|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
П. А. Дементьев, Е. В. Дементьева, М. Н. Лапушкин, Д. А. Смирнов, С. Н. Тимошнев, “Электронная структура термически окисленного вольфрама”, Физика твердого тела, 63:8 (2021), 1166–1171   ; P. A. Dementev, E. V. Dementevа, M. N. Lapushkin, D. A. Smirnov, S. N. Timoshnev, “Electronic structure of thermally oxidized tungsten”, Phys. Solid State, 63 (2021), 1153–1158 |
|
2020 |
| 2. |
П. А. Дементьев, Е. В. Иванова, М. Н. Лапушкин, Д. А. Смирнов, С. Н. Тимошнев, “Электронная структура ультратонкой пленки окисла молибдена”, Физика твердого тела, 62:10 (2020), 1618–1626 ; P. A. Dementev, E. V. Ivanova, M. N. Lapushkin, D. A. Smirnov, S. N. Timoshnev, “Electronic structure of an ultrathin molybdenum oxide film”, Phys. Solid State, 62:10 (2020), 1787–1795 |
2
|
| 3. |
П. А. Дементьев, Е. В. Иванова, М. Н. Лапушкин, Д. А. Смирнов, С. Н. Тимошнев, “Влияние адсорбции атомов натрия и прогрева на наночастицы золота, адсорбированные на вольфраме”, Физика твердого тела, 62:8 (2020), 1171–1178 ; P. A. Dementev, E. V. Ivanova, M. N. Lapushkin, D. A. Smirnov, S. N. Timoshnev, “Gold nanoparticles adsorbed on tungsten: effect of sodium atom deposition and heating”, Phys. Solid State, 62:8 (2020), 1317–1324 |
| 4. |
P. A. Dementev, E. V. Ivanova, M. N. Lapushkin, D. A. Smirnov, S. N. Timoshnev, “Electronic structure of molybdenum oxide oxidized at different pressures”, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020), 1395 ; Semiconductors, 54:12 (2020), 1698–1701 |
2
|
| 5. |
П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, Д. С. Золотухин, А. С. Леньшин, Ю. Ю. Худяков, А. М. Мизеров, С. Н. Тимошнев, И. Н. Арсентьев, А. Н. Бельтюков, Harald Leiste, С. А. Кукушкин, “Влияние слоя нанопористого кремния на практическую реализацию и особенности эпитаксиального роста слоев GaN на темплейтах SiC/$por$-Si/$c$-Si”, Физика и техника полупроводников, 54:5 (2020), 491–503 ; P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, D. S. Zolotukhin, A. S. Len'shin, Yu. Yu. Khudyakov, A. M. Mizerov, S. N. Timoshnev, I. N. Arsent'ev, A. N. Beltyukov, Harald Leiste, S. A. Kukushkin, “Influence of a nanoporous silicon layer on the practical implementation and specific features of the epitaxial growth of GaN layers on SiC/$por$-Si/$c$-Si templates”, Semiconductors, 54:5 (2020), 596–608 |
3
|
| 6. |
П. В. Середин, Д. Л. Голощапов, Д. С. Золотухин, А. С. Леньшин, А. М. Мизеров, С. Н. Тимошнев, Е. В. Никитина, И. Н. Арсентьев, С. А. Кукушкин, “Оптические свойства гибридных гетероструктур GaN/SiC/$por$-Si/Si(111)”, Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020), 346–354 ; P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, D. S. Zolotukhin, A. S. Len'shin, A. M. Mizerov, S. N. Timoshnev, E. V. Nikitina, I. N. Arsent'ev, S. A. Kukushkin, “Optical properties of GaN/SiC/$por$-Si/Si(111) hybrid heterostructures”, Semiconductors, 54:4 (2020), 417–425 |
2
|
|
2019 |
| 7. |
G. V. Benemanskaya, S. A. Kukushkin, S. N. Timoshnev, “Aromatic-like carbon nanostructures created on the vicinal SiC surfaces”, Физика твердого тела, 61:12 (2019), 2436 ; Phys. Solid State, 61:12 (2019), 2455–2458 |
1
|
| 8. |
С. Н. Тимошнев, А. М. Мизеров, Г. В. Бенеманская, С. А. Кукушкин, А. Д. Буравлев, “Фотоэмиссионные исследования электронной структуры GaN, выращенного методом молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота”, Физика твердого тела, 61:12 (2019), 2294–2297 ; S. N. Timoshnev, A. M. Mizerov, G. V. Benemanskaya, S. A. Kukushkin, A. D. Bouravlev, “Photoemission studies of the electronic structure of GaN grown by plasma assisted molecular beam epitaxy”, Phys. Solid State, 61:12 (2019), 2282–2285 |
3
|
| 9. |
А. М. Мизеров, С. А. Кукушкин, Ш. Ш. Шарофидинов, А. В. Осипов, С. Н. Тимошнев, К. Ю. Шубина, Т. Н. Березовская, Д. В. Мохов, А. Д. Буравлев, “Метод управления полярностью слоев GaN при эпитаксиальном синтезе GaN/AlN гетероструктур на гибридных подложках SiC/Si”, Физика твердого тела, 61:12 (2019), 2289–2293 ; A. M. Mizerov, S. A. Kukushkin, Sh. Sh. Sharofidinov, A. V. Osipov, S. N. Timoshnev, K. Yu. Shubina, T. N. Berezovskaya, D. V. Mokhov, A. D. Bouravlev, “Method for controlling the polarity of gallium nitride layers in epitaxial synthesis of GaN/AlN heterostructures on hybrid SiC/Si substrates”, Phys. Solid State, 61:12 (2019), 2277–2281 |
4
|
| 10. |
П. А. Дементьев, Е. В. Иванова, М. Н. Лапушкин, Д. А. Смирнов, С. Н. Тимошнев, “Электронная структура молибдена, окисленного на воздухе”, Физика твердого тела, 61:11 (2019), 2024–2029 ; P. A. Dementev, E. V. Ivanova, M. N. Lapushkin, D. A. Smirnov, S. N. Timoshnev, “Electronic structure of molybdenum oxidized in air”, Phys. Solid State, 61:11 (2019), 1993–1998 |
1
|
| 11. |
А. М. Мизеров, С. Н. Тимошнев, Е. В. Никитина, М. С. Соболев, К. Ю. Шубин, Т. Н. Березовская, Д. В. Мохов, В. В. Лундин, А. Е. Николаев, А. Д. Буравлев, “Особенности МПЭ ПА синтеза слоев $n^{+}$-GaN на виртуальных подложках GaN/$c$-Al$_{2}$O$_{3}$”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1212–1217 ; A. M. Mizerov, S. N. Timoshnev, E. V. Nikitina, M. S. Sobolev, K. Yu. Shubin, T. N. Berezovskaya, D. V. Mokhov, V. V. Lundin, A. E. Nikolaev, A. D. Bouravlev, “On the specific features of the plasma-assisted mbe synthesis of $n^{+}$-GaN layers on GaN/$c$-Al$_{2}$O$_{3}$ templates”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1187–1191 |
4
|
| 12. |
С. А. Кукушкин, А. М. Мизеров, А. С. Гращенко, А. В. Осипов, Е. В. Никитина, С. Н. Тимошнев, А. Д. Буравлев, М. С. Соболев, “Фотоэлектрические свойства слоев GaN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии с плазменной активацией на подложках Si(111) и эпитаксиальных слоях SiC на Si(111)”, Физика и техника полупроводников, 53:2 (2019), 190–198 ; S. A. Kukushkin, A. M. Mizerov, A. S. Grashchenko, A. V. Osipov, E. V. Nikitina, S. N. Timoshnev, A. D. Bouravlev, M. S. Sobolev, “Photoelectric properties of GaN layers grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy on Si(111) substrates and SiC/Si(111) epitaxial layers”, Semiconductors, 53:2 (2019), 180–187 |
4
|
| 13. |
Г. В. Бенеманская, П. А. Дементьев, С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, С. Н. Тимошнев, “Новый тип углеродной наноструктуры на вицинальной поверхности SiС(111)-8$^\circ$”, Письма в ЖТФ, 45:5 (2019), 17–20 ; G. V. Benemanskaya, P. A. Dementev, S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, S. N. Timoshnev, “A new type of carbon nanostructure on a vicinal SiС(111)-8$^\circ$ surface”, Tech. Phys. Lett., 45:3 (2019), 201–204 |
8
|
|
2018 |
| 14. |
А. М. Мизеров, С. Н. Тимошнев, М. С. Соболев, Е. В. Никитина, К. Ю. Шубина, Т. Н. Березовская, И. В. Штром, А. Д. Буравлев, “Особенности начальных стадий роста GaN на подложках Si(111) при молекулярно-пучковой эпитаксии с плазменной активацией азота”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1425–1429 ; A. M. Mizerov, S. N. Timoshnev, M. S. Sobolev, E. V. Nikitina, K. Yu. Shubina, T. N. Berezovskaya, I. V. Shtrom, A. D. Bouravlev, “Features of the initial stage of GaN growth on Si(111) substrates by nitrogen-plasma-assisted molecular-beam epitaxy”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1529–1533 |
17
|
| 15. |
Sergei Timoshnev, Andrey Mizerov, Maxim Sobolev, Ekaterina Nikitina, “Growth of GaN layers on Si(111) substrates by plasma-assisted molecular beam epitaxy”, Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018), 524 ; Semiconductors, 52:5 (2018), 660–663 |
4
|
| 16. |
Г. В. Бенеманская, М. Н. Лапушкин, Д. Е. Марченко, С. Н. Тимошнев, “Электронная структура наноинтерфейса Cs/$n$-GaN(0001)”, Письма в ЖТФ, 44:6 (2018), 50–58 ; G. V. Benemanskaya, M. N. Lapushkin, D. E. Marchenko, S. N. Timoshnev, “The electronic structure of the Cs/$n$-GaN(0001) nano-interface”, Tech. Phys. Lett., 44:3 (2018), 247–250 |
5
|
|
2017 |
| 17. |
Д. В. Мохов, Т. Н. Березовская, А. Г. Кузьменков, Н. А. Малеев, С. Н. Тимошнев, В. М. Устинов, “Прецизионная калибровка уровня легирования кремнием эпитаксиальных слоев арсенида галлия”, Письма в ЖТФ, 43:19 (2017), 87–94 ; D. V. Mokhov, T. N. Berezovskaya, A. G. Kuz'menkov, N. A. Maleev, S. N. Timoshnev, V. M. Ustinov, “Precision calibration of the silicon doping level in gallium arsenide epitaxial layers”, Tech. Phys. Lett., 43:10 (2017), 909–911 |
1
|
|
2016 |
| 18. |
Г. В. Бенеманская, П. А. Дементьев, С. А. Кукушкин, М. Н. Лапушкин, Б. В. Сеньковский, С. Н. Тимошнев, “Индуцированные поверхностные состояния ультратонкого интерфейса Ва/3$C$-SiC(111)”, Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016), 465–469 ; G. V. Benemanskaya, P. A. Dementev, S. A. Kukushkin, M. N. Lapushkin, B. V. Senkovskiy, S. N. Timoshnev, “Induced surface states of the ultrathin Ва/3$C$-SiC(111) interface”, Semiconductors, 50:4 (2016), 457–461 |
2
|
| 19. |
Г. В. Бенеманская, П. А. Дементьев, С. А. Кукушкин, М. Н. Лапушкин, А. В. Осипов, С. Н. Тимошнев, “Фотоэмиссионные исследования вицинальной поверхности SiC(100) 4$^\circ$ и интерфейса Cs/SiC(100) 4$^\circ$”, Письма в ЖТФ, 42:23 (2016), 51–57 ; G. V. Benemanskaya, P. A. Dementev, S. A. Kukushkin, M. N. Lapushkin, A. V. Osipov, S. N. Timoshnev, “Photoemission studies of the vicinal SiC(100) 4$^\circ$ surface and the Cs/SiC(100) 4$^\circ$ interface”, Tech. Phys. Lett., 42:12 (2016), 1145–1148 |
3
|
|
2010 |
| 20. |
Г. В. Бенеманская, В. Н. Жмерик, М. Н. Лапушкин, С. Н. Тимошнев, “Электронная структура границы раздела Ва/$n$-AlGaN(0001) и формирование вырожденного 2D электронного газа”, Письма в ЖЭТФ, 91:12 (2010), 739–743 ; G. V. Benemanskaya, V. N. Zhmerik, M. N. Lapushkin, S. N. Timoshnev, “Electronic structure of a Ba/n-AlGaN(0001) interface and the formation of a degenerate 2D electron gas”, JETP Letters, 91:12 (2010), 670–674   |
3
|
|
2008 |
| 21. |
Г. В. Бенеманская, В. С. Вихнин, С. Н. Тимошнев, “Эффект самоорганизации наноструктур на поверхности $n$-GaN(0001) при адсорбции Cs и Ва”, Письма в ЖЭТФ, 87:2 (2008), 119–123 ; G. V. Benemanskaya, V. S. Vikhnin, S. N. Timoshnev, “Self-organization of nanostructures on the n -GaN(0001) surface in the Cs and Ba adsorption”, JETP Letters, 87:2 (2008), 111–114 |
3
|
|
Обратная связь: