvurechenskii, “Hall effect in hopping conduction in an ensemble of quantum dots”, JETP Letters, 106:5 (2017), 308–312 |
1
|
|
2016 |
| 7. |
А. Ф. Зиновьева, В. А. Зиновьев, А. И. Никифоров, В. А. Тимофеев, А. В. Мудрый, А. В. Ненашев, А. В. Двуреченский, “Усиление фотолюминесценции в гетероструктурах Ge/Si с двойными квантовыми точками”, Письма в ЖЭТФ, 104:12 (2016), 845–848 ; A. F. Zinovieva, V. A. Zinovyev, A. I. Nikiforov, V. A. Timofeev, A. V. Mudryi, A. V. Nenashev, A. V. Dvurechenskii, “Photoluminescence enhancement in double Ge/Si quantum dot structures”, JETP Letters, 104:12 (2016), 823–826 |
13
|
|
2015 |
| 8. |
Н. П. Степина, И. А. Верхушин, А. В. Ненашев, А. В. Двуреченский, “Температурно-стимулированный переход от макро- к мезоскопическому поведению прыжковой проводимости по ансамблю квантовых точек”, Письма в ЖЭТФ, 102:5 (2015), 344–347 ; N. P. Stepina, I. A. Verkhushin, A. V. Nenashev, A. V. Dvurechenskii, “Temperature-stimulated transition from a macroscopic to a mesoscopic behavior of the hopping conductivity in a quantum-dot ensemble”, JETP Letters, 102:5 (2015), 312–315 |
| 9. |
A. F. Zinovieva, Zh. V. Smagina, A. V. Nenashev, L. V. Kulik, A. V. Dvurechenskii, “Unusual narrowing of the ESR line width in ordered structures with linear chains of Ge/Si quantum dots”, Письма в ЖЭТФ, 102:2 (2015), 120–124 ; JETP Letters, 102:2 (2015), 108–112 |
8
|
|
2011 |
| 10. |
А. Ю. Горнов, А. В. Двуреченский, Т. С. Зароднюк, А. Ф. Зиновьева, А. В. Ненашев, “Задача оптимального управления в системе полупроводниковых квантовых точек”, Автомат. и телемех., 2011, № 6, 108–114   ; A. Yu. Gornov, A. V. Dvurechenskii, T. S. Zarodnyuk, A. F. Zinov'eva, A. V. Nenashev, “Problem of optimal control in the system of semiconductor quantum points”, Autom. Remote Control, 72:6 (2011), 1242–1247 |
4
|
| 11. |
А. Ю. Горнов, А. В. Двуреченский, Т. С. Зароднюк, А. Ф. Зиновьева, А. В. Ненашев, “Вычислительная технология оптимизации двумерного управляющего импульса напряжения в системе квантовых точек”, Программные системы: теория и приложения, 2:1 (2011), 27–38 |
|
2007 |
| 12. |
А. И. Якимов, Г. Ю. Михалёв, А. В. Ненашев, А. В. Двуреченский, “Дырочные состояния в искусственных молекулах, образованных вертикально сопряженными квантовыми точками Ge/Si”, Письма в ЖЭТФ, 85:9 (2007), 527–532 ; A. I. Yakimov, G. Yu. Mikhalev, A. V. Nenashev, A. V. Dvurechenskii, “Hole states in artificial molecules formed by vertically coupled Ge/Si quantum dots”, JETP Letters, 85:9 (2007), 429–433 |
7
|
|
2006 |
| 13. |
А. И. Якимов, А. В. Двуреченский, А. А. Блошкин, А. В. Ненашев, “Связывание электронных состояний в многослойных напряженных гетероструктурах Ge/Si с квантовыми точками 2-го типа”, Письма в ЖЭТФ, 83:4 (2006), 189–194 ; A. I. Yakimov, A. V. Dvurechenskii, A. A. Bloshkin, A. V. Nenashev, “Binding of electron states in multilayer strained Ge/Si heterostructures with type-II quantum dots”, JETP Letters, 83:4 (2006), 156–161 |
12
|
|
2005 |
| 14. |
А. Ф. Зиновьева, А. В. Ненашев, А. В. Двуреченский, “Спиновая релаксация дырок в Ge квантовых точках”, Письма в ЖЭТФ, 82:5 (2005), 336–340 ; A. F. Zinov'eva, A. V. Nenashev, A. V. Dvurechenskii, “Hole spin relaxation in Ge quantum dots”, JETP Letters, 82:5 (2005), 302–305 |
9
|
|
2003 |
| 15. |
Н. П. Степина, А. И. Якимов, А. В. Ненашев, А. В. Двуреченский, А. И. Никифоров, “Прыжковая фотопроводимость и ее долговременная кинетика в гетеросистеме с квантовыми точками Ge в Si”, Письма в ЖЭТФ, 78:9 (2003), 1077–1081 ; N. P. Stepina, A. I. Yakimov, A. V. Nenashev, A. V. Dvurechenskii, A. I. Nikiforov, “Hopping photoconduction and its long-time kinetics in a heterosystem with Ge quantum dots in Si”, JETP Letters, 78:9 (2003), 587–591 |
2
|
| 16. |
А. И. Якимов, А. В. Ненашев, А. В. Двуреченский, М. Н. Тимонова, “Многоэлектронные кулоновские корреляции в прыжковом транспорте вдоль слоев квантовых точек”, Письма в ЖЭТФ, 78:4 (2003), 276–280 ; A. I. Yakimov, A. V. Nenashev, A. V. Dvurechenskii, M. N. Timonova, “Many-electron Coulomb correlations in hopping transport along layers of quantum dots”, JETP Letters, 78:4 (2003), 241–245 |
3
|
|
|
|
2023 |
| 17. |
В. Боровков, Е. Жданов, С. Лежнин, М. Махмудиан, А. Ненашев, Е. Пальчиков, А. Погосов, Д. Похабов, Г. Федотович, “Новосибирский государственные университет”, Квант, 2023, № 10, 52–58 |
|
2022 |
| 18. |
В. Боровков, Е. Жданов, С. Лежнин, М. Махмудиан, А. Ненашев, Е. Пальчиков, А. Погосов, Д. Похабов, Г. Федотович, “Новосибирский государственный университет”, Квант, 2022, № 8, 48–54 |
|
2021 |
| 19. |
В. Боровков, Е. Жданов, А. Киприянов, С. Лежнин, М. Махмудиан, А. Ненашев, Е. Пальчиков, А. Погосов, Д. Похабов, Г. Федотович, “Новосибирский государственный университет”, Квант, 2021, № 11-12, 37–41 |
|
2020 |
| 20. |
В. Боровков, Е. Жданов, А. Киприянов, С. Лежнин, М. Махмудиан, А. Ненашев, Е. Пальчиков, А. Погосов, Д. Похабов, Г. Федотович, “Новосибирский государственный университет”, Квант, 2020, № 10, 46–53 |
|
2019 |
| 21. |
В. Боровков, Е. Жданов, А. Киприянов, С. Лежнин, М. Махмудиан, А. Ненашев, Е. Пальчиков, А. Погосов, Д. Похабов, Г. Федотович, “Новосибирский государственный
университет”, Квант, 2019, № 11, 41–51 |
|
2018 |
| 22. |
В. Баткин, В. Боровков, Е. Жданов, А. Киприянов, С. Лежнин, М. Махмудиан, А. Ненашев, Е. Пальчиков, А. Погосов, Д. Похабов, Г. Федотович, “Новосибирский государственный университет”, Квант, 2018, № 10, 43–50 |
|
2017 |
| 23. |
В. Баткин, В. Боровков, В. Дубровский, Е. Жданов, А. Киприянов, С. Лежнин, М. Махмудиан, А. Ненашев, Е. Пальчиков, А. Погосов, Д. Похабов, Г. Федотович, “Новосибирский государственный университет”, Квант, 2017, № 10, 46–51 |
|
Обратная связь: