|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
ОПТИКА, ЛАЗЕРНАЯ ФИЗИКА
Enhancement of the basal-plane stacking fault emission in GaN planar nanowire microcavity
E. I. Girshovaa, G. Pozinab, A. V. Belonovskiia, M. I. Mitrofanovcd, I. V. Levitskiidc, G. V. Voznyuka, V. P. Evtikhievb, S. N. Rodincd, M. A. Kaliteevskiia a ITMO University, 197101 St. Petersburg, Russia
b Department of Physics, Chemistry and Biology (IFM), Linköping University, S-581 83 Linköping, Sweden
c Ioffe Institute, 194021 St. Petersburg, Russia
d Submicron Heterostructures for Microelectronics, Research and Engineering Center, Russian Academy of Sciences,
194021 St. Petersburg, Russia
Поступила в редакцию: 05.04.2022 Исправленный вариант: 12.04.2022 Принята в печать: 13.04.2022
Образец цитирования:
E. I. Girshova, G. Pozina, A. V. Belonovskii, M. I. Mitrofanov, I. V. Levitskii, G. V. Voznyuk, V. P. Evtikhiev, S. N. Rodin, M. A. Kaliteevskii, “Enhancement of the basal-plane stacking fault emission in GaN planar nanowire microcavity”, Письма в ЖЭТФ, 115:10 (2022), 611–612; JETP Letters, 115:10 (2022), 574–580
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl6670 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v115/i10/p611
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 62 | Список литературы: | 17 | Первая страница: | 15 |
|