Антикорреляция интенсивности стимулированного пикосекундного излучения GaAs и характерного времени остывания носителей заряда

Во время мощной пикосекундной оптической накачки в тонком слое GaAs возникает интенсивное стимулированное пикосекундное излучение. Обнаружено, что, во-первых, максимальная интенсивность излучения уменьшается при увеличении диаметра луча накачки (плотность энергии накачки фиксирована). Во-вторых, эта зависимость антикоррелирует с зависимостью от диаметра характерного времени релаксации излучения. Это время связано с характерным временем остывания носителей заряда, замедляемым из-за разогрева носителей излучением. В итоге выявляется указанная в заглавии автокорреляция.