Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2017, том 51, выпуск 4, страницы 551–557
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.04.44351.8401 (Mi phts6193) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Гетероэпитаксиальные структуры InAs$_{1-x}$Sb$_{x}$ на градиентных буферных слоях GaInSb и AlGaInSb

P. P. Гусейновa, В. А. Танрывердиевa, G. Kipshidzeb, Е. Н. Алиеваa, Х. В. Алигулиеваa, Н. А. Абдуллаевa, Н. Т. Мамедовa

a Институт физики НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
b Stony Brook University, New York, USA
PDF полного текста (849 kB) Список цитирования (2)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2017.04.44351.8401
Аннотация: Получены нерелаксированные слои твердого раствора InAs$_{1-x}$Sb$_{x}$ ($x$ = 0.43 и 0.38) методом молекулярно-лучевой эпитаксии с использованием градиентных буферных слоев GaInSb и AlGaInSb. Высокое качество полученных тонких пленок подтверждается результатами исследований высокоразрешающей рентгеновской дифракции и микро-рамановского рассеяния. Выявлен двухмодовый тип перестройки фононных спектров твердых растворов InAs$_{1-x}$Sb$_{x}$.
Поступила в редакцию: 07.09.2016
Принята в печать: 19.09.2016
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2017, Volume 51, Issue 4, Pages 524–530
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782617040066
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: P. P. Гусейнов, В. А. Танрывердиев, G. Kipshidze, Е. Н. Алиева, Х. В. Алигулиева, Н. А. Абдуллаев, Н. Т. Мамедов, “Гетероэпитаксиальные структуры InAs$_{1-x}$Sb$_{x}$ на градиентных буферных слоях GaInSb и AlGaInSb”, Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017), 551–557; Semiconductors, 51:4 (2017), 524–530
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{GusTanKip17}
\by P.~P.~Гусейнов, В.~А.~Танрывердиев, G.~Kipshidze, Е.~Н.~Алиева, Х.~В.~Алигулиева, Н.~А.~Абдуллаев, Н.~Т.~Мамедов
\paper Гетероэпитаксиальные структуры InAs$_{1-x}$Sb$_{x}$ на градиентных буферных слоях GaInSb и AlGaInSb
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2017
\vol 51
\issue 4
\pages 551--557
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6193}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2017.04.44351.8401}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=29404900}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2017
\vol 51
\issue 4
\pages 524--530
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782617040066}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6193
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i4/p551
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:33
    PDF полного текста:23
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024