Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 8, страницы 665–668
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.08.51133.9654
(Mi phts4998)
 

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Электронные свойства полупроводников

Эллипсометрические исследования монокристаллов Bi$_{2}$Se$_{3}$ и Bi$_{2}$Se$_{3}\langle$Cu$\rangle$

Ш. К. Гудавасовab, Н. А. Абдуллаевac, Д. Н. Джалиллиa, З. И. Бадаловаa, И. А. Мамедоваa, С. А. Немовde

a Институт физики НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
b Азербайджано-французский университет, г. Баку
c Бакинский государственный университет
d Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
e Забайкальский государственный университет, г. Чита
Аннотация: Методами спектроскопической эллипсометрии определены мнимые и действительные части диэлектрической функции монокристаллов Bi$_{2}$Se$_{3}$ и Bi$_{2}$Se$_{3}\langle$Cu$\rangle$ в диапазоне энергий фотонов от 0.7 до 6.5 эВ, определены энергии разрешенных прямых переходов. С помощью оптических осцилляторов Коди–Лоренца и Лоренца дисперсионное соотношение приведено в соответствие с экспериментальными данными. Вычислены величины показателей преломления $(n)$ и экстинкции $(k)$ монокристаллов Bi$_{2}$Se$_{3}$ в диапазоне энергий от 0.7 до 6.5 эВ. Установлено, что максимальное поглощение соответствует энергиям 1.900 и 1.949 эВ для Bi$_{2}$Se$_{3}$ и Bi$_{2}$Se$_{3}\langle$Cu$\rangle$ соответственно.
Ключевые слова: монокристаллы Bi$_{2}$Se$_{3}$, Bi$_{2}$Se$_{3}\langle$Cu$\rangle$ осциллятор Лоренца, действительные и мнимые части диэлектрических функций.
Финансовая поддержка Номер гранта
Фонд развития науки при президенте Республики Азербайджан EIF-BGM-3-BRFTF-2+/2017-15/02/1
EIF/MQM/Elm-Tеhsil-1-2016-1(26)-71/16/1
Работа выполнена при финансовой поддержке Фонда развития науки при президенте Азербайджанской Республики (гранты № EIF-BGM-3-BRFTF-2+/2017-15/02/1 и № EIF/MQM/Elm-Tеhsil-1-2016-1(26)-71/16/1).
Поступила в редакцию: 22.03.2021
Исправленный вариант: 26.03.2021
Принята в печать: 26.03.2021
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2021, Volume 55, Issue 12, Pages 985–988
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782621080091
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Ш. К. Гудавасов, Н. А. Абдуллаев, Д. Н. Джалилли, З. И. Бадалова, И. А. Мамедова, С. А. Немов, “Эллипсометрические исследования монокристаллов Bi$_{2}$Se$_{3}$ и Bi$_{2}$Se$_{3}\langle$Cu$\rangle$”, Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021), 665–668; Semiconductors, 55:12 (2021), 985–988
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{QudAbdJal21}
\by Ш.~К.~Гудавасов, Н.~А.~Абдуллаев, Д.~Н.~Джалилли, З.~И.~Бадалова, И.~А.~Мамедова, С.~А.~Немов
\paper Эллипсометрические исследования монокристаллов Bi$_{2}$Se$_{3}$ и Bi$_{2}$Se$_{3}\langle$Cu$\rangle$
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 8
\pages 665--668
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts4998}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2021.08.51133.9654}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46480619}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2021
\vol 55
\issue 12
\pages 985--988
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782621080091}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts4998
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i8/p665
  • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:91
    PDF полного текста:18
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024