Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 6, страницы 580–584
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.06.49389.9369
(Mi phts5225)
 

Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Кремниевые светодиоды с люминесценцией (113) дефектов

А. Е. Калядин, К. Ф. Штельмах, П. Н. Аруев, В. В. Забродский, К. В. Карабешкин, Е. И. Шек, Н. А. Соболев

Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация: С применением имплантации ионов кислорода с энергией 350 кэВ и дозой 3.7 $\cdot$ 10$^{14}$ см$^{-2}$ и последующего отжига в хлорсодержащей атмосфере при 700$^\circ$С в течение 1 ч изготовлены кремниевые светодиоды с люминесценцией (113) дефектов. Электролюминесценция исследована в широких диапазонах температуры и мощности накачки. Во всех спектрах доминирует линия (113) дефектов. Температурная зависимость интенсивности линии зависит от мощности накачки в области низких температур: при низких плотностях тока наблюдается возгорание интенсивности с энергией 25 мэВ, а с ростом тока увеличения интенсивности не наблюдается. При более высоких температурах происходит гашение интенсивности с энергией 59 мэВ независимо от плотности тока. С ростом температуры положение максимума линии (113) дефекта смещается на такую же энергию, как ширина запрещенной зоны, а полуширина линии растет линейно.
Ключевые слова: (113) дефекты, кремний, светодиоды, электролюминесценция.
Поступила в редакцию: 10.02.2020
Исправленный вариант: 17.02.2020
Принята в печать: 17.02.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 6, Pages 687–690
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620060081
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. Е. Калядин, К. Ф. Штельмах, П. Н. Аруев, В. В. Забродский, К. В. Карабешкин, Е. И. Шек, Н. А. Соболев, “Кремниевые светодиоды с люминесценцией (113) дефектов”, Физика и техника полупроводников, 54:6 (2020), 580–584; Semiconductors, 54:6 (2020), 687–690
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KalShtAru20}
\by А.~Е.~Калядин, К.~Ф.~Штельмах, П.~Н.~Аруев, В.~В.~Забродский, К.~В.~Карабешкин, Е.~И.~Шек, Н.~А.~Соболев
\paper Кремниевые светодиоды с люминесценцией (113) дефектов
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 6
\pages 580--584
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5225}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.06.49389.9369}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=43800485}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 6
\pages 687--690
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620060081}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5225
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i6/p580
  • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:39
    PDF полного текста:12
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024