Влияние температуры на характеристики 4$H$-SiC-фотоприемника

Выявлено и объяснено в рамках теории фотопроводимости влияние концентрации носителей заряда в диапазоне (1 – 50) $\cdot$10$^{14}$ см$^{-3}$ в $n$-4$H$-SiC CVD эпитаксиальных слоях на спектральные характеристики ультрафиолетовых фотоприемников c Сr-барьерами Шоттки в интервале 200–400 нм. Барьеры Шоттки с толщиной пленки Cr 20 нм и диаметром 8 мм формировались термовакуумным напылением через маски. Наблюдалось заметное влияние концентрации носителей заряда в CVD эпитаксиальных слоях на спектральные характеристики фотоприемников при нагреве до 200$^\circ$С, что объясняется различием генерационно-рекомбинационных процессов. Облучение фотоприемников протонами с энергией 15 МэВ флюенсом 4$\cdot$10$^{12}$ см$^{-2}$ при температуре 200$^\circ$С приводило к возрастанию квантовой эффективности по сравнению с образцами, облученными в аналогичных режимах при 25$^\circ$С. Это свидетельствует о возрастании радиационного и временного ресурсов 4$H$-SiC-приборов при повышенных температурах.