|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
Физика полупроводниковых приборов
Структурные, электрические и оптические свойства 4$H$-SiC для ультрафиолетовых фотоприемников
Е. В. Калининаa, А. А. Каташевab, Г. Н. Виолинаb, А. М. Стрельчукa, И. П. Никитинаa, Е. В. Ивановаa, В. В. Забродскийa a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
Аннотация:
Представлены результаты исследования различными методиками исходных структур $n$-4$H$-SiC, представляющих высоколегированную $n^{+}$-подложку с выращенным химическим осаждением из газовой фазы эпитаксиальным слоем толщиной 5 мкм. Концентрация носителей заряда в эпитаксиальном слое в диапазоне $N_{d}-N_{a}$ = (1–50) $\cdot$ 10$^{14}$ см$^{-3}$. Привлекая результаты рентгеноструктурного анализа, было установлено, что для получения эффективных 4$H$-SiC ультрафиолетовых фотоприемников желательно иметь структуры эпитаксиальных слоев, в которых наблюдается эффект геттерирования точечных дефектов, что приводит к росту времени жизни носителей заряда и увеличению значений квантовой эффективности. Фоточувствительность исследованных образцов значительно зависит от степени дефектности в CVD эпитаксиальном слое, приводящей к изменению времени жизни носителей заряда и, как следствие, к изменению квантовой эффективности 4$H$-SiC ультрафиолетовых фотоприемников.
Ключевые слова:
карбид кремния, рентгеноструктурный анализ, эффект геттерирования, квантовая эффективность.
Поступила в редакцию: 03.08.2020 Исправленный вариант: 10.08.2020 Принята в печать: 10.08.2020
Образец цитирования:
Е. В. Калинина, А. А. Каташев, Г. Н. Виолина, А. М. Стрельчук, И. П. Никитина, Е. В. Иванова, В. В. Забродский, “Структурные, электрические и оптические свойства 4$H$-SiC для ультрафиолетовых фотоприемников”, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020), 1368–1373; Semiconductors, 54:12 (2020), 1628–1633
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5113 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i12/p1368
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 44 | PDF полного текста: | 24 |
|