Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Физика и техника полупроводников, 2021, том 55, выпуск 4, страницы 356–359
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2021.04.50740.9562
(Mi phts5057)
 

Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Образование полуполярных III-нитридных слоев на поверхности Si(100), структурированной с помощью самоформирующейся наномаски

В. Н. Бессоловa, Е. В. Коненковаa, С. Н. Родинa, Д. С. Кибаловb, В. К. Смирновb

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b ООО "Квантовый кремний", 115054 Москва, Россия
Аннотация: Проведены исследования эпитаксиального роста слоев AlN и GaN при использовании метода газофазной эпитаксии из металлoорганических соединений на подложке Si(100), на поверхности которой сформирована V-образная наноструктура с размером элементов $<$ 100 нм (подложка NP-Si(100)). Показано, что в процессе образования слоя полуполярного AlN на начальной стадии эпитаксии при коалесценции формируется гофрированная поверхность из полуполярных плоскостей AlN(10$\bar1$1) с противонаправленными осями симметрии $\mathbf{c}$. Затем в процессе роста слоя GaN осуществляется переход из симметричного состояния с двумя полуполярными плоскостями AlN в асимметричное состояние с единой ориентацией оси $\mathbf{c}$ слоя полуполярного GaN(10$\bar1$1), причем направление $\mathbf{c}$ в растущем полуполярном слое совпадает с направлением потока ионов N$_{2}$$^{+}$ на поверхность кремния при образовании наномаски.
Ключевые слова: полуполярный нитрид алюминия, наноструктурированная подложка кремния, переход от двух полуполярных плоскостей к единой ориентации слоя.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский фонд фундаментальных исследований 20-08-00096
Исследования В.Н. Бессолова и Е.В. Коненковой частично выполнены при финансовой поддержке Российского фонда фундаментальных исследований в рамках научного проекта № 20-08-00096.
Поступила в редакцию: 26.11.2020
Исправленный вариант: 30.11.2020
Принята в печать: 30.11.2020
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2021, Volume 55, Issue 4, Pages 395–398
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782621040035
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: В. Н. Бессолов, Е. В. Коненкова, С. Н. Родин, Д. С. Кибалов, В. К. Смирнов, “Образование полуполярных III-нитридных слоев на поверхности Si(100), структурированной с помощью самоформирующейся наномаски”, Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021), 356–359; Semiconductors, 55:4 (2021), 395–398
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{BesKonRod21}
\by В.~Н.~Бессолов, Е.~В.~Коненкова, С.~Н.~Родин, Д.~С.~Кибалов, В.~К.~Смирнов
\paper Образование полуполярных III-нитридных слоев на поверхности Si(100), структурированной с помощью самоформирующейся наномаски
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2021
\vol 55
\issue 4
\pages 356--359
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5057}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2021.04.50740.9562}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=46474715}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2021
\vol 55
\issue 4
\pages 395--398
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782621040035}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5057
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i4/p356
  • Эта публикация цитируется в следующих 3 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:74
    PDF полного текста:23
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024