Электрические и оптические свойства нерелаксированных гетероэпитаксиальных структур InAs$_{1-x}$Sb$_{x}$

Исследованы электрические и гальваномагнитные свойства нерелаксированных гетероэпитаксиальных структур InAs$_{1-x}$Sb$_{x}$ ($x$ = 0.43 и 0.38) в широком интервале температур 5–300 K и магнитных полей до 8 Тл. Из термоактивационной зависимости электропроводности оценена ширина запрещенной зоны состава InAs$_{0.57}$Sb$_{0.43}$, она равна 120 мэВ. Определенные из эффекта Холла концентрации электронов в InAs$_{1-x}$Sb$_{x}$ (6 $\cdot$ 10$^{16}$ см$^{-3}$ для InAs$_{0.62}$Sb$_{0.38}$ и 5 $\cdot$ 10$^{16}$ см$^{-3}$ для InAs$_{0.57}$Sb$_{0.43}$) хорошо согласуются с концентрацией электронов, вычисленной из осцилляций Шубникова–де Гааза. Также проведены спектральные эллипсометрические исследования нерелаксированных гетероэпитаксиальных структур InAs$_{1-x}$Sb$_{x}$ ($x$ = 0.43 и 0.38) в области энергий фотонов 1–6 эВ. Определены спектральные зависимости мнимой и действительной частей диэлектрической проницаемости. Вычислены и приведены дисперсионные зависимости коэффициентов преломления и экстинкции.