Механизм переноса заряда в новом магнитном топологическом изоляторе MnBi$_{0.5}$Sb$_{1.5}$Te$_{4}$

Получен новый слоистый магнитный топологический изолятор состава MnBi$_{0.5}$Sb$_{1.5}$Te$_{4}$. Исследована электропроводность в плоскости слоев и в направлении перпендикулярном слоям в области температур 1.4 – 300 K. Обнаружено, что в обоих направлениях в интервале температур 50 – 300 K наблюдается “металлический” характер температурной зависимости удельного сопротивления $\rho(T)$. Ниже температуры $T$ = 50 K величина $\rho$ возрастает и демонстрирует нетривиальную температурную зависимость с особенностью в области критической температуры $T_{c}$ = 23 K. Возрастание сопротивления в температурном интервале 50 – 23 K обусловлено спиновыми флуктуациями и магнитным фазовым переходом. Ниже $T_{c}$ и вплоть до 1.4 K $\rho(T)$ демонстрирует поведение характерное для эффекта слабой локализации, что подтверждается анализом данных, полученных при исследовании магнитосопротивления.