Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 11, страницы 1471–1478
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.11.48442.9105
(Mi phts5351)
 

Эта публикация цитируется в 9 научных статьях (всего в 9 статьях)

Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Связь релаксации собственного стимулированного пикосекундного излучения GaAs с характерным временем остывания носителей заряда

Н. Н. Агеева, И. Л. Броневой, Д. Н. Забегаев, А. Н. Кривоносов

Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, г. Москва
Аннотация: Во время мощной пикосекундной оптической накачки тонкого ($\sim$1 мкм) слоя GaAs в нем возникает интенсивное (до 1 ГВт/см$^{2}$) стимулированное пикосекундное излучение. Обнаружено, что при фиксированной плотности энергии импульса накачки с увеличением его диаметра растет характерное пикосекундное время релаксации излучения и плотности носителей $\tau_{r}$. Вследствие взаимосвязи плотности и температуры носителей при высокоинтенсивном излучении (в состоянии насыщения усиления излучения) $\tau_{r}$ связано с характерным временем релаксации температуры фотонакачанных носителей $\tau_{T}$, определенным ранее теоретически с учетом разогрева носителей излучением. Следующее из этого аналитическое выражение для $\tau_{r}$ как функции $\tau_{T}$ согласуется с вышеуказанными экспериментальными результатами.
Ключевые слова: релаксация стимулированного излучения, пикосекундное, остывание носителей заряда.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации
Работа выполнена в рамках государственного задания.
Поступила в редакцию: 18.03.2019
Исправленный вариант: 09.04.2019
Принята в печать: 23.05.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 11, Pages 1431–1438
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619110022
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. Н. Агеева, И. Л. Броневой, Д. Н. Забегаев, А. Н. Кривоносов, “Связь релаксации собственного стимулированного пикосекундного излучения GaAs с характерным временем остывания носителей заряда”, Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019), 1471–1478; Semiconductors, 53:11 (2019), 1431–1438
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AgeBroZab19}
\by Н.~Н.~Агеева, И.~Л.~Броневой, Д.~Н.~Забегаев, А.~Н.~Кривоносов
\paper Связь релаксации собственного стимулированного пикосекундного излучения GaAs с характерным временем остывания носителей заряда
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 11
\pages 1471--1478
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5351}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.11.48442.9105}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=41300645}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 11
\pages 1431--1438
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619110022}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5351
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i11/p1471
  • Эта публикация цитируется в следующих 9 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024