Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2020, том 54, выпуск 1, страницы 85–88
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.01.48780.9257 (Mi phts5312) 		 
Физика полупроводниковых приборов

Сильная связь экситонов в микрорезонаторах GaN гексагональной формы

А. В. Белоновскийab, Г. Р. Позинаc, Я. В. Левитскийbd, К. М. Морозовab, М. И. Митрофановd, Е. И. Гиршоваabd, К. А. Ивановb, С. Н. Родинd, В. П. Евтихиевd, М. А. Калитеевскийabd

a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
c Linköping University, Linköping, Sweden
d Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (484 kB)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2020.01.48780.9257
Аннотация: Методом селективной газофазной эпитаксии выращены плоские микрорезонаторы GaN гексагональной формы. Проводилось измерение спектров низкотемпературной катодолюминесценции на сканирующем электронном микроскопе. В полученных спектрах видно огромное расщепление Раби ($\sim$100 мэВ). Выполнено численное моделирование распределения интенсивности мод резонатора гексагональной формы. Некоторые моды могут иметь сильную пространственную локализацию, приводящую к сильной связи с экситоном и огромному расщеплению Раби. Теоретически мы рассчитали долю экситонов в поляритонных модах, которая коррелирует с интенсивностью экситонного излучения, связанного с этими модами, для микрорезонаторов гексагональной формы. Таким образом, получен вид зависимости вероятности излучения от собственных частот структуры.
Ключевые слова: расщепление Раби, экситон, нитрид галлия, микрорезонатор.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 16-12-10503
Авторы выражают благодарность Российскому научному фонду (проект № 16-12-10503).
Поступила в редакцию: 16.09.2019
Исправленный вариант: 20.09.2019
Принята в печать: 20.09.2019
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2020, Volume 54, Issue 1, Pages 127–130
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782620010042
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: А. В. Белоновский, Г. Р. Позина, Я. В. Левитский, К. М. Морозов, М. И. Митрофанов, Е. И. Гиршова, К. А. Иванов, С. Н. Родин, В. П. Евтихиев, М. А. Калитеевский, “Сильная связь экситонов в микрорезонаторах GaN гексагональной формы”, Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020), 85–88; Semiconductors, 54:1 (2020), 127–130
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BelPozLev20}
\by А.~В.~Белоновский, Г.~Р.~Позина, Я.~В.~Левитский, К.~М.~Морозов, М.~И.~Митрофанов, Е.~И.~Гиршова, К.~А.~Иванов, С.~Н.~Родин, В.~П.~Евтихиев, М.~А.~Калитеевский
\paper Сильная связь экситонов в микрорезонаторах GaN гексагональной формы
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2020
\vol 54
\issue 1
\pages 85--88
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5312}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2020.01.48780.9257}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=42571076}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2020
\vol 54
\issue 1
\pages 127--130
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782620010042}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5312
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i1/p85
    • Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:40
    PDF полного текста:17
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024