|
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)
Поверхность, границы раздела, тонкие пленки
Влияние разогрева носителей заряда собственным стимулированным пикосекундным излучением в GaAs на линейное возрастание на фронте и длительность спектральной компоненты этого излучения
Н. Н. Агеева, И. Л. Броневой, Д. Н. Забегаев, А. Н. Кривоносов Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, г. Москва
Аннотация:
Во время мощной оптической пикосекундной накачки тонкого слоя GaAs, входящего в состав гетероструктуры Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As-GaAs-Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As, в нем возникает интенсивное стимулированное пикосекундное излучение. При анализе измеренных в реальном времени импульсов спектральных компонент излучения установлены коэффициенты экспоненциального, потом линейного усиления компонент на фронте. При этом обнаружено влияние на фронт компонент, оказываемое нагревом носителей заряда излучением. Получена зависимость длительности компоненты (FWHM) от характерных времен возрастания на фронте и релаксации (тоже замедленной нагревом носителей излучением) на спаде компоненты. Ключевые слова: стимулированное пикосекундное излучение, арсенид галлия, спектральные компоненты излучения, коэффициент усиления, характерное время возрастания излучения, характерное время релаксации излучения, разогрев носителей заряда, линейное усиление.
Ключевые слова:
стимулированное пикосекундное излучение, арсенид галлия, спектральные компоненты излучения, коэффициент усиления, характерное время возрастания излучения, характерное время релаксации излучения, разогрев носителей заряда, линейное усиление.
Поступила в редакцию: 17.12.2020 Исправленный вариант: 17.01.2021 Принята в печать: 25.01.2021
Образец цитирования:
Н. Н. Агеева, И. Л. Броневой, Д. Н. Забегаев, А. Н. Кривоносов, “Влияние разогрева носителей заряда собственным стимулированным пикосекундным излучением в GaAs на линейное возрастание на фронте и длительность спектральной компоненты этого излучения”, Физика и техника полупроводников, 55:5 (2021), 434–440; Semiconductors, 55:5 (2021), 476–481
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5038 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i5/p434
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 48 | PDF полного текста: | 17 |
|