“Брэгговская” решетка заселенности электронов, наводимая в гетероструктуре Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As–GaAs–Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As ее собственным стимулированным пикосекундным излучением

Показано, что модуляция спектра стимулированного пикосекундного излучения, генерируемого в волноводной гетероструктуре Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As–GaAs–Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As при оптической накачке GaAs, и еще ряд предыдущих экспериментальных результатов становятся объяснимыми в предположении об образовании излучением симметричной модификации “брэгговской” решетки заселенности неравновесных электронов в GaAs. Предложены граничные условия, определяющие конструкцию решетки. Чтобы удовлетворять им, решетка может меняться только дискретно. Последнее согласуется с изменением модуляции спектра поглощения света в GaAs, отображающей модуляцию обеднения заселенности, создаваемую излучением. Наведение решетки, или выжигание пространственных дыр, является одной из причин многомодовости излучения, конкуренции и переключения его мод, модуляции спектра усиления (выжигания частотных дыр). Аналогичное возможно и в полупроводниковом лазере, как в волноводе.