|
Физика полупроводниковых приборов
Сильная связь экситонов в микрорезонаторах GaN гексагональной формы
А. В. Белоновскийab, Г. Р. Позинаc, Я. В. Левитскийbd, К. М. Морозовab, М. И. Митрофановd, Е. И. Гиршоваabd, К. А. Ивановb, С. Н. Родинd, В. П. Евтихиевd, М. А. Калитеевскийabd a Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет имени Ж. И. Алфёрова
Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
c Linköping University, Linköping, Sweden
d Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
Аннотация:
Методом селективной газофазной эпитаксии выращены плоские микрорезонаторы GaN гексагональной формы. Проводилось измерение спектров низкотемпературной катодолюминесценции на сканирующем электронном микроскопе. В полученных спектрах видно огромное расщепление Раби ($\sim$100 мэВ). Выполнено численное моделирование распределения интенсивности мод резонатора гексагональной формы. Некоторые моды могут иметь сильную пространственную локализацию, приводящую к сильной связи с экситоном и огромному расщеплению Раби. Теоретически мы рассчитали долю экситонов в поляритонных модах, которая коррелирует с интенсивностью экситонного излучения, связанного с этими модами, для микрорезонаторов гексагональной формы. Таким образом, получен вид зависимости вероятности излучения от собственных частот структуры.
Ключевые слова:
расщепление Раби, экситон, нитрид галлия, микрорезонатор.
Поступила в редакцию: 16.09.2019 Исправленный вариант: 20.09.2019 Принята в печать: 20.09.2019
Образец цитирования:
А. В. Белоновский, Г. Р. Позина, Я. В. Левитский, К. М. Морозов, М. И. Митрофанов, Е. И. Гиршова, К. А. Иванов, С. Н. Родин, В. П. Евтихиев, М. А. Калитеевский, “Сильная связь экситонов в микрорезонаторах GaN гексагональной формы”, Физика и техника полупроводников, 54:1 (2020), 85–88; Semiconductors, 54:1 (2020), 127–130
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5312 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v54/i1/p85
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 40 | PDF полного текста: | 17 |
|