|
Физика твердого тела, 2016, том 58, выпуск 12, страницы 2411–2414
(Mi ftt9751)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)
Примесные центры
Влияние дозы имплантации и длительности отжига на люминесцентные свойства (113) дефектов в Si, имплантированном ионами кислорода
Н. А. Соболевa, А. Е. Калядинa, П. Н. Аруевa, В. В. Забродскийa, Е. И. Шекa, К. Ф. Штельмахba, К. В. Карабешкинa a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
Аннотация:
Исследованы фотолюминесцентные свойства (113) дефектов, образующихся в Si-структуре после имплантации ионов кислорода с энергией 350 keV и дозами 1.7 $\cdot$ 10$^{13}$–1.7 $\cdot$ 10$^{15}$ cm$^{-2}$ и последующего отжига при 700$^\circ$C в течение 0.5–2 h в хлорсодержащей атмосфере. Независимо от дозы имплантации и времени отжига в спектрах фотолюминесценции доминирует линия с длиной волны 1.37 $\mu$m, принадлежащая (113) дефекту. Зависимости интенсивности линии от дозы имплантации и длительности отжига характеризуются кривыми с максимумами. С ростом температуры измерения в диапазоне 64–120 K интенсивность линии монотонно уменьшается.
Поступила в редакцию: 18.05.2016 Исправленный вариант: 14.06.2016
Образец цитирования:
Н. А. Соболев, А. Е. Калядин, П. Н. Аруев, В. В. Забродский, Е. И. Шек, К. Ф. Штельмах, К. В. Карабешкин, “Влияние дозы имплантации и длительности отжига на люминесцентные свойства (113) дефектов в Si, имплантированном ионами кислорода”, Физика твердого тела, 58:12 (2016), 2411–2414; Phys. Solid State, 58:12 (2016), 2499–2502
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/ftt9751 https://www.mathnet.ru/rus/ftt/v58/i12/p2411
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 22 | PDF полного текста: | 6 |
|