|
Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)
Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)
Ангармонизм колебаний кристаллической решетки монокристаллов Bi$_{2}$Se$_{3}$
З. И. Бадаловаa, Н. А. Абдуллаевa, Г. Х. Аждаровa, Х. В. Алигулиеваa, С. Ш. Кахрамановa, С. А. Немовb, Н. T. Maмедовa a Институт физики НАН Азербайджана
b Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
Аннотация:
Изучены температурные зависимости активных в рамановском (комбинационном) рассеянии частот $E_{g}^{2}$, $A_{1g}^{2}$ в слоистых монокристаллах Bi$_{2}$Se$_{3}$. Определен вклад теплового расширения в температурное изменение частот. Показано ослабление анизотропии упругих свойств в слоистых монокристаллах Bi$_{2}$Se$_{3}$ за счет сильного спин-орбитального взаимодействия. Вычислены модовые параметры Грюнайзена для фононов $E_{g}^{2}$ и $A_{1g}^{2}$. Установлены закономерности в зависимостях величин частот колебаний от масс атомов в слоистых монокристаллах Bi$_{2}$Te$_{3}$, Bi$_{2}$Se$_{3}$ и Sb$_{2}$Te$_{3}$.
Поступила в редакцию: 25.09.2018 Исправленный вариант: 03.10.2018
Образец цитирования:
З. И. Бадалова, Н. А. Абдуллаев, Г. Х. Аждаров, Х. В. Алигулиева, С. Ш. Кахраманов, С. А. Немов, Н. T. Maмедов, “Ангармонизм колебаний кристаллической решетки монокристаллов Bi$_{2}$Se$_{3}$”, Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019), 309–313; Semiconductors, 53:3 (2019), 291–295
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5557 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i3/p309
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 52 | PDF полного текста: | 31 |
|