Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2019, том 53, выпуск 3, страницы 309–313
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2019.03.47279.8987
(Mi phts5557)
 

Эта публикация цитируется в 6 научных статьях (всего в 6 статьях)

Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)

Ангармонизм колебаний кристаллической решетки монокристаллов Bi$_{2}$Se$_{3}$

З. И. Бадаловаa, Н. А. Абдуллаевa, Г. Х. Аждаровa, Х. В. Алигулиеваa, С. Ш. Кахрамановa, С. А. Немовb, Н. T. Maмедовa

a Институт физики НАН Азербайджана
b Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
Аннотация: Изучены температурные зависимости активных в рамановском (комбинационном) рассеянии частот $E_{g}^{2}$, $A_{1g}^{2}$ в слоистых монокристаллах Bi$_{2}$Se$_{3}$. Определен вклад теплового расширения в температурное изменение частот. Показано ослабление анизотропии упругих свойств в слоистых монокристаллах Bi$_{2}$Se$_{3}$ за счет сильного спин-орбитального взаимодействия. Вычислены модовые параметры Грюнайзена для фононов $E_{g}^{2}$ и $A_{1g}^{2}$. Установлены закономерности в зависимостях величин частот колебаний от масс атомов в слоистых монокристаллах Bi$_{2}$Te$_{3}$, Bi$_{2}$Se$_{3}$ и Sb$_{2}$Te$_{3}$.
Финансовая поддержка Номер гранта
Фонд развития науки при президенте Республики Азербайджан E ̇IF/MQM/Elm-Tеhsil-1-2016-1(26)-71/16/1
E ̇IF-BGM-3-BRFTF-2$^+$/2017-15/02/1
Работа выполнена при финансовой поддержке Фонда развития науки при президенте Азербайджанской республики (гранты № E ̇IF/MQM/Elm-Tеhsil-1-2016-1(26)-71/16/1 и № E ̇IF-BGM-3-BRFTF-2$^+$/2017-15/02/1).
Поступила в редакцию: 25.09.2018
Исправленный вариант: 03.10.2018
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2019, Volume 53, Issue 3, Pages 291–295
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782619030035
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: З. И. Бадалова, Н. А. Абдуллаев, Г. Х. Аждаров, Х. В. Алигулиева, С. Ш. Кахраманов, С. А. Немов, Н. T. Maмедов, “Ангармонизм колебаний кристаллической решетки монокристаллов Bi$_{2}$Se$_{3}$”, Физика и техника полупроводников, 53:3 (2019), 309–313; Semiconductors, 53:3 (2019), 291–295
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BadAbdAzh19}
\by З.~И.~Бадалова, Н.~А.~Абдуллаев, Г.~Х.~Аждаров, Х.~В.~Алигулиева, С.~Ш.~Кахраманов, С.~А.~Немов, Н.~T.~Maмедов
\paper Ангармонизм колебаний кристаллической решетки монокристаллов Bi$_{2}$Se$_{3}$
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2019
\vol 53
\issue 3
\pages 309--313
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5557}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2019.03.47279.8987}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=37477026}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2019
\vol 53
\issue 3
\pages 291--295
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782619030035}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5557
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v53/i3/p309
  • Эта публикация цитируется в следующих 6 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:52
    PDF полного текста:31
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024