|
Физика и техника полупроводников, 2016, том 50, выпуск 2, страницы 254–258
(Mi phts6548)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)
Физика полупроводниковых приборов
Электролюминесцентные свойства светодиодов на основе $p$-Si, облученного электронами
Н. А. Соболевa, К. Ф. Штельмахba, А. Е. Калядинa, П. Н. Аруевa, В. В. Забродскийa, Е. И. Шекa, D. Yangc a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
c State Key Laboratory of Silicon Materials and Department of Materials Science and Engineering, Zhejiang University,
310027 Hangzhou, People’s Republic of China
Аннотация:
Исследована электролюминесценция в светодиодных структурах $n^{+}$–$p$–$p^{+}$ на основе Si, облученного электронами и отожженного при высокой температуре. Светодиоды изготовлены путем газофазного осаждения слоев поликристаллического кремния, легированных бором и фосфором с высокой концентрацией. Трансформация спектров электролюминесценции в зависимости от тока в светодиодах хорошо описывается шестью гауссовыми кривыми. Положения максимумов этих кривых не зависят от тока и равны 1233, 1308, 1363, 1425, 1479, 1520 нм. Исследованы зависимости интегральной интенсивности электролюминесценции и полуширины линий от тока.
Поступила в редакцию: 09.07.2015 Принята в печать: 17.07.2015
Образец цитирования:
Н. А. Соболев, К. Ф. Штельмах, А. Е. Калядин, П. Н. Аруев, В. В. Забродский, Е. И. Шек, D. Yang, “Электролюминесцентные свойства светодиодов на основе $p$-Si, облученного электронами”, Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016), 254–258; Semiconductors, 50:2 (2016), 252–256
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts6548 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v50/i2/p254
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 24 | PDF полного текста: | 6 |
|