|
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)
Электронная структура наноинтерфейса Cs/$n$-GaN(0001)
Г. В. Бенеманскаяa, М. Н. Лапушкинa, Д. Е. Марченкоb, С. Н. Тимошневc a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie,
Elektronenspeicherring BESSY II, Berlin, Germany
c Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова
Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Впервые проведены фотоэмиссионные исследования методом фотоэлектронной спектроскопии in situ электронной структуры поверхности $n$-GaN(0001) и интерфейса Cs/$n$-GaN(0001) в диапазоне субмонослойных Cs-покрытий. Изучены спектры фотоэмиссии из валентной зоны, спектры поверхностных состояний и остовных уровней Ga 3$d$, Cs 4$d$ и Cs 5$p$ при синхротронном возбуждении в диапазоне энергий фотонов 50–150 eV. Обнаружена эволюция спектра поверхностных состояний вблизи максимума валентной зоны при адсорбции атомов Cs. Показан металлический характер наноинтерфейса Cs/$n$-GaN(0001).
Поступила в редакцию: 23.05.2017
Образец цитирования:
Г. В. Бенеманская, М. Н. Лапушкин, Д. Е. Марченко, С. Н. Тимошнев, “Электронная структура наноинтерфейса Cs/$n$-GaN(0001)”, Письма в ЖТФ, 44:6 (2018), 50–58; Tech. Phys. Lett., 44:3 (2018), 247–250
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5856 https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v44/i6/p50
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 27 | PDF полного текста: | 8 |
|