|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
А. В. Воронин, В. Ю. Горяинов, В. В. Забродский, Е. В. Шерстнев, В. А. Корнев, П. Н. Аруев, Г. С. Курскиев, Н. А. Жубр, А. С. Тукачинский, “Измерение электронной температуры плазмы фольговым рентгеновским спектрометром, установленным на токамаках ТУМАН-3М и Глобус-М2”, ЖТФ, 91:12 (2021), 1922–1929   |
1
|
|
2020 |
| 2. |
П. Н. Аруев, В. П. Белик, В. В. Забродский, Е. М. Круглов, А. В. Николаев, В. И. Сахаров, И. Т. Серенков, В. В. Филимонов, Е. В. Шерстнев, “Квантовый выход кремниевого лавинного фотодиода в диапазоне длин волн 120–170 nm”, ЖТФ, 90:8 (2020), 1386–1392 ; P. N. Aruev, V. P. Belik, V. V. Zabrodskii, E. M. Kruglov, A. V. Nikolaev, V. I. Sakharov, I. T. Serenkov, V. V. Filimonov, E. V. Sherstnev, “Quantum yield of a silicon avalanche photodiode in the wavelength range of 120–170 nm”, Tech. Phys., 65:8 (2020), 1333–1339 |
3
|
| 3. |
П. Н. Аруев, А. И. Берлёв, В. В. Забродский, С. В. Задорожный, А. В. Николаев, Н. А. Титов, Е. В. Шерстнев, “Детектор для регистрации электронов с энергией 5–30 keV в установке “Троицк ню-масс””, ЖТФ, 90:4 (2020), 693–698 ; P. N. Aruev, A. I. Berlev, V. V. Zabrodskii, S. V. Zadorozhny, A. V. Nikolaev, N. A. Titov, E. V. Sherstnev, “Detector for detection of electrons with an energy of 5–30 keV for the “Troitsk nu-mass” setup”, Tech. Phys., 65:4 (2020), 666–671 |
| 4. |
Е. В. Калинина, А. А. Каташев, Г. Н. Виолина, А. М. Стрельчук, И. П. Никитина, Е. В. Иванова, В. В. Забродский, “Структурные, электрические и оптические свойства 4$H$-SiC для ультрафиолетовых фотоприемников”, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020), 1368–1373 ; E. V. Kalinina, A. A. Katashev, G. N. Violina, A. M. Strel'chuk, I. P. Nikitina, E. V. Ivanova, V. V. Zabrodskii, “Structural, electrical, and optical properties of 4$H$-SiC for ultraviolet photodetectors”, Semiconductors, 54:12 (2020), 1628–1633 |
1
|
| 5. |
Е. В. Калинина, М. Ф. Кудояров, И. П. Никитина, Е. В. Иванова, В. В. Забродский, “Структурные и оптические характеристики ультрафиолетовых 4$H$-SiC-детекторов, облученных ионами аргона”, Физика и техника полупроводников, 54:11 (2020), 1244–1248 ; E. V. Kalinina, M. F. Kudoyarov, I. P. Nikitina, E. V. Ivanova, V. V. Zabrodskii, “Structural and optical characteristics of 4$H$-SiC UV detectors irradiated with argon ions”, Semiconductors, 54:11 (2020), 1478–1482 |
1
|
| 6. |
А. Е. Калядин, К. Ф. Штельмах, П. Н. Аруев, В. В. Забродский, К. В. Карабешкин, Е. И. Шек, Н. А. Соболев, “Кремниевые светодиоды с люминесценцией (113) дефектов”, Физика и техника полупроводников, 54:6 (2020), 580–584 ; A. E. Kalyadin, K. F. Shtel'makh, P. N. Aruev, V. V. Zabrodskii, K. V. Karabeshkin, E. I. Shek, N. A. Sobolev, “Silicon light-emitting diodes with luminescence from (113) defects”, Semiconductors, 54:6 (2020), 687–690 |
5
|
| 7. |
Е. В. Калинина, Г. Н. Виолина, И. П. Никитина, Е. В. Иванова, В. В. Забродский, М. З. Шварц, С. А. Левина, А. В. Николаев, “Влияние температуры на характеристики 4$H$-SiC-фотоприемника”, Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020), 195–201 ; E. V. Kalinina, G. N. Violina, I. P. Nikitina, E. V. Ivanova, V. V. Zabrodskii, M. Z. Shvarts, S. A. Levina, A. V. Nikolaev, “Effect of temperature on the characteristics of 4$H$-SiC UV photodetectors”, Semiconductors, 54:2 (2020), 246–252 |
3
|
|
2019 |
| 8. |
Е. В. Калинина, Г. Н. Виолина, И. П. Никитина, М. А. Яговкина, Е. В. Иванова, В. В. Забродский, “Облучение протонами 4$H$-SiC фотоприемников с барьером Шоттки”, Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019), 856–861 ; E. V. Kalinina, G. N. Violina, I. P. Nikitina, M. A. Yagovkina, E. V. Ivanova, V. V. Zabrodskii, “Proton irradiation of 4$H$-SiC photodetectors with Schottky barriers”, Semiconductors, 53:6 (2019), 844–849 |
7
|
| 9. |
В. В. Забродский, П. Н. Аруев, Б. Я. Бер, Д. Ю. Казанцев, А. Н. Горохов, А. В. Николаев, В. В. Филимонов, М. З. Шварц, Е. В. Шерстнев, “Квантовый выход кремниевого XUV-лавинного фотодиода в диапазоне длин волн 320–1100 nm”, Письма в ЖТФ, 45:24 (2019), 10–13 ; V. V. Zabrodskii, P. N. Aruev, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, A. N. Gorokhov, A. V. Nikolaev, V. V. Filimonov, M. Z. Shvarts, E. V. Sherstnev, “Quantum yield of a silicon XUV avalanche photodiode in the 320–1100 nm wavelength range”, Tech. Phys. Lett., 45:12 (2019), 1226–1229 |
2
|
| 10. |
П. Н. Аруев, Б. Я. Бер, А. Н. Горохов, В. В. Забродский, Д. Ю. Казанцев, А. В. Николаев, В. В. Филимонов, М. З. Шварц, Е. В. Шерстнёв, “Характеристики кремниевого лавинного фотодиода для ближнего ИК-диапазона”, Письма в ЖТФ, 45:15 (2019), 40–42 ; P. N. Aruev, B. Ya. Ber, A. N. Gorokhov, V. V. Zabrodskii, D. Yu. Kazantsev, A. V. Nikolaev, V. V. Filimonov, M. Z. Shvarts, E. V. Sherstnev, “Characteristics of a silicon avalanche photodiode for the near-IR spectral range”, Tech. Phys. Lett., 45:8 (2019), 780–782 |
2
|
|
2018 |
| 11. |
Е. Е. Холупенко, А. М. Быков, Ф. А. Агаронян, Г. И. Васильев, А. М. Красильщиков, П. Н. Аруев, В. В. Забродский, А. В. Николаев, “Регистрация ультрафиолетового излучения широких атмосферных ливней: перспективы для черенковской гамма-астрономии”, ЖТФ, 88:11 (2018), 1655–1666 ; E. E. Kholupenko, A. M. Bykov, F. A. Aharonyan, G. I. Vasiliev, A. M. Krassilchtchikov, P. N. Aruev, V. V. Zabrodskii, A. V. Nikolaev, “Detection of UV radiation from extensive air showers: prospects for Cherenkov gamma-ray astronomy”, Tech. Phys., 63:11 (2018), 1603–1614 |
9
|
|
2017 |
| 12. |
А. М. Быков, Ф. А. Агаронян, А. М. Красильщиков, Е. Е. Холупенко, П. Н. Аруев, Д. А. Байко, А. А. Богданов, Г. И. Васильев, В. В. Забродский, С. В. Троицкий, Ю. В. Тубольцев, А. А. Кожберов, К. П. Левенфиш, Ю. В. Чичагов, “Черенковские гамма-телескопы: прошлое, настоящее, будущее. Проект ALEGRO”, ЖТФ, 87:6 (2017), 803–821 ; A. M. Bykov, F. A. Aharonyan, A. M. Krassilchtchikov, E. E. Kholupenko, P. N. Aruev, D. A. Baiko, A. A. Bogdanov, G. I. Vasiliev, V. V. Zabrodskii, S. V. Troitsky, Yu. V. Tuboltsev, A. A. Kozhberov, K. P. Levenfish, Yu. V. Chichagov, “Cherenkov gamma-ray telescopes: Past, present, future. The ALEGRO project”, Tech. Phys., 62:6 (2017), 819–836 |
13
|
| 13. |
А. О. Захарьин, Ю. Б. Васильев, Н. А. Соболев, В. В. Забродский, С. В. Егоров, А. В. Андрианов, “Инжекционная терагерцовая электролюминесценция кремниевых $p$–$n$-структур”, Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017), 632–636 ; A. O. Zahar'in, Yu. B. Vasil'ev, N. A. Sobolev, V. V. Zabrodskii, S. V. Egorov, A. V. Andrianov, “Injection-induced terahertz electroluminescence from silicon $p$–$n$ structures”, Semiconductors, 51:5 (2017), 604–607 |
1
|
| 14. |
Д. А. Борисевичус, В. В. Забродский, С. Г. Калмыков, М. Э. Сасин, Р. П. Сейсян, “Поглощение лазерного излучения в создаваемой им плазме при использовании газовых микроструй в качестве мишеней”, Письма в ЖТФ, 43:1 (2017), 53–60 ; D. A. Borisevichus, V. V. Zabrodskii, S. G. Kalmykov, M. È. Sasin, R. Seisyan, “Absorption of the laser radiation by the laser plasma with gas microjet targets”, Tech. Phys. Lett., 43:1 (2017), 67–70 |
2
|
|
2016 |
| 15. |
Н. А. Соболев, А. Е. Калядин, П. Н. Аруев, В. В. Забродский, Е. И. Шек, К. Ф. Штельмах, К. В. Карабешкин, “Влияние дозы имплантации и длительности отжига на люминесцентные свойства (113) дефектов в Si, имплантированном ионами кислорода”, Физика твердого тела, 58:12 (2016), 2411–2414 ; N. A. Sobolev, A. E. Kalyadin, P. N. Aruev, V. V. Zabrodskii, E. I. Shek, K. F. Shtel'makh, K. V. Karabeshkin, “Effect of the implantation dose and annealing time on the luminescence properties of (113) defects in silicon implanted by oxygen ions”, Phys. Solid State, 58:12 (2016), 2499–2502 |
4
|
| 16. |
Н. А. Соболев, К. Ф. Штельмах, А. Е. Калядин, П. Н. Аруев, В. В. Забродский, Е. И. Шек, D. Yang, “Электролюминесцентные свойства светодиодов на основе $p$-Si, облученного электронами”, Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016), 254–258 ; N. A. Sobolev, K. F. Shtel'makh, A. E. Kalyadin, P. N. Aruev, V. V. Zabrodskii, E. I. Shek, D. Yang, “Electroluminescence properties of LEDs based on electron-irradiated $p$-Si”, Semiconductors, 50:2 (2016), 252–256 |
2
|
| 17. |
А. Е. Калядин, Н. А. Соболев, А. М. Стрельчук, П. Н. Аруев, В. В. Забродский, Е. И. Шек, “Влияние условий изготовления светодиодов на основе SiGe на их люминесцентные и электрофизические свойства”, Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016), 250–253 ; A. E. Kalyadin, N. A. Sobolev, A. M. Strel'chuk, P. N. Aruev, V. V. Zabrodskii, E. I. Shek, “Effect of the fabrication conditions of SiGe LEDs on their luminescence and electrical properties”, Semiconductors, 50:2 (2016), 249–251 |
2
|
| 18. |
Н. А. Соболев, А. Е. Калядин, М. В. Коновалов, П. Н. Аруев, В. В. Забродский, Е. И. Шек, К. Ф. Штельмах, А. Н. Михайлов, Д. И. Тетельбаум, “Si : Si светодиоды с дислокационной люминесценцией при комнатной температуре”, Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016), 241–244 ; N. A. Sobolev, A. E. Kalyadin, M. V. Konovalov, P. N. Aruev, V. V. Zabrodskii, E. I. Shek, K. F. Shtel'makh, A. N. Mikhaylov, D. I. Tetelbaum, “Si:Si LEDs with room-temperature dislocation-related luminescence”, Semiconductors, 50:2 (2016), 240–243 |
11
|
| 19. |
Е. В. Калинина, Г. Н. Виолина, В. П. Белик, А. В. Николаев, В. В. Забродский, “Квантовая эффективность 4$H$-SiC-детекторов в диапазоне 114–400 nm”, Письма в ЖТФ, 42:20 (2016), 73–78 ; E. V. Kalinina, G. N. Violina, V. P. Belik, A. V. Nikolaev, V. V. Zabrodskii, “Quantum efficiency of 4$H$-SiC detectors within the range of 114–400 nm”, Tech. Phys. Lett., 42:10 (2016), 1057–1059 |
5
|
|
2012 |
| 20. |
П. Н. Аруев, М. М. Барышева, Б. Я. Бер, Н. В. Забродская, В. В. Забродский, А. Я. Лопатин, А. Е. Пестов, М. В. Петренко, В. Н. Полковников, Н. Н. Салащенко, В. Л. Суханов, Н. И. Чхало, “Кремниевый фотодиод для экстремального ультрафиолетового диапазона спектра с селективным Zr/Si-покрытием”, Квантовая электроника, 42:10 (2012), 943–948 [P. N. Aruev, M. M. Barysheva, B. Ya. Ber, N. V. Zabrodskaya, V. V. Zabrodskii, A. Ya. Lopatin, A. E. Pestov, M. V. Petrenko, V. N. Polkovnikov, N. N. Salashchenko, V. L. Sukhanov, N. I. Chkhalo, “Silicon photodiode with selective Zr/Si coating for extreme ultraviolet spectral range”, Quantum Electron., 42:10 (2012), 943–948   ] |
26
|
|
Обратная связь: