|
Эта публикация цитируется в 3 научных статьях (всего в 3 статьях)
Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур
Образование полуполярных III-нитридных слоев на поверхности Si(100), структурированной с помощью самоформирующейся наномаски
В. Н. Бессоловa, Е. В. Коненковаa, С. Н. Родинa, Д. С. Кибаловb, В. К. Смирновb a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b ООО "Квантовый кремний", 115054 Москва, Россия
Аннотация:
Проведены исследования эпитаксиального роста слоев AlN и GaN при использовании метода газофазной эпитаксии из металлoорганических соединений на подложке Si(100), на поверхности которой сформирована V-образная наноструктура с размером элементов $<$ 100 нм (подложка NP-Si(100)). Показано, что в процессе образования слоя полуполярного AlN на начальной стадии эпитаксии при коалесценции формируется гофрированная поверхность из полуполярных плоскостей AlN(10$\bar1$1) с противонаправленными осями симметрии $\mathbf{c}$. Затем в процессе роста слоя GaN осуществляется переход из симметричного состояния с двумя полуполярными плоскостями AlN в асимметричное состояние с единой ориентацией оси $\mathbf{c}$ слоя полуполярного GaN(10$\bar1$1), причем направление $\mathbf{c}$ в растущем полуполярном слое совпадает с направлением потока ионов N$_{2}$$^{+}$ на поверхность кремния при образовании наномаски.
Ключевые слова:
полуполярный нитрид алюминия, наноструктурированная подложка кремния, переход от двух полуполярных плоскостей к единой ориентации слоя.
Поступила в редакцию: 26.11.2020 Исправленный вариант: 30.11.2020 Принята в печать: 30.11.2020
Образец цитирования:
В. Н. Бессолов, Е. В. Коненкова, С. Н. Родин, Д. С. Кибалов, В. К. Смирнов, “Образование полуполярных III-нитридных слоев на поверхности Si(100), структурированной с помощью самоформирующейся наномаски”, Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021), 356–359; Semiconductors, 55:4 (2021), 395–398
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/phts5057 https://www.mathnet.ru/rus/phts/v55/i4/p356
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 74 | PDF полного текста: | 23 |
|