|
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)
Электронные свойства полупроводников
Антикорреляция интенсивности стимулированного пикосекундного излучения GaAs и характерного времени остывания носителей заряда
Н. Н. Агеева, И. Л. Броневой, Д. Н. Забегаев, А. Н. Кривоносов Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, г. Москва
Аннотация:
Во время мощной пикосекундной оптической накачки в тонком слое GaAs возникает интенсивное стимулированное пикосекундное излучение. Обнаружено, что, во-первых, максимальная интенсивность излучения уменьшается при увеличении диаметра луча накачки (плотность энергии накачки фиксирована). Во-вторых, эта зависимость антикоррелирует с зависимостью от диаметра характерного времени релаксации излучения. Это время связано с характерным временем остывания носителей заряда, замедляемым из-за разогрева носителей излучением. В итоге выявляется указанная в заглавии автокорреляция.
Ключевые слова:
стимулированное пикосекундное излучение, остывание носителей заряда, насыщение усиления, закон Бугера.
Поступила в редакцию: 10.07.2019 Исправленный вариант: 05.08.2019 Принята в печать: 20.08.2019
Образец цитирования:
Н. Н. Агеева, И. Л. Броневой, Д. Н. Забегаев, А. Н. Кривоносов, “Антикорреляция интенсивности стимулированного пикосекундного излучения GaAs и характерного времени остывания носителей заряда”, Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020), 25–30; Semiconductors, 54:1 (2020), 22–27
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5295 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i1/p25
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 49 | PDF полного текста: | 27 |
|