Физика твердого тела
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика твердого тела:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика твердого тела, 2016, том 58, выпуск 12, страницы 2411–2414 (Mi ftt9751)  
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

Примесные центры

Влияние дозы имплантации и длительности отжига на люминесцентные свойства (113) дефектов в Si, имплантированном ионами кислорода

Н. А. Соболевa, А. Е. Калядинa, П. Н. Аруевa, В. В. Забродскийa, Е. И. Шекa, К. Ф. Штельмахba, К. В. Карабешкинa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
PDF полного текста (265 kB) Список цитирования (4)
Аннотация: Исследованы фотолюминесцентные свойства (113) дефектов, образующихся в Si-структуре после имплантации ионов кислорода с энергией 350 keV и дозами 1.7 $\cdot$ 10$^{13}$–1.7 $\cdot$ 10$^{15}$ cm$^{-2}$ и последующего отжига при 700$^\circ$C в течение 0.5–2 h в хлорсодержащей атмосфере. Независимо от дозы имплантации и времени отжига в спектрах фотолюминесценции доминирует линия с длиной волны 1.37 $\mu$m, принадлежащая (113) дефекту. Зависимости интенсивности линии от дозы имплантации и длительности отжига характеризуются кривыми с максимумами. С ростом температуры измерения в диапазоне 64–120 K интенсивность линии монотонно уменьшается.
Поступила в редакцию: 18.05.2016
Исправленный вариант: 14.06.2016
Англоязычная версия:
Physics of the Solid State, 2016, Volume 58, Issue 12, Pages 2499–2502
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063783416120283
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. А. Соболев, А. Е. Калядин, П. Н. Аруев, В. В. Забродский, Е. И. Шек, К. Ф. Штельмах, К. В. Карабешкин, “Влияние дозы имплантации и длительности отжига на люминесцентные свойства (113) дефектов в Si, имплантированном ионами кислорода”, Физика твердого тела, 58:12 (2016), 2411–2414; Phys. Solid State, 58:12 (2016), 2499–2502
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SobKalAru16}
\by Н.~А.~Соболев, А.~Е.~Калядин, П.~Н.~Аруев, В.~В.~Забродский, Е.~И.~Шек, К.~Ф.~Штельмах, К.~В.~Карабешкин
\paper Влияние дозы имплантации и длительности отжига на люминесцентные свойства (113) дефектов в Si, имплантированном ионами кислорода
\jour Физика твердого тела
\yr 2016
\vol 58
\issue 12
\pages 2411--2414
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ftt9751}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=27368862}
\transl
\jour Phys. Solid State
\yr 2016
\vol 58
\issue 12
\pages 2499--2502
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063783416120283}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt9751
  • https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v58/i12/p2411
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика твердого тела Физика твердого тела
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:22
    PDF полного текста:6
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024