Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 3, страницы 289–292 (Mi phts6505)  
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Неэлектронные свойства полупроводников (атомная структура, диффузия)

Расчеты из первых принципов дисперсии фононов в ZnGa$_{2}$Se$_{4}$

З. А. Джахангирлиab, Т. Г. Керимоваa, Н. А. Абдуллаевab

a Институт физики им. Г.М. Абдуллаева Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
b Азербайджанский технический университет, г. Баку
PDF полного текста (133 kB) Список цитирования (5)
Аннотация: На основе теории функционала плотности проведены расчеты плотности фононных состояний, дисперсия фононов, получена температурная зависимость теплоемкости ZnGa$_{2}$Se$_{4}$ в интервале 5–400 K. Рассчитанные частоты и симметрии фононных мод в центре зоны Бриллюэна хорошо согласуются с экспериментальными данными, полученными из комбинационного рассеяния света и инфракрасных спектров.
Поступила в редакцию: 08.06.2015
Принята в печать: 10.06.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 3, Pages 285–288
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782616030088
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: З. А. Джахангирли, Т. Г. Керимова, Н. А. Абдуллаев, “Расчеты из первых принципов дисперсии фононов в ZnGa$_{2}$Se$_{4}$”, Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016), 289–292; Semiconductors, 50:3 (2016), 285–288
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{JahKerAbd16}
\by З.~А.~Джахангирли, Т.~Г.~Керимова, Н.~А.~Абдуллаев
\paper Расчеты из первых принципов дисперсии фононов в ZnGa$_{2}$Se$_{4}$
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 3
\pages 289--292
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6505}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=25668140}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 3
\pages 285--288
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782616030088}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6505
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i3/p289
    • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025