Письма в Журнал технической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Письма в ЖТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Письма в Журнал технической физики, 2018, том 44, выпуск 6, страницы 50–58
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2018.06.45767.16885 (Mi pjtf5856) 		 
Эта публикация цитируется в 5 научных статьях (всего в 5 статьях)

Электронная структура наноинтерфейса Cs/$n$-GaN(0001)

Г. В. Бенеманскаяa, М. Н. Лапушкинa, Д. Е. Марченкоb, С. Н. Тимошневc

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Helmholtz-Zentrum Berlin für Materialien und Energie, Elektronenspeicherring BESSY II, Berlin, Germany
c Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (142 kB) Список цитирования (5)
DOI: https://doi.org/10.21883/PJTF.2018.06.45767.16885
Аннотация: Впервые проведены фотоэмиссионные исследования методом фотоэлектронной спектроскопии in situ электронной структуры поверхности $n$-GaN(0001) и интерфейса Cs/$n$-GaN(0001) в диапазоне субмонослойных Cs-покрытий. Изучены спектры фотоэмиссии из валентной зоны, спектры поверхностных состояний и остовных уровней Ga 3$d$, Cs 4$d$ и Cs 5$p$ при синхротронном возбуждении в диапазоне энергий фотонов 50–150 eV. Обнаружена эволюция спектра поверхностных состояний вблизи максимума валентной зоны при адсорбции атомов Cs. Показан металлический характер наноинтерфейса Cs/$n$-GaN(0001).
Поступила в редакцию: 23.05.2017
Англоязычная версия:
Technical Physics Letters, 2018, Volume 44, Issue 3, Pages 247–250
DOI: https://doi.org/10.1134/S106378501803015X
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: Г. В. Бенеманская, М. Н. Лапушкин, Д. Е. Марченко, С. Н. Тимошнев, “Электронная структура наноинтерфейса Cs/$n$-GaN(0001)”, Письма в ЖТФ, 44:6 (2018), 50–58; Tech. Phys. Lett., 44:3 (2018), 247–250
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BenLapMar18}
\by Г.~В.~Бенеманская, М.~Н.~Лапушкин, Д.~Е.~Марченко, С.~Н.~Тимошнев
\paper Электронная структура наноинтерфейса Cs/$n$-GaN(0001)
\jour Письма в ЖТФ
\yr 2018
\vol 44
\issue 6
\pages 50--58
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/pjtf5856}
\crossref{https://doi.org/10.21883/PJTF.2018.06.45767.16885}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=32740236}
\transl
\jour Tech. Phys. Lett.
\yr 2018
\vol 44
\issue 3
\pages 247--250
\crossref{https://doi.org/10.1134/S106378501803015X}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf5856
  • https://www.mathnet.ru/rus/pjtf/v44/i6/p50
    • Эта публикация цитируется в следующих 5 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Письма в Журнал технической физики Письма в Журнал технической физики
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024