Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 10, страницы 1333–1342 (Mi phts6335)  

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Автосинхронизация модуляции заселенности энергетических уровней электронами, создаваемой пикосекундными импульсами зондирующего и собственного стимулированного излучений в GaAs

Н. Н. Агеева, И. Л. Броневой, Д. Н. Забегаев, А. Н. Кривоносов

Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, г. Москва
Аннотация: Пикосекундная оптическая накачка приводила к разгоранию собственного пикосекундного стимулированного излучения в GaAs. Как установлено ранее, из-за взаимодействия импульсов зондирующего и собственного излучений зависимость поглощения в GaAs зондирующего импульса $\alpha$ от его задержки относительно накачки $\tau$ модулировалась осцилляциями. Обнаружено, что осциллирующие зависимости $\alpha(\tau)$ имеют схожую форму только при определенных сочетаниях энергий взаимодействующих импульсов. Отсюда предполагается, что взаимодействие – это синхронизация создаваемых импульсами модуляций заселенностей носителей заряда, происходящая в направлении восстановления детального равновесия. Впервые измерена в реальном времени пикосекундная автомодуляция поглощения $\alpha$. Ее характеристики и характеристики автомодуляции поглощения $\alpha$ и собственного излучения, ранее измеренные корреляционными методами, объясняются на основе представления о синхронизации.
Поступила в редакцию: 24.03.2016
Принята в печать: 25.03.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 10, Pages 1312–1321
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378261610002X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. Н. Агеева, И. Л. Броневой, Д. Н. Забегаев, А. Н. Кривоносов, “Автосинхронизация модуляции заселенности энергетических уровней электронами, создаваемой пикосекундными импульсами зондирующего и собственного стимулированного излучений в GaAs”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016), 1333–1342; Semiconductors, 50:10 (2016), 1312–1321
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AgeBroZab16}
\by Н.~Н.~Агеева, И.~Л.~Броневой, Д.~Н.~Забегаев, А.~Н.~Кривоносов
\paper Автосинхронизация модуляции заселенности энергетических уровней электронами, создаваемой пикосекундными импульсами зондирующего и собственного стимулированного излучений в GaAs
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 10
\pages 1333--1342
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6335}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27369009}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 10
\pages 1312--1321
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378261610002X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6335
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i10/p1333
  • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:36
    PDF полного текста:15
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024