|
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2008, том 87, выпуск 2, страницы 119–123
(Mi jetpl24)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ
Эффект самоорганизации наноструктур на поверхности $n$-GaN(0001) при адсорбции Cs и Ва
Г. В. Бенеманская, В. С. Вихнин, С. Н. Тимошнев Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия
Аннотация:
На поверхности GaN(0001) $n$-типа создана in situ в сверхвысоком вакууме регулярная самоорганизованная 2D наноструктура нового типа – “наносоты”. Наноструктура сформирована в результате многократной послойной адсорбции Cs и Ba. Структура характеризуется высокой степенью регулярности в микродиапазоне, организована в виде сот с диаметром 60–70 нм и высотой стенок $\sim7\,$нм. Обнаружено, что наноструктура обладает квази-металлической проводимостью, малой работой выхода $\sim1.4\,$эВ и высоким квантовым выходом фотоэмиссии при возбуждении светом в области прозрачности GaN. Предложена модель самоорганизации, в которой рассматривается формирование поверхностной 2D длиннопериодической несоразмерной фазы, взаимодействующей со сверхструктурой кластеров ионов $\mathrm{Cs}^+$ и $\mathrm{Ba}^{2+}$, с учетом поляронной компенсации на поверхности GaN.
Поступила в редакцию: 22.11.2007 Исправленный вариант: 03.12.2007
Образец цитирования:
Г. В. Бенеманская, В. С. Вихнин, С. Н. Тимошнев, “Эффект самоорганизации наноструктур на поверхности $n$-GaN(0001) при адсорбции Cs и Ва”, Письма в ЖЭТФ, 87:2 (2008), 119–123; JETP Letters, 87:2 (2008), 111–114
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl24 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v87/i2/p119
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 292 | PDF полного текста: | 104 | Список литературы: | 22 |
|