Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 2, страницы 254–258 (Mi phts6548)  
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Физика полупроводниковых приборов

Электролюминесцентные свойства светодиодов на основе $p$-Si, облученного электронами

Н. А. Соболевa, К. Ф. Штельмахba, А. Е. Калядинa, П. Н. Аруевa, В. В. Забродскийa, Е. И. Шекa, D. Yangc

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
c State Key Laboratory of Silicon Materials and Department of Materials Science and Engineering, Zhejiang University, 310027 Hangzhou, People’s Republic of China
PDF полного текста (218 kB) Список цитирования (2)
Аннотация: Исследована электролюминесценция в светодиодных структурах $n^{+}$–$p$–$p^{+}$ на основе Si, облученного электронами и отожженного при высокой температуре. Светодиоды изготовлены путем газофазного осаждения слоев поликристаллического кремния, легированных бором и фосфором с высокой концентрацией. Трансформация спектров электролюминесценции в зависимости от тока в светодиодах хорошо описывается шестью гауссовыми кривыми. Положения максимумов этих кривых не зависят от тока и равны 1233, 1308, 1363, 1425, 1479, 1520 нм. Исследованы зависимости интегральной интенсивности электролюминесценции и полуширины линий от тока.
Поступила в редакцию: 09.07.2015
Принята в печать: 17.07.2015
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2016, Volume 50, Issue 2, Pages 252–256
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378261602024X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Н. А. Соболев, К. Ф. Штельмах, А. Е. Калядин, П. Н. Аруев, В. В. Забродский, Е. И. Шек, D. Yang, “Электролюминесцентные свойства светодиодов на основе $p$-Si, облученного электронами”, Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016), 254–258; Semiconductors, 50:2 (2016), 252–256
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{SobShtKal16}
\by Н.~А.~Соболев, К.~Ф.~Штельмах, А.~Е.~Калядин, П.~Н.~Аруев, В.~В.~Забродский, Е.~И.~Шек, D.~Yang
\paper Электролюминесцентные свойства светодиодов на основе $p$-Si, облученного электронами
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2016
\vol 50
\issue 2
\pages 254--258
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6548}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=25668121}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2016
\vol 50
\issue 2
\pages 252--256
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378261602024X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6548
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i2/p254
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:24
    PDF полного текста:6
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024