Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 12, страница 1395 (Mi phts6694)  
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

NANOSTRUCTURES : PHYSICS AND TECHNOLOGY 28th International Symposium (Minsk, Republic of Belarus, September, 2020)
Nanostructure Characterization

Electronic structure of molybdenum oxide oxidized at different pressures

P. A. Dementeva, E. V. Ivanovaa, M. N. Lapushkina, D. A. Smirnovb, S. N. Timoshnevc

a Ioffe Institute, 194021 St. Petersburg, 194021 Russia
b Institut für Festkörper- und Materialphysik, Technische Universität Dresden, 01062 Dresden, Germany
c Alferov University, 194021 St. Petersburg, 194021 Russia
PDF полного текста (26 kB) Список цитирования (1)
Аннотация: Electronic structure of molybdenum oxides obtained by the oxidation of molybdenum at an oxygen pressure of 1 Torr (thin film) and air (thick film) was studied. It was shown that a thick oxide film is formed from MoO$_3$ oxide, and a thin film from a mixture of MoO$_3$ and MoO$_2$ oxides, which is reflected in the form of valence band spectra. Oxygen on the surface belongs both in molybdenum oxide and in the hydroxyl group, which is associated with dissociative adsorption of water during the oxidation of molybdenum in air for a thick film.
Ключевые слова: molybdenum oxide, oxidation, valence band, photoelectron spectroscopy.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 20‑02‑00370
The study was carried out with the financial support of the Russian Foundation for Basic Research in the framework of the scientific project no. 20‑02‑00370.
Поступила в редакцию: 23.06.2020
Исправленный вариант: 23.07.2020
Принята в печать: 27.07.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 12, Pages 1698–1701
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620120040
Тип публикации: Статья
Язык публикации: английский
Образец цитирования: P. A. Dementev, E. V. Ivanova, M. N. Lapushkin, D. A. Smirnov, S. N. Timoshnev, “Electronic structure of molybdenum oxide oxidized at different pressures”, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020), 1395; Semiconductors, 54:12 (2020), 1698–1701
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{DemIvaLap20}
\by P.~A.~Dementev, E.~V.~Ivanova, M.~N.~Lapushkin, D.~A.~Smirnov, S.~N.~Timoshnev
\paper Electronic structure of molybdenum oxide oxidized at different pressures
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 12
\pages 1395
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts6694}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 12
\pages 1698--1701
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620120040}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts6694
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i12/p1395
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:44
    PDF полного текста:8
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024