|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2022 |
| 1. |
E. I. Girshova, G. Pozina, A. V. Belonovskii, M. I. Mitrofanov, I. V. Levitskii, G. V. Voznyuk, V. P. Evtikhiev, S. N. Rodin, M. A. Kaliteevskii, “Enhancement of the basal-plane stacking fault emission in GaN planar nanowire microcavity”, Письма в ЖЭТФ, 115:10 (2022), 611–612   ; JETP Letters, 115:10 (2022), 574–580 |
1
|
|
2021 |
| 2. |
В. Н. Бессолов, Е. В. Коненкова, Т. А. Орлова, С. Н. Родин, “Начальные стадии роста полуполярного AlN на наноструктурированной Si(100) подложке”, Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021), 908–911  ; V. N. Bessolov, E. V. Konenkova, T. A. Orlova, S. N. Rodin, “Initial stages of growth of semipolar AlN on a nanopatterned Si(100) substrate”, Semiconductors, 55:10 (2021), 812–815 |
| 3. |
В. Н. Бессолов, Е. В. Коненкова, С. Н. Родин, Д. С. Кибалов, В. К. Смирнов, “Образование полуполярных III-нитридных слоев на поверхности Si(100), структурированной с помощью самоформирующейся наномаски”, Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021), 356–359 ; V. N. Bessolov, E. V. Konenkova, S. N. Rodin, D. S. Kibalov, V. K. Smirnov, “Formation of semipolar III-nitride layers on patterned Si(100) substrates with a self-forming nanomask”, Semiconductors, 55:4 (2021), 395–398 |
3
|
|
2020 |
| 4. |
M. I. Mitrofanov, G. V. Voznyuk, S. N. Rodin, W. V. Lundin, V. P. Evtikhiev, A. F. Tsatsulnikov, M. A. Kaliteevski, “Calculation of the Ga+ FIB ion dose distribution by SEM image”, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020), 1390 ; Semiconductors, 54:12 (2020), 1682–1684 |
4
|
| 5. |
А. В. Белоновский, Г. Р. Позина, Я. В. Левитский, К. М. Морозов, М. И. Митрофанов, Е. И. Гиршова, К. А. Иванов, С. Н. Родин, В. П. Евтихиев, М. А. Калитеевский, “Сильная связь экситонов в микрорезонаторах GaN гексагональной формы”, Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020), 85–88 ; A. V. Belonovski, G. R. Pozina, Ya. V. Levitskii, K. M. Morozov, M. I. Mitrofanov, E. I. Girshova, K. A. Ivanov, S. N. Rodin, V. P. Evtikhiev, M. A. Kaliteevskii, “Strong coupling of excitons in hexagonal GaN microcavities”, Semiconductors, 54:1 (2020), 127–130 |
1
|
| 6. |
В. Н. Бессолов, Н. Д. Грузинов, М. Е. Компан, Е. В. Коненкова, В. Н. Пантелеев, С. Н. Родин, М. П. Щеглов, “Газофазная эпитаксия слоев AlN на темплейте AlN/Si(111), синтезированном методом реактивного магнетронного распыления”, Письма в ЖТФ, 46:8 (2020), 29–31 ; V. N. Bessolov, N. D. Gruzinov, M. E. Kompan, E. V. Konenkova, V. N. Panteleev, S. N. Rodin, M. P. Scheglov, “Vapor-phase epitaxy of AlN layers on AlN/Si(111) templates synthesized by reactive magnetron sputtering”, Tech. Phys. Lett., 46:4 (2020), 382–384 |
|
2019 |
| 7. |
S. N. Rodin, V. V. Lundin, A. F. Tsatsul'nikov, A. V. Sakharov, S. O. Usov, M. I. Mitrofanov, I. V. Levitskii, V. P. Evtikhiev, M. A. Kaliteevski, “GaN selective epitaxy in sub-micron windows with different depths formed by ion beam nanolithography”, Физика твердого тела, 61:12 (2019), 2333 ; Phys. Solid State, 61:12 (2019), 2335–2337 |
| 8. |
В. Н. Бессолов, Е. В. Коненкова, Т. А. Орлова, С. Н. Родин, Н. В. Середова, А. В. Соломникова, М. П. Щеглов, Д. С. Кибалов, В. К. Смирнов, “Cвойства полуполярного GaN, выращенного на подложке Si(100)”, Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019), 1006–1009 ; V. N. Bessolov, E. V. Konenkova, T. A. Orlova, S. N. Rodin, N. V. Seredova, A. V. Solomnikova, M. P. Scheglov, D. S. Kibalov, V. K. Smirnov, “Properties of semipolar GaN grown on a Si(100) substrate”, Semiconductors, 53:7 (2019), 989–992 |
7
|
| 9. |
В. Н. Бессолов, М. Е. Компан, Е. В. Коненкова, В. Н. Пантелеев, С. Н. Родин, М. П. Щеглов, “Эпитаксия слоев GaN(0001) или GaN(10$\bar1$1) на подложке Si(100)”, Письма в ЖТФ, 45:11 (2019), 3–5 |
7
|
|
2018 |
| 10. |
В. В. Лундин, А. Ф. Цацульников, С. Н. Родин, А. В. Сахаров, С. О. Усов, М. И. Митрофанов, Я. В. Левицкий, В. П. Евтихиев, “Селективный эпитаксиальный рост III–N-структур с использованием ионной нанолитографии”, Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018), 1237–1243 ; V. V. Lundin, A. F. Tsatsul'nikov, S. N. Rodin, A. V. Sakharov, S. O. Usov, M. I. Mitrofanov, Ya. V. Levitskii, V. P. Evtikhiev, “Selective epitaxial growth of III–N structures using ion-beam nanolithography”, Semiconductors, 52:10 (2018), 1357–1362 |
5
|
| 11. |
М. И. Митрофанов, Я. В. Левицкий, Г. В. Вознюк, Е. Е. Татаринов, С. Н. Родин, М. А. Калитеевский, В. П. Евтихиев, “Концентрические гексагональные структуры GaN для нанофотоники, изготовленные селективной газофазной эпитаксией с использованием ионного травления”, Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018), 816–818 ; M. I. Mitrofanov, Ya. V. Levitskii, G. V. Voznyuk, E. E. Tatarinov, S. N. Rodin, M. A. Kaliteevskii, V. P. Evtikhiev, “Concentric hexagonal GaN structures for nanophotonics, fabricated by selective vapor-phase epitaxy with ion-beam etching”, Semiconductors, 52:7 (2018), 954–956 |
2
|
| 12. |
В. Н. Бессолов, Е. В. Коненкова, Т. А. Орлова, С. Н. Родин, М. П. Щеглов, Д. С. Кибалов, В. К. Смирнов, “Полуполярные GaN-слои на наноструктурированной Si(100)-подложке”, Письма в ЖТФ, 44:12 (2018), 45–51 ; V. N. Bessolov, E. V. Konenkova, T. A. Orlova, S. N. Rodin, M. P. Scheglov, D. S. Kibalov, V. K. Smirnov, “Semipolar gan layers grown on nanostructured Si(100) substrate”, Tech. Phys. Lett., 44:6 (2018), 525–527 |
8
|
|
2017 |
| 13. |
В. В. Лундин, С. Н. Родин, А. В. Сахаров, Е. Ю. Лундина, С. О. Усов, Ю. М. Задиранов, С. И. Трошков, А. Ф. Цацульников, “Нитевидные светодиодные микрокристаллы InGaN/GaN субмиллиметровой длины”, Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017), 101–104 ; V. V. Lundin, S. N. Rodin, A. V. Sakharov, E. Yu. Lundina, S. O. Usov, Yu. M. Zadiranov, S. I. Troshkov, A. F. Tsatsul'nikov, “InGaN/GaN light-emitting diode microwires of submillimeter length”, Semiconductors, 51:1 (2017), 100–103 |
2
|
|
Обратная связь: