|
Эта публикация цитируется в 8 научных статьях (всего в 8 статьях)
Электронные свойства полупроводников
Влияние легирования редкоземельными элементами (Eu, Tb, Dy) на электропроводность слоистых монокристаллов Bi$_{2}$Te$_{3}$
Н. А. Абдуллаевa, К. М. Джафарлиa, Х. В. Алигулиеваa, Л. Н. Алиеваa, С. Ш. Кахрамановb, С. А. Немовc a Институт физики НАН Азербайджана, Баку, Азербайджа
b Азербайджанский технический университет, г. Баку
c Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
Аннотация:
Исследованы температурные зависимости в интервале температур $T$ = 5–300 K удельного сопротивления в плоскости слоев и в направлении, перпендикулярном слоям, а также эффекты Холла и поперечного магнитосопротивления в нелегированных и легированных слоистых монокристаллах Bi$_{2}$Te$_{3}$ (магнитные поля $<$ 80 кЭ, $T$ = 5 K). Показано, что при легировании Bi$_{2}$Te$_{3}$ атомами редкоземельных элементов Eu, Tb, Dy наблюдается увеличение удельного сопротивления как в плоскости слоев, так и в направлении, перпендикулярном слоям Bi$_{2}$Te$_{3}$. Увеличение удельного сопротивления обусловлено главным образом уменьшением подвижности носителей заряда вследствие повышения роли в рассеянии процессов рассеяния носителей на дефектах. Оценены величины концентраций и подвижностей носителей заряда, а также значения холл-фактора, обусловленного анизотропией эффективных масс и ориентацией эллипсоидов относительно кристаллографических осей.
Поступила в редакцию: 12.12.2016 Принята в печать: 26.12.2016
Образец цитирования:
Н. А. Абдуллаев, К. М. Джафарли, Х. В. Алигулиева, Л. Н. Алиева, С. Ш. Кахраманов, С. А. Немов, “Влияние легирования редкоземельными элементами (Eu, Tb, Dy) на электропроводность слоистых монокристаллов Bi$_{2}$Te$_{3}$”, Физика и техника полупроводников, 51:7 (2017), 981–985; Semiconductors, 51:7 (2017), 942–946
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6115 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i7/p981
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 40 | PDF полного текста: | 4 |
|