Аннотация:
Исследованы фотолюминесцентные свойства (113) дефектов, образующихся в Si-структуре после имплантации ионов кислорода с энергией 350 keV и дозами 1.7 $\cdot$ 10$^{13}$–1.7 $\cdot$ 10$^{15}$ cm$^{-2}$ и последующего отжига при 700$^\circ$C в течение 0.5–2 h в хлорсодержащей атмосфере. Независимо от дозы имплантации и времени отжига в спектрах фотолюминесценции доминирует линия с длиной волны 1.37 $\mu$m, принадлежащая (113) дефекту. Зависимости интенсивности линии от дозы имплантации и длительности отжига характеризуются кривыми с максимумами. С ростом температуры измерения в диапазоне 64–120 K интенсивность линии монотонно уменьшается.
Поступила в редакцию: 18.05.2016 Исправленный вариант: 14.06.2016
Образец цитирования:
Н. А. Соболев, А. Е. Калядин, П. Н. Аруев, В. В. Забродский, Е. И. Шек, К. Ф. Штельмах, К. В. Карабешкин, “Влияние дозы имплантации и длительности отжига на люминесцентные свойства (113) дефектов в Si, имплантированном ионами кислорода”, Физика твердого тела, 58:12 (2016), 2411–2414; Phys. Solid State, 58:12 (2016), 2499–2502