|
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2010, том 91, выпуск 12, страницы 739–743
(Mi jetpl751)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ
Электронная структура границы раздела Ва/$n$-AlGaN(0001) и формирование вырожденного 2D электронного газа
Г. В. Бенеманская, В. Н. Жмерик, М. Н. Лапушкин, С. Н. Тимошнев Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН
Аннотация:
Проведены исследования электронной структуры ультратонких интерфейсов Ba/$n$-AlGaN(0001) в сверхвысоком вакууме in situ с помощью метода ультрафиолетовой фотоэлектронной спектроскопии. Изучены спектры фотоэмиссии из валентной зоны $n$-AlGaN и спектры остовных уровней Ga $3d$, Al $2p$, Ba $4d$ при синхротронном возбуждении с энергиями фотонов $60 \div 400$ эВ. Обнаружена модификация всех спектров в процессе формирования границы раздела Ва/$n$-AlGaN в режиме субмонослойных Ва покрытий. Найдено, что спад интенсивности отдельных участков спектра валентной зоны связан с взаимодействием поверхностных состояний подложки AlGaN с адатомами Ва. Обнаружено, что формирование интерфейса приводит к появлению в запрещенной зоне AlGaN на уровне Ферми нового фотоэмиссионного пика квазиметаллического характера. Установлено, что природа пика связана с формированием вырожденного электронного газа в аккумуляционном нанослое, индуцированном адсорбцией в непосредственной близости к поверхности $n$-AlGaN.
Поступила в редакцию: 19.05.2010
Образец цитирования:
Г. В. Бенеманская, В. Н. Жмерик, М. Н. Лапушкин, С. Н. Тимошнев, “Электронная структура границы раздела Ва/$n$-AlGaN(0001) и формирование вырожденного 2D электронного газа”, Письма в ЖЭТФ, 91:12 (2010), 739–743; JETP Letters, 91:12 (2010), 670–674
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl751 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v91/i12/p739
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 182 | PDF полного текста: | 73 | Список литературы: | 24 |
|