Влияние разогрева носителей заряда собственным стимулированным пикосекундным излучением в GaAs на линейное возрастание на фронте и длительность спектральной компоненты этого излучения

Во время мощной оптической пикосекундной накачки тонкого слоя GaAs, входящего в состав гетероструктуры Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As-GaAs-Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As, в нем возникает интенсивное стимулированное пикосекундное излучение. При анализе измеренных в реальном времени импульсов спектральных компонент излучения установлены коэффициенты экспоненциального, потом линейного усиления компонент на фронте. При этом обнаружено влияние на фронт компонент, оказываемое нагревом носителей заряда излучением. Получена зависимость длительности компоненты (FWHM) от характерных времен возрастания на фронте и релаксации (тоже замедленной нагревом носителей излучением) на спаде компоненты. Ключевые слова: стимулированное пикосекундное излучение, арсенид галлия, спектральные компоненты излучения, коэффициент усиления, характерное время возрастания излучения, характерное время релаксации излучения, разогрев носителей заряда, линейное усиление.