Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 2, страницы 121–126
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.02.50496.9526
(Mi phts5075)
 

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Спектроскопия, взаимодействие с излучениями

Длины усиления спектральных компонент собственного стимулированного пикосекундного излучения, зависимость от них характерного времени релаксации указанных компонент и связь спектров стимулированного и спонтанного излучений в GaAs

Н. Н. Агеева, И. Л. Броневой, Д. Н. Забегаев, А. Н. Кривоносов

Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова РАН, Москва, Россия
Аннотация: При мощной пикосекундной оптической накачке тонкого слоя GaAs в нем образуется интенсивное пикосекундное стимулированное излучение. Спектр излучения представляет собой световой континуум. На базе результатов предыдущих экспериментальных работ сделано следующее. Получены оценки: (а) длин усиления спектральных компонент излучения, т. е. различающихся между собой расстояний, на протяжении которых в активной среде, созданной накачкой, усиливаются различные компоненты излучения; (б) зависимости характерного времени релаксации компонент излучения от их длин усиления. Показано, что спектр произведения длины усиления на коэффициент усиления связывает линейно спектры спонтанного и стимулированного излучений GaAs. Эта связь установлена при насыщении усиления, о котором свидетельствует провал в спектре усиления, “выжженный” интенсивным излучением.
Ключевые слова: стимулированное пикосекундное излучение, спектральные компоненты излучения, длина усиления, характерное время релаксации, насыщение усиления, связь стимулированного и спонтанного излучений, арсенид галлия.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации
Работа выполнена в рамках государственного задания.
Поступила в редакцию: 28.09.2020
Исправленный вариант: 10.10.2020
Принята в печать: 10.10.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2021, Volume 55, Issue 2, Pages 162–167
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782621020044
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. Н. Агеева, И. Л. Броневой, Д. Н. Забегаев, А. Н. Кривоносов, “Длины усиления спектральных компонент собственного стимулированного пикосекундного излучения, зависимость от них характерного времени релаксации указанных компонент и связь спектров стимулированного и спонтанного излучений в GaAs”, Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021), 121–126; Semiconductors, 55:2 (2021), 162–167
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{AgeBroZab21}
\by Н.~Н.~Агеева, И.~Л.~Броневой, Д.~Н.~Забегаев, А.~Н.~Кривоносов
\paper Длины усиления спектральных компонент собственного стимулированного пикосекундного излучения, зависимость от них характерного времени релаксации указанных компонент и связь спектров стимулированного и спонтанного излучений в GaAs
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 2
\pages 121--126
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5075}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2021.02.50496.9526}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=44859595}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2021
\vol 55
\issue 2
\pages 162--167
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782621020044}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5075
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i2/p121
  • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:40
    PDF полного текста:17
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024