Структурные и оптические характеристики ультрафиолетовых 4$H$-SiC-детекторов, облученных ионами аргона

Представлены результаты исследования влияния облучения тяжелыми ионами Ar на структурные и оптические характеристики 4$H$-SiC. Показано, что в результате уже однократного облучения ионами Ar с энергией 53 МэВ, флюенсом 1$\cdot$10$^{10}$ см$^{-2}$ в структуре карбида кремния преобладают как минимум две мощные локальные области с отрицательной деформацией. Наряду с этим в структуре наблюдается также область с положительной деформацией. Формирование локализованных кластеров с отрицательной и положительной деформациями наряду с ненарушенной матрицей сопровождается образованием дефектов линейного типа, частично снимающих напряжения в структуре. Предполагается, что возникающая сложная дефектная структура при облучении ионами Ar обеспечивает эффект геттерирования точечных дефектов и приводит к значениям квантовой эффективности ультрафиолетовых 4$H$-SiC-фотоприемников на уровне исходных образцов.