Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2017, том 43, выпуск 19, страницы 87–94
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2017.19.45086.16931 (Mi pjtf6113) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

Прецизионная калибровка уровня легирования кремнием эпитаксиальных слоев арсенида галлия

Д. В. Моховa, Т. Н. Березовскаяab, А. Г. Кузьменковbc, Н. А. Малеевbd, С. Н. Тимошневa, В. М. Устиновbce

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
c Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, г. Санкт-Петербург
d Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет «ЛЭТИ» им. В. И. Ульянова (Ленина)
e Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого
PDF полного текста (91 kB) Список цитирования (1)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2017.19.45086.16931
Аннотация: Рассмотрен подход к обеспечению прецизионной калибровки уровня легирования кремнием эпитаксиальных слоев арсенида галлия, основанный на исследовании зависимости концентрации носителей заряда в тестовом слое GaAs от температуры источника кремния методами на основе эффекта Холла и CV-профилирования. Для измерений параметров используются стандартные или аттестованные методики измерений и средства измерений утвержденного типа. Показано, что использование метода CV-профилирования для контроля концентрации носителей заряда в тестовом слое GaAs при тщательной оптимизации измерительной процедуры обеспечивает наивысшую точность и достоверность калибровки уровня легирования эпитаксиальных слоев с относительной погрешностью не более 2.5%.
Поступила в редакцию: 22.06.2017
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2017, Volume 43, Issue 10, Pages 909–911
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063785017100091
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Д. В. Мохов, Т. Н. Березовская, А. Г. Кузьменков, Н. А. Малеев, С. Н. Тимошнев, В. М. Устинов, “Прецизионная калибровка уровня легирования кремнием эпитаксиальных слоев арсенида галлия”, Письма в ЖТФ, 43:19 (2017), 87–94; Tech. Phys. Lett., 43:10 (2017), 909–911
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MokBerKuz17}
\by Д.~В.~Мохов, Т.~Н.~Березовская, А.~Г.~Кузьменков, Н.~А.~Малеев, С.~Н.~Тимошнев, В.~М.~Устинов
\paper Прецизионная калибровка уровня легирования кремнием эпитаксиальных слоев арсенида галлия
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2017
\vol 43
\issue 19
\pages 87--94
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf6113}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2017.19.45086.16931}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=30054533}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2017
\vol 43
\issue 10
\pages 909--911
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063785017100091}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf6113
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v43/i19/p87
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:34
    PDF полного текста:5
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024