Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 12, страницы 1368–1373
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.12.50239.9498
(Mi phts5113)
 

Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Физика полупроводниковых приборов

Структурные, электрические и оптические свойства 4$H$-SiC для ультрафиолетовых фотоприемников

Е. В. Калининаa, А. А. Каташевab, Г. Н. Виолинаb, А. М. Стрельчукa, И. П. Никитинаa, Е. В. Ивановаa, В. В. Забродскийa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
Аннотация: Представлены результаты исследования различными методиками исходных структур $n$-4$H$-SiC, представляющих высоколегированную $n^{+}$-подложку с выращенным химическим осаждением из газовой фазы эпитаксиальным слоем толщиной 5 мкм. Концентрация носителей заряда в эпитаксиальном слое в диапазоне $N_{d}-N_{a}$ = (1–50) $\cdot$ 10$^{14}$ см$^{-3}$. Привлекая результаты рентгеноструктурного анализа, было установлено, что для получения эффективных 4$H$-SiC ультрафиолетовых фотоприемников желательно иметь структуры эпитаксиальных слоев, в которых наблюдается эффект геттерирования точечных дефектов, что приводит к росту времени жизни носителей заряда и увеличению значений квантовой эффективности. Фоточувствительность исследованных образцов значительно зависит от степени дефектности в CVD эпитаксиальном слое, приводящей к изменению времени жизни носителей заряда и, как следствие, к изменению квантовой эффективности 4$H$-SiC ультрафиолетовых фотоприемников.
Ключевые слова: карбид кремния, рентгеноструктурный анализ, эффект геттерирования, квантовая эффективность.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 16-12-10106
Работа выполнена при поддержке Российского научного фонда (проект № 16-12-10106).
Поступила в редакцию: 03.08.2020
Исправленный вариант: 10.08.2020
Принята в печать: 10.08.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 12, Pages 1628–1633
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620120118
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Е. В. Калинина, А. А. Каташев, Г. Н. Виолина, А. М. Стрельчук, И. П. Никитина, Е. В. Иванова, В. В. Забродский, “Структурные, электрические и оптические свойства 4$H$-SiC для ультрафиолетовых фотоприемников”, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020), 1368–1373; Semiconductors, 54:12 (2020), 1628–1633
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{KalKatVio20}
\by Е.~В.~Калинина, А.~А.~Каташев, Г.~Н.~Виолина, А.~М.~Стрельчук, И.~П.~Никитина, Е.~В.~Иванова, В.~В.~Забродский
\paper Структурные, электрические и оптические свойства 4$H$-SiC для ультрафиолетовых фотоприемников
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 12
\pages 1368--1373
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5113}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.12.50239.9498}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=44368074}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 12
\pages 1628--1633
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620120118}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5113
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i12/p1368
  • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:44
    PDF полного текста:24
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024