|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Полупроводниковые структуры, низкоразмерные системы, квантовые явления
Инжекционная терагерцовая электролюминесценция кремниевых $p$–$n$-структур
А. О. Захарьинa, Ю. Б. Васильевa, Н. А. Соболевa, В. В. Забродскийa, С. В. Егоровb, А. В. Андриановa a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский государственный горный университет
Аннотация:
В кремниевых $p^{+}$–$n$-структурах обнаружена инжекционная электролюминесценция в терагерцовом диапазоне при гелиевых температурах. Исследовались структуры, созданные диффузией бора в легированный фосфором $n$-кремний. В спектрах терагерцового излучения на фоне широкого плавного фона наблюдаются сравнительно узкие линии люминесценции. Спектральное положение ряда линий соответствует оптическим переходам в донорах фосфора. Внутрицентровые переходы электронов в донорах фосфора возбуждаются в результате рекомбинационных процессов, происходящих в $n$-области структуры при инжекции неравновесных дырок. Ряд других линий в спектрах терагерцового излучения связан с внутрицентровыми переходами в акцепторных центрах, которые также возбуждаются в результате инжекции. Бесструктурный фон в спектрах электролюминесценции может быть связан с излучением при внутризонной энергетической релаксации “горячих” носителей заряда, с эффективной температурой, превышающей температуру решетки, которые появляются в структуре в условиях инжекции.
Поступила в редакцию: 17.10.2016 Принята в печать: 24.10.2016
Образец цитирования:
А. О. Захарьин, Ю. Б. Васильев, Н. А. Соболев, В. В. Забродский, С. В. Егоров, А. В. Андрианов, “Инжекционная терагерцовая электролюминесценция кремниевых $p$–$n$-структур”, Физика и техника полупроводников, 51:5 (2017), 632–636; Semiconductors, 51:5 (2017), 604–607
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6158 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v51/i5/p632
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 29 | PDF полного текста: | 13 |
|