|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2023 |
| 1. |
В. Н. Зверев, Н. А. Абдуллаев, З. С. Алиев, И. Р. Амирасланов, М. М. Отроков, Н. Т. Мамедов, Е. В. Чулков, “Транспортные свойства семейства магнитных топологических изоляторов (MnBi$_2$Te$_4$)(Bi$_2$Te$_3)_m$ $(m = 0,1,...,6)$”, Письма в ЖЭТФ, 118:12 (2023), 902–907  ; V. N. Zverev, N. A. Abdullaev, Z. S. Aliyev, I. R. Amireslanov, M. M. Otrokov, N. T. Mamedov, E. V. Chulkov, “Transport properties of the magnetic topological insulators family (MnBi$_2$Te$_4$)(Bi$_2$Te$_3)_m$ $(m = 0,1,...,6)$”, JETP Letters, 118:12 (2023), 905–910 |
| 2. |
А. А. Максимов, И. И. Тартаковский, З. С. Алиев, И. Р. Амирасланов, Н. А. Абдуллаев, В. Н. Зверев, З. А. Джахангирли, И. Ю. Скляднева, М. М. Отроков, Н. Т. Мамедов, Е. В. Чулков, “Температурные исследования спектров комбинационного рассеяния света в магнитных топологических изоляторах MnBi$_2$Te$_4$ и MnSb$_2$Te$_4$”, Письма в ЖЭТФ, 118:5 (2023), 361–366 ; A. A. Maksimov, I. I. Tartakovskii, Z. S. Aliev, I. R. Amireslanov, N. A. Abdullaev, V. N. Zverev, Z. A. Jahangirli, I. Yu. Sklyadneva, M. M. Otrokov, N. T. Mamedov, E. V. Chulkov, “Temperature studies of raman spectra in MnBi$_2$Te$_4$ and MnSb$_2$Te$_4$ magnetic topological insulators”, JETP Letters, 118:5 (2023), 357–362 |
1
|
|
2022 |
| 3. |
Н. А. Абдуллаев, И. Р. Амирасланов, З. С. Алиев, З. А. Джахангирли, И. Ю. Скляднева, Е. Г. Ализаде, Е. Н. Алиева, М. М. Отроков, В. Н. Зверев, Н. Т. Мамедов, Е. В. Чулков, “Динамика решетки Bi$_2$Te$_3$ и колебательные моды в рамановском рассеянии топологических изоляторов MnBi$_2$Te$_4\cdot n$(Bi$_2$Te$_3$)”, Письма в ЖЭТФ, 115:12 (2022), 801–808 ; N. A. Abdullaev, I. R. Amireslanov, Z. S. Aliyev, Z. A. Jahangirli, I. Yu. Sklyadneva, E. G. Alizade, E. N. Aliyeva, M. M. Otrokov, V. N. Zverev, N. T. Mamedov, E. V. Chulkov, “Lattice dynamics of Bi$_2$Te$_3$ and vibrational modes in Raman scattering of topological insulators MnBi$_2$Te$_4\cdot n$(Bi$_2$Te$_3$)”, JETP Letters, 115:12 (2022), 749–756 |
9
|
|
2021 |
| 4. |
З. А. Джахангирли, Р. Г. Велиев, И. А. Мамедова, З. И. Бадалова, Д. А. Мамедов, Н. Т. Мамедов, Н. А. Абдуллаев, “Ab initio и экспериментальное исследование колебательных свойств кристаллов TlFeS$_{2}$ и TlFeSe$_{2}$”, Физика твердого тела, 63:10 (2021), 1637–1643  ; Z. A. Jahangirli, R. G. Veliyev, I. A. Mamedova, Z. I. Badalova, D. A. Mamedov, N. T. Mamedov, N. A. Abdullaev, “Ab initio and experimental study of vibrational properties of TlFeS$_{2}$ and TlFeSe$_{2}$ crystals”, Phys. Solid State, 63:11 (2021), 1643–1649 |
1
|
| 5. |
Н. А. Абдуллаев, Х. В. Алигулиева, В. Н. Зверев, З. С. Алиев, И. Р. Амирасланов, М. Б. Бабанлы, З. А. Джахангирли, Е. Н. Алиева, Х. Н. Ахмедова, Т. Г. Мамедов, М. М. Отроков, А. М. Шикин, Н. Т. Мамедов, Е. В. Чулков, “Механизм переноса заряда в новом магнитном топологическом изоляторе MnBi$_{0.5}$Sb$_{1.5}$Te$_{4}$”, Физика твердого тела, 63:8 (2021), 1062–1067 ; N. A. Abdullaev, Kh. V. Aliguliyeva, V. N. Zverev, Z. S. Aliyev, I. R. Amireslanov, M. B. Babanly, Z. A. Jahangirli, E. N. Aliyeva, Kh. N. Akhmedova, T. G. Mamedov, M. M. Otrokov, A. M. Shikin, N. T. Mamedov, E. V. Chulkov, “The charge transport mechanism in a new magnetic topological insulator MnBi$_{0.5}$Sb$_{1.5}$Te$_{4}$”, Phys. Solid State, 63:7 (2021), 1120–1125 |
3
|
| 6. |
Р. Г. Велиев, Н. А. Абдуллаев, И. Р. Амирасланов, И. А. Мамедова, Д. А. Мамедов, З. И. Бадалова, Ш. К. Гудавасов, С. А. Немов, “Оптические фононы в полупроводниковых соединениях TlFeS$_{2}$, TlFeSe$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021), 673–678 |
| 7. |
Ш. К. Гудавасов, Н. А. Абдуллаев, Д. Н. Джалилли, З. И. Бадалова, И. А. Мамедова, С. А. Немов, “Эллипсометрические исследования монокристаллов Bi$_{2}$Se$_{3}$ и Bi$_{2}$Se$_{3}\langle$Cu$\rangle$”, Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021), 665–668 ; Sh. K. Qudavasov, N. A. Abdullaev, J. N. Jalilli, Z. I. Badalova, I. A. Mamedova, S. A. Nemov, “Ellipsometric studies of the optical properties of Bi$_{2}$Se$_{3}$ and Bi$_{2}$Se$_{3}\langle$Cu$\rangle$ single crystals”, Semiconductors, 55:12 (2021), 985–988 |
3
|
|
2020 |
| 8. |
З. А. Джахангирли, Т. Г. Керимова, И. А. Мамедова, С. А. Набиева, Н. А. Абдуллаев, “Ab initio и экспериментальное исследование электронных, оптических и колебательных свойств CdGa$_{2}$Te$_{4}$”, Физика твердого тела, 62:8 (2020), 1270–1277 ; Z. A. Jahangirli, T. G. Kerimova, I. A. Mamedova, S. A. Nabiyeva, N. A. Abdullaev, “Ab initio and experimental study of electronic, optical, and vibrational properties of CdGa$_{2}$Te$_{4}$”, Phys. Solid State, 62:8 (2020), 1426–1433 |
5
|
|
2019 |
| 9. |
Р. Р. Гусейнов, В. А. Танрывердиев, G. L. Belenky, G. Kipshidze, Е. Н. Алиева, Х. В. Алигулиева, Э. Г. Ализаде, Х. Н. Ахмедова, Н. А. Абдуллаев, Н. Т. Мамедов, В. Н. Зверев, “Электрические и оптические свойства нерелаксированных гетероэпитаксиальных структур InAs$_{1-x}$Sb$_{x}$”, Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019), 922–926 ; R. R. Guseynov, V. A. Tanriverdiyev, G. L. Belenky, G. Kipshidze, E. N. Aliyeva, Kh. V. Aliguliyeva, E. G. Alizade, Kh. N. Akhmedova, N. A. Abdullaev, N. T. Mamedov, V. N. Zverev, “Electrical and optical properties of unrelaxed InAs$_{1-x}$Sb$_{x}$ heteroepitaxial structures”, Semiconductors, 53:7 (2019), 906–910 |
2
|
| 10. |
З. И. Бадалова, Н. А. Абдуллаев, Г. Х. Аждаров, Х. В. Алигулиева, С. Ш. Кахраманов, С. А. Немов, Н. T. Maмедов, “Ангармонизм колебаний кристаллической решетки монокристаллов Bi$_{2}$Se$_{3}$”, Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019), 309–313 ; Z. I. Badalova, N. A. Abdullaev, G. H. Azhdarov, Kh. V. Aliguliyeva, S. Sh. Gahramanov, S. A. Nemov, N. T. Mamedov, “Anharmonicity of lattice vibrations in Bi$_{2}$Se$_{3}$ single crystals”, Semiconductors, 53:3 (2019), 291–295 |
6
|
| 11. |
А. Ю. Гамзаева, Е. Г. Ализаде, Н. Т. Мамедов, Н. А. Абдуллаев, И. Р. Амирасланов, Е. Н. Алиева, Х. Н. Ахмедова, Г. Х. Аждаров, К. Ш. Кахраманов, С. А. Немов, “Оптические свойства полиэтилена, наполненного нанокристаллитами Bi$_{2}$Te$_{3}$”, Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019), 235–240 ; A. Yu. Gamzayeva, E. G. Alizade, N. T. Mamedov, N. A. Abdullaev, I. R. Amireslanov, E. N. Aliyeva, Kh. N. Akhmedova, G. H. Azhdarov, K. Sh. Kahramanov, S. A. Nemov, “Optical properties of polyethylene filled with Bi$_{2}$Te$_{3}$ nanocrystallites”, Semiconductors, 53:2 (2019), 224–228 |
5
|
|
2018 |
| 12. |
З. А. Джахангирли, Т. Г. Керимова, И. А. Мамедова, Н. А. Абдуллаев, Н. Т. Мамедов, “Расчеты ab initio дисперсии фононов в CdGa$_{2}$S$_{4}$”, Физика твердого тела, 60:11 (2018), 2265–2269 ; Z. A. Jahangirli, T. G. Kerimova, I. A. Mamedova, N. A. Abdullaev, N. T. Mamedov, “Ab initio calculations of phonon dispersion in CdGa$_{2}$S$_{4}$”, Phys. Solid State, 60:11 (2018), 2305–2309 |
3
|
| 13. |
Y. G. Shim, T. Asahi, K. Wakita, Н. Т. Мамедов, Е. Н. Алиева, Н. А. Абдуллаев, “Фотоиндуцированная обратимая локальная деформация рельефа поверхности в объемных монокристаллах TlInSe$_{2}$, TlGaTe$_{2}$ и TlSe”, Письма в ЖТФ, 44:14 (2018), 86–93 ; Y. G. Shim, T. Asahi, K. Wakita, N. T. Mamedov, E. N. Aliyeva, N. A. Abdullaev, “Photoinduced reversible local deformation of the surface relief in bulk single crystals of TlInSe$_{2}$, TlGaTe$_{2}$, and TlSe”, Tech. Phys. Lett., 44:7 (2018), 643–645 |
4
|
|
2017 |
| 14. |
Н. А. Абдуллаев, К. М. Джафарли, Х. В. Алигулиева, Л. Н. Алиева, С. Ш. Кахраманов, С. А. Немов, “Влияние легирования редкоземельными элементами (Eu, Tb, Dy) на электропроводность слоистых монокристаллов Bi$_{2}$Te$_{3}$”, Физика и техника полупроводников, 51:7 (2017), 981–985 ; N. A. Abdullaev, K. M. Jafarli, Kh. V. Aliguliyeva, L. N. Aliyeva, S. Sh. Gahramanov, S. A. Nemov, “Effect of doping with rare-earth elements (Eu, Tb, Dy) on the conductivity of Bi$_{2}$Te$_{3}$ layered single crystals”, Semiconductors, 51:7 (2017), 942–946 |
9
|
| 15. |
З. А. Джахангирли, Т. Г. Керимова, Н. А. Абдуллаев, И. А. Мамедова, Н. Т. Мамедов, “Расчеты из первых принципов дисперсии фононов в CdGa$_{2}$Se$_{4}$”, Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017), 585–587 ; Z. A. Jahangirli, T. G. Kerimova, N. A. Abdullaev, I. A. Mamedova, N. T. Mamedov, “Ab initio calculations of phonon dispersion in CdGa$_{2}$Se$_{4}$”, Semiconductors, 51:5 (2017), 556–558 |
3
|
| 16. |
P. P. Гусейнов, В. А. Танрывердиев, G. Kipshidze, Е. Н. Алиева, Х. В. Алигулиева, Н. А. Абдуллаев, Н. Т. Мамедов, “Гетероэпитаксиальные структуры InAs$_{1-x}$Sb$_{x}$ на градиентных буферных слоях GaInSb и AlGaInSb”, Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017), 551–557 ; R. R. Guseinov, V. A. Tanriverdiyev, G. Kipshidze, E. N. Aliyeva, Kh. V. Aliguliyeva, N. A. Abdullaev, N. T. Mamedov, “In InAs$_{1-x}$Sb$_{x}$ heteroepitaxial structures on compositionally graded GaInSb and AlGaInSb buffer layers”, Semiconductors, 51:4 (2017), 524–530 |
2
|
|
2016 |
| 17. |
Н. А. Абдуллаев, О. З. Алекперов, Х. В. Алигулиева, В. Н. Зверев, А. М. Керимова, Н. Т. Мамедов, “Слабая антилокализация в тонких пленках твердого раствора Bi$_{2}$Te$_{2.7}$Se$_{0.3}$”, Физика твердого тела, 58:9 (2016), 1806–1811 ; N. A. Abdullaev, O. Z. Alekperov, Kh. V. Aliguliyeva, V. N. Zverev, A. M. Kerimova, N. T. Mamedov, “Weak antilocalization in thin films of the Bi$_{2}$Te$_{2.7}$Se$_{0.3}$ solid solution”, Phys. Solid State, 58:9 (2016), 1870–1875 |
1
|
| 18. |
З. А. Джахангирли, Т. Г. Керимова, Н. А. Абдуллаев, “Расчеты из первых принципов дисперсии фононов в ZnGa$_{2}$Se$_{4}$”, Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016), 289–292 ; Z. A. Jahangirli, T. G. Kerimova, N. A. Abdullaev, “Ab Initio Calculations of Phonon Dispersion in ZnGa$_{2}$Se$_{4}$”, Semiconductors, 50:3 (2016), 285–288 |
4
|
| 19. |
О. Р. Ахмедов, М. Г. Гусейналиев, Н. А. Абдуллаев, Н. М. Абдуллаев, С. С. Бабаев, Н. А. Касумов, “Оптические свойства тонких пленок PbS”, Физика и техника полупроводников, 50:1 (2016), 51–54 ; O. R. Akhmedov, M. G. Huseynaliyev, N. A. Abdullaev, N. M. Abdullaev, S. S. Babaev, N. A. Kasumov, “Optical properties of PbS thin films”, Semiconductors, 50:1 (2016), 50–53 |
5
|
|
1984 |
| 20. |
Г. Л. Беленький, Р. А. Сулейманов, Н. А. Абдуллаев, В. Я. Штейншрайбер, “Тепловое расширение слоистых кристаллов. Модель Лифшица”, Физика твердого тела, 26:12 (1984), 3560–3566  |
|
Обратная связь: