|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
Н. Н. Агеева, И. Л. Броневой, Д. Н. Забегаев, А. Н. Кривоносов, “Влияние разогрева носителей заряда собственным стимулированным пикосекундным излучением в GaAs на линейное возрастание на фронте и длительность спектральной компоненты этого излучения”, Физика и техника полупроводников, 55:5 (2021), 434–440   ; N. N. Ageeva, I. L. Bronevoi, D. N. Zabegaev, A. N. Krivonosov, “Effect of carrier heating by intrinsic stimulated picosecond emission in GaAs on a linear increase at the front and the duration of the spectral component of this emission”, Semiconductors, 55:5 (2021), 476–481 |
5
|
| 2. |
Н. Н. Агеева, И. Л. Броневой, Д. Н. Забегаев, А. Н. Кривоносов, “Длины усиления спектральных компонент собственного стимулированного пикосекундного излучения, зависимость от них характерного времени релаксации указанных компонент и связь спектров стимулированного и спонтанного излучений в GaAs”, Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021), 121–126 ; N. N. Ageeva, I. L. Bronevoi, D. N. Zabegaev, A. N. Krivonosov, “Amplification lengths of spectral components of intrinsic stimulated picosecond emission. Dependence of the characteristic relaxation time of these components on their amplification lengths. Relation between stimulated and spontaneous emission spectra in GaAs”, Semiconductors, 55:2 (2021), 162–167 |
3
|
| 3. |
Н. Н. Агеева, И. Л. Броневой, Д. Н. Забегаев, А. Н. Кривоносов, “Влияние на длительность пикосекундного стимулированного излучения GaAs разогрева носителей заряда этим излучением”, Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021), 113–120 ; N. N. Ageeva, I. L. Bronevoi, D. N. Zabegaev, A. N. Krivonosov, “Effect of carrier heating by the GaAs picosecond stimulated emission on duration of emission”, Semiconductors, 55:2 (2021), 154–161 |
6
|
|
2020 |
| 4. |
Н. Н. Агеева, И. Л. Броневой, Д. Н. Забегаев, А. Н. Кривоносов, ““Брэгговская” решетка заселенности электронов, наводимая в гетероструктуре Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As–GaAs–Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As ее собственным стимулированным пикосекундным излучением”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1018–1028 ; N. N. Ageeva, I. L. Bronevoi, D. N. Zabegaev, A. N. Krivonosov, “Electron-population Bragg grating induced in an Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As–GaAs–Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As heterostructure by intrinsic stimulated picosecond emission”, Semiconductors, 54:10 (2020), 1205–1214 |
5
|
| 5. |
Н. Н. Агеева, И. Л. Броневой, Д. Н. Забегаев, А. Н. Кривоносов, “Антикорреляция интенсивности стимулированного пикосекундного излучения GaAs и характерного времени остывания носителей заряда”, Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020), 25–30 ; N. N. Ageeva, I. L. Bronevoi, D. N. Zabegaev, A. N. Krivonosov, “Anticorrelation between the intensity of stimulated picosecond emission in GaAs and the characteristic time of charge-carrier cooling”, Semiconductors, 54:1 (2020), 22–27 |
6
|
|
2019 |
| 6. |
Н. Н. Агеева, И. Л. Броневой, Д. Н. Забегаев, А. Н. Кривоносов, “Связь релаксации собственного стимулированного пикосекундного излучения GaAs с характерным временем остывания носителей заряда”, Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019), 1471–1478 ; N. N. Ageeva, I. L. Bronevoi, D. N. Zabegaev, A. N. Krivonosov, “Relation between the relaxation of intrinsic stimulated picosecond emission from GaAs with a characteristic charge-carrier cooling time”, Semiconductors, 53:11 (2019), 1431–1438 |
9
|
|
2017 |
| 7. |
Н. Н. Агеева, И. Л. Броневой, Д. Н. Забегаев, А. Н. Кривоносов, “Пикосекундная релаксация перенормировки запрещенной зоны GaAs, вызванной кулоновским взаимодействием носителей заряда”, Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017), 594–599 ; N. N. Ageeva, I. L. Bronevoi, D. N. Zabegaev, A. N. Krivonosov, “Picosecond relaxation of band-gap renormalization induced by the Coulomb interaction of charge carriers in GaAs”, Semiconductors, 51:5 (2017), 565–570 |
7
|
|
2016 |
| 8. |
Н. Н. Агеева, И. Л. Броневой, Д. Н. Забегаев, А. Н. Кривоносов, “Автосинхронизация модуляции заселенности энергетических уровней электронами, создаваемой пикосекундными импульсами зондирующего и собственного стимулированного излучений в GaAs”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016), 1333–1342 ; N. N. Ageeva, I. L. Bronevoi, D. N. Zabegaev, A. N. Krivonosov, “Self-synchronization of the modulation of energy-levels population with electrons in GaAs induced by picosecond pulses of probe radiation and intrinsic stimulated emission”, Semiconductors, 50:10 (2016), 1312–1321 |
3
|
|
Обратная связь: