Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 5, страница 524 (Mi phts5850)  
Эта публикация цитируется в 4 научных статьях (всего в 4 статьях)

XXV International Symposium ''Nanostructures: Physics and Technology'', Saint Petersburg, June 26-30, 2017
Nanostructure Technology

Growth of GaN layers on Si(111) substrates by plasma-assisted molecular beam epitaxy

Sergei Timoshnev, Andrey Mizerov, Maxim Sobolev, Ekaterina Nikitina

St. Petersburg National Research Academic University of the Russian Academy of Sciences, 194021 St. Petersburg, Russia
PDF полного текста (27 kB) Список цитирования (4)
Аннотация: The studies of the growth kinetics of GaN layers grown on nitridated Si(111) substrates by plasmaassisted molecular beam epitaxy are presented. The nucleation and overgrowth of the separate GaN/Si(111) nanocolumns during single growth run is demonstrated. The technique of the in situ control of the GaN/Si(111) nanocolumns lateral size is proposed.
Финансовая поддержка Номер гранта
Министерство образования и науки Российской Федерации 6.9789.2017/BCh
Сколковский институт науки и технологий 3663-MRA
The growth experiments were supported financially by the Ministry of Education and Science of the Russian Federation No 6.9789.2017/BCh. The studies of morphological and electrical properties of the samples were supported financially in the framework of the implementation of the “Investigation of the physical principles of plasma-assisted molecular beam epitaxy of wide-bandgap group three nitride semiconductors on lattice-mismatched silicon substrates” project under the Master Research Agreement between Skoltech and SPbAU RAS No 3663-MRA.
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 5, Pages 660–663
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618050342
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: Sergei Timoshnev, Andrey Mizerov, Maxim Sobolev, Ekaterina Nikitina, “Growth of GaN layers on Si(111) substrates by plasma-assisted molecular beam epitaxy”, Физика и техника полупроводников, 52:5 (2018), 524; Semiconductors, 52:5 (2018), 660–663
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{TimMizSob18}
\by Sergei~Timoshnev, Andrey~Mizerov, Maxim~Sobolev, Ekaterina~Nikitina
\paper Growth of GaN layers on Si(111) substrates by plasma-assisted molecular beam epitaxy
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 5
\pages 524
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5850}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=32740388}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 5
\pages 660--663
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618050342}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5850
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i5/p524
    • Эта публикация цитируется в следующих 4 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:39
    PDF полного текста:17
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024