|
Эта публикация цитируется в 7 научных статьях (всего в 7 статьях)
Электронные свойства полупроводников
Пикосекундная релаксация перенормировки запрещенной зоны GaAs, вызванной кулоновским взаимодействием носителей заряда
Н. Н. Агеева, И. Л. Броневой, Д. Н. Забегаев, А. Н. Кривоносов Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, г. Москва
Аннотация:
Экспериментально исследовалась динамика длинноволнового края спектра собственного стимулированного пикосекундного излучения, возникающего во время пикосекундной накачки GaAs. Обнаружен дефицит перенормировки запрещенной зоны, вызванной кулоновским взаимодействием носителей заряда, по сравнению с перенормировкой в квазистационарном состоянии. Предполагается, что дефицит обусловлен тем, что в условиях настоящего эксперимента время релаксации перенормировки относится к пикосекундному диапазону.
Поступила в редакцию: 28.09.2016 Принята в печать: 07.11.2016
Образец цитирования:
Н. Н. Агеева, И. Л. Броневой, Д. Н. Забегаев, А. Н. Кривоносов, “Пикосекундная релаксация перенормировки запрещенной зоны GaAs, вызванной кулоновским взаимодействием носителей заряда”, Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017), 594–599; Semiconductors, 51:5 (2017), 565–570
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6151 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i5/p594
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 27 | PDF полного текста: | 8 |
|