Физика и техника полупроводников
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Правила для авторов

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


Физика и техника полупроводников:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Физика и техника полупроводников, 2018, том 52, выпуск 7, страницы 816–818
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.07.46058.8797 (Mi phts5796) 		 
Эта публикация цитируется в 2 научных статьях (всего в 2 статьях)

Изготовление, обработка, тестирование материалов и структур

Концентрические гексагональные структуры GaN для нанофотоники, изготовленные селективной газофазной эпитаксией с использованием ионного травления

М. И. Митрофановab, Я. В. Левицкийab, Г. В. Вознюкc, Е. Е. Татариновc, С. Н. Родинab, М. А. Калитеевскийacd, В. П. Евтихиевa

a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
b Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур РАН, г. Санкт-Петербург
c Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики
d Санкт-Петербургский национальный исследовательский академический университет Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (314 kB) Список цитирования (2)
DOI: https://doi.org/10.21883/FTP.2018.07.46058.8797
Аннотация: Методом селективной газофазной эпитаксии в окнах, сформированных сфокусированным ионным пучком, в слое Si$_{3}$N$_{4}$ были сформированы коаксиальные и одиночные GaN-структуры субмикронных размеров гексагональной формы с пирамидальными гранями. Установлено, что при росте структур в окнах маски, имеющих кольцевую форму, в процессе роста происходит формирование коаксиальных гексагональных структур.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 16-12-10503
Авторы выражают благодарность Российскому научному фонду (грант 16-12-10503).
Поступила в редакцию: 18.12.2017
Принята в печать: 18.12.2017
Англоязычная версия:
Semiconductors, 2018, Volume 52, Issue 7, Pages 954–956
DOI: https://doi.org/10.1134/S1063782618070151
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
Образец цитирования: М. И. Митрофанов, Я. В. Левицкий, Г. В. Вознюк, Е. Е. Татаринов, С. Н. Родин, М. А. Калитеевский, В. П. Евтихиев, “Концентрические гексагональные структуры GaN для нанофотоники, изготовленные селективной газофазной эпитаксией с использованием ионного травления”, Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018), 816–818; Semiconductors, 52:7 (2018), 954–956
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{MitLevVoz18}
\by М.~И.~Митрофанов, Я.~В.~Левицкий, Г.~В.~Вознюк, Е.~Е.~Татаринов, С.~Н.~Родин, М.~А.~Калитеевский, В.~П.~Евтихиев
\paper Концентрические гексагональные структуры GaN для нанофотоники, изготовленные селективной газофазной эпитаксией с использованием ионного травления
\jour Физика и техника полупроводников
\yr 2018
\vol 52
\issue 7
\pages 816--818
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/phts5796}
\crossref{https://doi.org/10.21883/FTP.2018.07.46058.8797}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=35269418}
\transl
\jour Semiconductors
\yr 2018
\vol 52
\issue 7
\pages 954--956
\crossref{https://doi.org/10.1134/S1063782618070151}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts5796
  • https://www.mathnet.ru/rus/phts/v52/i7/p816
    • Эта публикация цитируется в следующих 2 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Физика и техника полупроводников Физика и техника полупроводников
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:27
    PDF полного текста:9
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2024