|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Электронные свойства полупроводников
Расчеты из первых принципов дисперсии фононов в CdGa$_{2}$Se$_{4}$
З. А. Джахангирлиab, Т. Г. Керимоваa, Н. А. Абдуллаевa, И. А. Мамедоваa, Н. Т. Мамедовa a Институт физики НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
b Азербайджанский технический университет, г. Баку
Аннотация:
Методом функционала плотности рассчитана плотность фононных состояний и дисперсия фононов в зоне Бриллюэна. Построены смещения атомов в элементарной ячейке для колебаний $A$, $B$ и $E$ симметрий. Рассчитанные частоты оптических фононов согласуются с экспериментально определенными частотами из спектров ИК поглощения и КРС. В плоскости $xy$ наблюдается пересечение низкочастотных оптических фононов с акустическими фононами.
Поступила в редакцию: 20.10.2016 Принята в печать: 28.10.2016
Образец цитирования:
З. А. Джахангирли, Т. Г. Керимова, Н. А. Абдуллаев, И. А. Мамедова, Н. Т. Мамедов, “Расчеты из первых принципов дисперсии фононов в CdGa$_{2}$Se$_{4}$”, Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017), 585–587; Semiconductors, 51:5 (2017), 556–558
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6149 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i5/p585
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 33 | PDF полного текста: | 7 |
|