Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 2, страницы 113–120
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.02.50495.9510 (Mi phts5074) 		 
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Влияние на длительность пикосекундного стимулированного излучения GaAs разогрева носителей заряда этим излучением

Н. Н. Агеева, И. Л. Броневой, Д. Н. Забегаев, А. Н. Кривоносов

Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, Москва, Россия
PDF полного текста (180 kB) Список цитирования (6)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.02.50495.9510
Аннотация: Сравниваются измеренные в реальном времени огибающие мощной пикосекундной оптической накачки и собственного стимулированного пикосекундного излучения тонкого слоя GaAs. Объяснение превышения длительности излучения над длительностью накачки базируется на отрицательной обратной связи между интенсивностью излучения и разогревом носителей этим излучением. Главным параметром указанного превышения длительности является характерное время охлаждения носителей заряда, замедляемое из-за разогрева носителей излучением. Отмечается влияние этого времени и на перенормировку запрещенной зоны из-за кулоновского взаимодействия носителей. Та часть представления о пикосекундной динамике интенсивного стимулированного излучения GaAs, которая получена к настоящему моменту в наших с соавторами работах, дана в Заключении.
Ключевые слова: стимулированное пикосекундное излучение, длительность пикосекундного излучения, разогрев носителей заряда излучением, время охлаждения носителей заряда, энергетический транспорт носителей заряда, перенормировка запрещенной зоны, пикосекундная динамика излучения.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации
Работа выполнена в рамках государственного задания.
Поступила в редакцию: 19.08.2020
Исправленный вариант: 30.08.2020
Принята в печать: 09.09.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2021, Volume 55, Issue 2, Pages 154–161
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782621020056
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. Н. Агеева, И. Л. Броневой, Д. Н. Забегаев, А. Н. Кривоносов, “Влияние на длительность пикосекундного стимулированного излучения GaAs разогрева носителей заряда этим излучением”, Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021), 113–120; Semiconductors, 55:2 (2021), 154–161
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AgeBroZab21}
\by Н.~Н.~Агеева, И.~Л.~Броневой, Д.~Н.~Забегаев, А.~Н.~Кривоносов
\paper Влияние на длительность пикосекундного стимулированного излучения GaAs разогрева носителей заряда этим излучением
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 2
\pages 113--120
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5074}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2021.02.50495.9510}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=44859594}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2021
\vol 55
\issue 2
\pages 154--161
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782621020056}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5074
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i2/p113
    • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:42
    PDF полного текста:14
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024